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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 50V 9.9A I-PAK
  详细描述：通孔 P 沟道 50V 9.9A（Tc） 42W（Tc） TO-251AA
  
  型号：IRFU9020
  仓库库存编号：IRFU9020-ND
  别名：*IRFU9020
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 42W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 9.7A（Tc） 42W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRLI530G
  仓库库存编号：IRLI530G-ND
  别名：*IRLI530G
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 42W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 20A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 20A（Tc） 42W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRLIZ34G
  仓库库存编号：IRLIZ34G-ND
  别名：*IRLIZ34G
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 42W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 50V 9.9A（Tc） 42W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9020TRL
  仓库库存编号：IRFR9020TRL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 42W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 50V 9.9A（Tc） 42W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9020TRR
  仓库库存编号：IRFR9020TRR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 42W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 4.7A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 4.7A（Tc） 42W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFIB5N50LPBF
  仓库库存编号：IRFIB5N50LPBF-ND
  别名：*IRFIB5N50LPBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 42W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 300V 6A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 6A（Tc） 42W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF9N30
  仓库库存编号：FQPF9N30-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 42W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 4.6A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 4.6A（Tc） 42W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF7N40
  仓库库存编号：FQPF7N40-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 42W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 3.6A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 3.6A（Tc） 42W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF6N50
  仓库库存编号：FQPF6N50-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 42W（Tc）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 25V 56A LL LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 56A（Tc） 42W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN7R5-25YLC,115
  仓库库存编号：568-7590-1-ND
  别名：568-7590-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 42W（Tc）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 54A LL LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 54A（Tc） 42W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN8R0-30YLC,115
  仓库库存编号：568-7591-1-ND
  别名：568-7591-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 42W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 11.5A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 11.5A（Tc） 42W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF12N50NZT
  仓库库存编号：FDPF12N50NZT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 42W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 36A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 36A（Tc） 42W（Tc） TO-220AB 整包
  
  型号：IRFIZ48N
  仓库库存编号：IRFIZ48N-ND
  别名：*IRFIZ48N
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 42W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-220AB
  详细描述：通孔 P 沟道 60V 8.8A（Tc） 42W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：SPP08P06PBKSA1
  仓库库存编号：SPP08P06PBKSA1-ND
  别名：SP000012085
  SPP08P06P
  SPP08P06PIN
  SPP08P06PIN-ND
  SPP08P06PX
  SPP08P06PXK
  SPP08P06PXTIN
  SPP08P06PXTIN-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 42W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 9.7A TO-251
  详细描述：通孔 P 沟道 60V 9.7A（Tc） 42W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：SPU09P06PL
  仓库库存编号：SPU09P06PLIN-ND
  别名：SP000012876
  SPU09P06PLIN
  SPU09P06PLX
  SPU09P06PLXTIN
  SPU09P06PLXTIN-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 42W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 8.83A TO-251
  详细描述：通孔 P 沟道 60V 8.83A（Ta） 42W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：SPU08P06P
  仓库库存编号：SPU08P06PIN-ND
  别名：SP000012086
  SPU08P06PIN
  SPU08P06PX
  SPU08P06PXTIN
  SPU08P06PXTIN-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 42W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 9.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 9.7A（Tc） 42W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD09P06PL
  仓库库存编号：SPD09P06PLINCT-ND
  别名：SPD09P06PLINCT
  SPD09P06PLXTINCT
  SPD09P06PLXTINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 42W（Tc）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 4.8A（Tc） 42W（Tc） DPAK
  
  型号：IRFR220,118
  仓库库存编号：IRFR220,118-ND
  别名：934056819118
  IRFR220 /T3
  IRFR220 /T3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 42W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 42W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD20N03L G
  仓库库存编号：IPD20N03L G-ND
  别名：IPD20N03LGXT
  SP000017603
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 42W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 8.8A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 8.8A（Ta） 42W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB08P06P
  仓库库存编号：SPB08P06P-ND
  别名：SP000012508
  SPB08P06PT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 42W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 8.83A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 8.83A（Ta） 42W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD08P06P
  仓库库存编号：SPD08P06P-ND
  别名：SP000077441
  SPD08P06PXT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 42W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 2A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 2A（Tc） 42W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD02N80C3BTMA1
  仓库库存编号：SPD02N80C3BTMA1CT-ND
  别名：SPD02N80C3INCT
  SPD02N80C3INCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 42W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 8.83A TO-252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 8.83A（Ta） 42W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD08P06PGBTMA1
  仓库库存编号：SPD08P06PGINCT-ND
  别名：SPD08P06PGINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 42W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 35A TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 35A（Tc） 42W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP096N03L G
  仓库库存编号：IPP096N03LGIN-ND
  别名：IPP096N03LGIN
  IPP096N03LGXK
  SP000254737
  SP000680854
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 42W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 40A TO251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 40A（Tc） 42W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPS090N03LGAKMA1
  仓库库存编号：IPS090N03LGAKMA1-ND
  别名：IPS090N03L G
  IPS090N03LGIN
  IPS090N03LGIN-ND
  IPS090N03LGXK
  SP000788216
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 42W（Tc）,
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