产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 150W(Tc),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(354)
晶体管 - FET,MOSFET - 单
(354)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(5)
Fairchild/ON Semiconductor(32)
Infineon Technologies(83)
IXYS(47)
Microsemi Corporation(3)
Nexperia USA Inc.(10)
NXP USA Inc.(5)
ON Semiconductor(1)
Renesas Electronics America(7)
Rohm Semiconductor(5)
STMicroelectronics(94)
Toshiba Semiconductor and Storage(3)
Vishay Siliconix(59)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 16A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 150W(Tc) TO-220
型号:
STP24N65M2
仓库库存编号:
497-15276-5-ND
别名:497-15276-5
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 150W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 18A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 150W(Tc) I2PAK
型号:
STI24N60M2
仓库库存编号:
497-13775-5-ND
别名:497-13775-5
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 150W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 14A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 14A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
STP14NK50Z
仓库库存编号:
497-4526-5-ND
别名:497-4526-5
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 150W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 7.2A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 7.2A(Tc) 150W(Tc) TO-247-3
型号:
STW7N95K3
仓库库存编号:
497-8798-5-ND
别名:497-8798-5
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 150W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 18A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 150W(Tc) TO-247
型号:
STW24N60M2
仓库库存编号:
497-13594-5-ND
别名:497-13594-5
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 150W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 22A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 22A(Tc) 150W(Tc) TO-220
型号:
STP31N65M5
仓库库存编号:
497-13110-5-ND
别名:497-13110-5
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 150W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 24A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) 150W(Tc) I2PAK
型号:
STI32N65M5
仓库库存编号:
497-11331-5-ND
别名:497-11331-5
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 150W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 24A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
STP32N65M5
仓库库存编号:
497-10079-5-ND
别名:497-10079-5
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 150W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 24A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) 150W(Tc) TO-247-3
型号:
STW32N65M5
仓库库存编号:
497-10999-5-ND
别名:497-10999-5
STW32N65M5-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 150W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3-313
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 150W(Tc) PG-TO252-3-313
型号:
IPD90N04S402ATMA1
仓库库存编号:
IPD90N04S402ATMA1CT-ND
别名:IPD90N04S402ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 150W(Tc),
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 150V 29A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 29A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
PHP30NQ15T,127
仓库库存编号:
1727-4646-ND
别名:1727-4646
568-5763
568-5763-5
568-5763-5-ND
568-5763-ND
934055759127
PHP30NQ15T
PHP30NQ15T,127-ND
PHP30NQ15T-ND
PHP30NQ15T127
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 150W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 60A POWER56
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 150W(Tc) Power56
型号:
FDMS5360L_F085
仓库库存编号:
FDMS5360L_F085CT-ND
别名:FDMS5360L_F085CT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 150W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 35A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 5A(Ta),35A(Tc) 150W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP42AN15A0
仓库库存编号:
FDP42AN15A0FS-ND
别名:FDP42AN15A0-ND
FDP42AN15A0FS
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 150W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 50A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 150W(Tc) D2PAK
型号:
STB40NF10T4
仓库库存编号:
497-6552-1-ND
别名:497-6552-1
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 150W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 150W(Tc) D2PAK
型号:
STB40NF10LT4
仓库库存编号:
497-3736-1-ND
别名:497-3736-1
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 150W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Tc) 150W(Tc) D2PAK
型号:
STB13NK60ZT4
仓库库存编号:
497-6546-1-ND
别名:497-6546-1
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 150W(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 200A PWRPAK 8X8
详细描述:表面贴装 N 沟道 200A(Tc) 150W(Tc) PowerPAK? 8 x 8
型号:
SQJQ410EL-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJQ410EL-T1_GE3CT-ND
别名:SQJQ410EL-T1_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 150W(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 200A PWRPAK 8X8
详细描述:表面贴装 N 沟道 200A(Tc) 150W(Tc) PowerPAK? 8 x 8
型号:
SQJQ100E-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJQ100E-T1_GE3CT-ND
别名:SQJQ100E-T1_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 150W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N CH 100V 110A H2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 110A(Tc) 150W(Tc) H2PAK
型号:
STH110N10F7-2
仓库库存编号:
497-13549-1-ND
别名:497-13549-1
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 150W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 150W(Tc) D2PAK
型号:
STB24N60DM2
仓库库存编号:
497-15423-1-ND
别名:497-15423-1
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 150W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N CH 200V 30A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 150W(Tc) D2PAK
型号:
STB30NF20L
仓库库存编号:
497-13392-1-ND
别名:497-13392-1
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 150W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 16A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Tc) 150W(Tc) D2PAK
型号:
STB24N65M2
仓库库存编号:
497-15304-1-ND
别名:497-15304-1
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 150W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 14A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 14A(Tc) 150W(Tc) D2PAK
型号:
STB14NK50ZT4
仓库库存编号:
497-12534-1-ND
别名:497-12534-1
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 150W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 22A(Tc) 150W(Tc) D2PAK
型号:
STB31N65M5
仓库库存编号:
497-13084-1-ND
别名:497-13084-1
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 150W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
N-CHANNEL 600 V, 0.115 OHM TYP.,
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Tc) 150W(Tc) PowerFlat?(8x8) HV
型号:
STL33N60DM2
仓库库存编号:
497-16941-1-ND
别名:497-16941-1
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 150W(Tc),
无铅
搜索
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号