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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 400V 4.2A TO251A
  详细描述：通孔 N 沟道 4.2A（Tc） 78W（Tc） TO-251A
  
  型号：AOI5N40
  仓库库存编号：785-1451-5-ND
  别名：785-1451-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 78W（Tc）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N CH 250V 8A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 78W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD8N25
  仓库库存编号：785-1361-1-ND
  别名：785-1361-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 78W（Tc）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 250V 8A TO251A
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 78W（Tc） TO-251A
  
  型号：AOI8N25
  仓库库存编号：785-1454-5-ND
  别名：785-1454-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 78W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 620V 6A TO-251
  详细描述：通孔 N 沟道 620V 6A（Tc） 78W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：SIHU6N62E-GE3
  仓库库存编号：SIHU6N62E-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 78W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 650V
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 7A（Tc） 78W（Tc） TO-252AA
  
  型号：SIHD6N65ET1-GE3
  仓库库存编号：SIHD6N65ET1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 78W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 650V
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 7A（Tc） 78W（Tc） TO-252AA
  
  型号：SIHD6N65ET4-GE3
  仓库库存编号：SIHD6N65ET4-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 78W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 650V
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 7A（Tc） 78W（Tc） TO-252AA
  
  型号：SIHD6N65ET5-GE3
  仓库库存编号：SIHD6N65ET5-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 78W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 600V
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7A（Tc） 78W（Tc） TO-252AA
  
  型号：SIHD7N60ET4-GE3
  仓库库存编号：SIHD7N60ET4-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 78W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 600V
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7A（Tc） 78W（Tc） TO-252AA
  
  型号：SIHD7N60ET5-GE3
  仓库库存编号：SIHD7N60ET5-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 78W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 7A TO-251
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 7A（Tc） 78W（Tc） I-Pak
  
  型号：SIHU7N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHU7N60E-GE3-ND
  别名：SIHU7N60EGE3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 78W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 7A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7A（Tc） 78W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：SIHD7N60E-E3
  仓库库存编号：SIHD7N60E-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 78W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 7A TO-251
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 7A（Tc） 78W（Tc） TO-251
  
  型号：SIHU7N60E-E3
  仓库库存编号：SIHU7N60E-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 78W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 7A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 78W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP7N60E-E3
  仓库库存编号：SIHP7N60E-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 78W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 650V
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 78W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP6N65E-GE3
  仓库库存编号：SIHP6N65E-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 78W（Tc）,
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• Cree/Wolfspeed
  MOSFET N-CH 1700V 5.3A TO247
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.3A（Tc） 78W（Tc） D2PAK-7
  
  型号：C2M1000170J-TR
  仓库库存编号：C2M1000170J-TR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 78W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 3.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 3.6A（Tc） 78W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR812TRPBF
  仓库库存编号：IRFR812TRPBFCT-ND
  别名：IRFR812TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 78W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 500V 3.6A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 3.6A（Tc） 78W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB812PBF
  仓库库存编号：IRFB812PBF-ND
  别名：SP001563948
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 78W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 9A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 9A（Tc） 78W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP630TSTU
  仓库库存编号：FQP630TSTU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 78W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 9A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 9A（Tc） 78W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP630
  仓库库存编号：FQP630-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 78W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 40V 85A PQFN 5X6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 85A（Tc） 78W（Tc） 8-PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH7446TR2PBF
  仓库库存编号：IRFH7446TR2PBFCT-ND
  别名：IRFH7446TR2PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 78W（Tc）,
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