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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 75A（Tc） 200W（Tc） D2PAK
  
  型号：PHB110NQ06LT,118
  仓库库存编号：568-2183-1-ND
  别名：568-2183-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 200W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 14A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 14A（Tc） 200W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFP450NPBF
  仓库库存编号：IRFP450NPBF-ND
  别名：*IRFP450NPBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 200W（Tc）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 75A（Tc） 200W（Tc） D2PAK
  
  型号：PHB129NQ04LT,118
  仓库库存编号：568-2184-1-ND
  别名：568-2184-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 200W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 56A（Tc） 200W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：HUF75639S3S
  仓库库存编号：HUF75639S3S-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 200W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 56A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 56A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB
  
  型号：HUFA75639P3
  仓库库存编号：HUFA75639P3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 200W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 75A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB
  
  型号：HUFA75339P3
  仓库库存编号：HUFA75339P3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 200W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 56A（Tc） 200W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：HUFA75639S3S
  仓库库存编号：HUFA75639S3S-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 200W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 75A（Tc） 200W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：HUFA75339S3S
  仓库库存编号：HUFA75339S3S-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 200W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 75A（Tc） 200W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：HUFA75339S3ST
  仓库库存编号：HUFA75339S3ST-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 200W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 56A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 56A（Tc） 200W（Tc） TO-247-3
  
  型号：HUFA75639G3
  仓库库存编号：HUFA75639G3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 200W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 55V 75A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 75A（Tc） 200W（Tc） TO-247-3
  
  型号：HUFA75339G3
  仓库库存编号：HUFA75339G3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 200W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 55V 75A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 75A（Tc） 200W（Tc） TO-247
  
  型号：HUF75339G3
  仓库库存编号：HUF75339G3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 200W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 16A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 16A（Tc） 200W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA16N50
  仓库库存编号：FQA16N50-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 200W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 19.5A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 19.5A（Tc） 200W（Tc） TO-3P
  
  型号：FQA20N40
  仓库库存编号：FQA20N40-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 200W（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 63A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 63A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK7520-100A,127
  仓库库存编号：568-9800-5-ND
  别名：568-9800-5
  934055651127
  BUK7520-100A
  BUK7520-100A,127-ND
  BUK7520-100A-ND
  BUK7520100A127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 200W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 12A I2-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 12A（Tc） 200W（Tc） TO-263
  
  型号：IXTI12N50P
  仓库库存编号：IXTI12N50P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 200W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 10A I2-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 10A（Tc） 200W（Tc） TO-263
  
  型号：IXTI10N60P
  仓库库存编号：IXTI10N60P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 200W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 16A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 16A（Tc） 200W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP16N50
  仓库库存编号：FDP16N50-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 200W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 7A TO-263
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 7A（Tc） 200W（Tc） TO-263
  
  型号：IXFI7N80P
  仓库库存编号：IXFI7N80P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 200W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 85V 130A ISOPLUS I4
  详细描述：通孔 N 沟道 85V 130A（Tc） 200W（Tc） ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：IXTF230N085T
  仓库库存编号：IXTF230N085T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 200W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 75V 140A ISOPLUS I4
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 140A（Tc） 200W（Tc） ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：IXTF250N075T
  仓库库存编号：IXTF250N075T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 200W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 55V 160A ISOPLUS I4
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 160A（Tc） 200W（Tc） ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：IXTF280N055T
  仓库库存编号：IXTF280N055T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 200W（Tc）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 64A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 64A（Tc） 200W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK7619-100B,118
  仓库库存编号：568-5853-1-ND
  别名：568-5853-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 200W（Tc）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 60V 110A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 110A（Ta） 200W（Tc） TO-220AB
  
  型号：RJK0601DPN-E0#T2
  仓库库存编号：RJK0601DPN-E0#T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 200W（Tc）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 250V 65A TO3P
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 65A（Ta） 200W（Tc） TO-3P
  
  型号：RJK2511DPK-00#T0
  仓库库存编号：RJK2511DPK-00#T0-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 200W（Tc）,
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