产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 300W（Tc）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 160A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-7-3
型号：
IPB160N04S2L03ATMA1
仓库库存编号：
IPB160N04S2L03ATMA1TR-ND
别名：IPB160N04S2L-03
IPB160N04S2L-03-ND
SP000218153
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 300W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N04S204ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N04S204ATMA1TR-ND
别名：IPB80N04S2-04
IPB80N04S2-04-ND
SP000218154
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 300W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N04S2H4ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N04S2H4ATMA1TR-ND
别名：IPB80N04S2-H4
IPB80N04S2-H4-ND
SP000218165
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 300W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N04S2L03ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N04S2L03ATMA1TR-ND
别名：IPB80N04S2L-03
IPB80N04S2L-03-ND
SP000220158
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 300W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S205ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N06S205ATMA1TR-ND
别名：IPB80N06S2-05
IPB80N06S2-05-ND
SP000218877
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 300W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S2H5ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N06S2H5ATMA1TR-ND
别名：IPB80N06S2-H5
IPB80N06S2-H5-ND
SP000218162
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 300W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S2L05ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N06S2L05ATMA1TR-ND
别名：IPB80N06S2L-05
IPB80N06S2L-05-ND
SP000219004
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 300W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S2L-H5
仓库库存编号：
IPB80N06S2L-H5-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 300W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 80V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI028N08N3GHKSA1
仓库库存编号：
IPI028N08N3GHKSA1-ND
别名：IPI028N08N3 G
IPI028N08N3 G-ND
SP000395160
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 300W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI030N10N3GHKSA1
仓库库存编号：
IPI030N10N3GHKSA1-ND
别名：IPI030N10N3 G
IPI030N10N3 G-ND
SP000469884
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 300W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI04CN10N G
仓库库存编号：
IPI04CN10N G-ND
别名：SP000398084
SP000680660
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 300W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI05CN10N G
仓库库存编号：
IPI05CN10N G-ND
别名：SP000208922
SP000680664
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 300W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 100A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 150V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI075N15N3GHKSA1
仓库库存编号：
IPI075N15N3GHKSA1-ND
别名：IPI075N15N3 G
IPI075N15N3 G-ND
SP000414712
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 300W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI80N04S204AKSA1
仓库库存编号：
IPI80N04S204AKSA1-ND
别名：IPI80N04S2-04
IPI80N04S2-04-ND
SP000219058
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 300W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI80N04S2H4AKSA1
仓库库存编号：
IPI80N04S2H4AKSA1-ND
别名：IPI80N04S2-H4
IPI80N04S2-H4-ND
SP000218171
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 300W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI80N06S2L05AKSA1
仓库库存编号：
IPI80N06S2L05AKSA1-ND
别名：IPI80N06S2L-05
IPI80N06S2L-05-ND
SP000219002
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 300W（Tc）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP05CN10L G
仓库库存编号：
IPP05CN10L G-ND
别名：SP000308801
SP000680812
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 300W（Tc）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 40V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP100N04S204AKSA1
仓库库存编号：
IPP100N04S204AKSA1-ND
别名：IPP100N04S2-04
IPP100N04S2-04-ND
SP000219056
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 300W（Tc）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 40V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP100N04S2L03AKSA1
仓库库存编号：
IPP100N04S2L03AKSA1-ND
别名：IPP100N04S2L-03
IPP100N04S2L-03-ND
SP000219062
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 300W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 55V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP100N06S205AKSA1
仓库库存编号：
IPP100N06S205AKSA1-ND
别名：IPP100N06S2-05
IPP100N06S2-05-ND
SP000218872
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 300W（Tc）,
无铅
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MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 55V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP100N06S2L05AKSA1
仓库库存编号：
IPP100N06S2L05AKSA1-ND
别名：IPP100N06S2L-05
IPP100N06S2L-05-ND
SP000218879
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 300W（Tc）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP80N04S204AKSA1
仓库库存编号：
IPP80N04S204AKSA1-ND
别名：IPP80N04S2-04
IPP80N04S2-04-ND
SP000219054
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 300W（Tc）,
无铅
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MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
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别名：IPP80N04S2-H4
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MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
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