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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 58W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD09N03LB G
  仓库库存编号：IPD09N03LB G-ND
  别名：IPD09N03LBGXT
  SP000016412
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 58W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 50A（Tc） 58W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP10N03LB G
  仓库库存编号：IPP10N03LBGIN-ND
  别名：IPP10N03LB G-ND
  IPP10N03LBGIN
  IPP10N03LBGX
  IPP10N03LBGXK
  SP000064222
  SP000680860
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 58W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 50A（Tc） 58W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPS09N03LB G
  仓库库存编号：IPS09N03LB G-ND
  别名：IPS09N03LBGX
  IPS09N03LBGXK
  SP000220142
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 58W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 50A（Tc） 58W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU09N03LB G
  仓库库存编号：IPU09N03LB G-ND
  别名：IPU09N03LBGX
  SP000209115
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 58W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 27A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 27A（Tc） 58W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB34CN10NGATMA1
  仓库库存编号：IPB34CN10NGATMA1TR-ND
  别名：IPB34CN10N G
  IPB34CN10N G-ND
  SP000277693
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 58W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 27A（Tc） 58W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD33CN10NGBUMA1
  仓库库存编号：IPD33CN10NGBUMA1TR-ND
  别名：IPD33CN10N G
  IPD33CN10N G-ND
  SP000096458
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 58W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 27A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 27A（Tc） 58W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI35CN10N G
  仓库库存编号：IPI35CN10N G-ND
  别名：SP000208936
  SP000680730
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 58W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 27A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 27A（Tc） 58W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP35CN10N G
  仓库库存编号：IPP35CN10N G-ND
  别名：SP000096473
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 58W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 45A TO262-3
  详细描述：通孔 P 沟道 30V 45A（Tc） 58W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI45P03P4L11AKSA1
  仓库库存编号：IPI45P03P4L11AKSA1-ND
  别名：IPI45P03P4L-11
  IPI45P03P4L-11-ND
  SP000396310
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 58W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 27A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 27A（Tc） 58W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP35CN10NGXKSA1
  仓库库存编号：IPP35CN10NGXKSA1-ND
  别名：SP000680926
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 58W（Tc）,
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