产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 50W（Tc）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 4.5A TO-251
详细描述：通孔 N 沟道 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO251-3
型号：
SPU04N60C3
仓库库存编号：
SPU04N60C3IN-ND
别名：SP000095850
SPU04N60C3-ND
SPU04N60C3BKMA1
SPU04N60C3IN
SPU04N60C3X
SPU04N60C3XK
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 50W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.5A（Tc） 50W（Tc） D2PAK
型号：
IRF820ASPBF
仓库库存编号：
IRF820ASPBF-ND
别名：*IRF820ASPBF
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 50W（Tc）,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM
详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 50W（Tc） TO-220FM
型号：
R6008ANX
仓库库存编号：
R6008ANX-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 50W（Tc）,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FM
详细描述：通孔 N 沟道 10A（Ta） 50W（Tc） TO-220FM
型号：
R6010ANX
仓库库存编号：
R6010ANX-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 50W（Tc）,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 11A TO-220FM
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Ta），5.4A（Tc） 50W（Tc） TO-220FM
型号：
R5011FNX
仓库库存编号：
R5011FNX-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 50W（Tc）,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM
详细描述：通孔 N 沟道 15A（Ta） 50W（Tc） TO-220FM
型号：
R6015FNX
仓库库存编号：
R6015FNX-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 50W（Tc）,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FM
详细描述：通孔 N 沟道 20A（Ta） 50W（Tc） TO-220FM
型号：
R6020ANX
仓库库存编号：
R6020ANX-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 50W（Tc）,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FM
详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 50W（Tc） TO-220FM
型号：
R6020FNX
仓库库存编号：
R6020FNX-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 50W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 35A（Tc） 50W（Tc） D-Pak
型号：
STD35NF3LLT4
仓库库存编号：
497-2475-1-ND
别名：497-2475-1
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 50W（Tc）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述：通孔 N 沟道 600V 4A（Tc） 50W（Tc） TO-251（IPAK）
型号：
TSM4NB60CH X0G
仓库库存编号：
TSM4NB60CH X0G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 50W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 30V 65A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 30V 65A（Tc） 50W（Tc） I-Pak
型号：
STU65N3LLH5
仓库库存编号：
497-13446-ND
别名：497-13446
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 50W（Tc）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 35A TO220SIS
详细描述：通孔 N 沟道 35A（Ta） 50W（Tc） TO-220SIS
型号：
TK35A65W5,S5X
仓库库存编号：
TK35A65W5S5X-ND
别名：TK35A65W5,S5X(M
TK35A65W5S5X
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 50W（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 200V 8.8A 8HVSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 8.8A（Tc） 50W（Tc） 8-DFN3333（3.3x3.3）
型号：
PML260SN,118
仓库库存编号：
1727-7220-1-ND
别名：1727-7220-1
568-9716-1
568-9716-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 50W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 4.4A IPAK-3
详细描述：通孔 N 沟道 4.4A（Tc） 50W（Tc） I-Pak
型号：
FDU6N25
仓库库存编号：
FDU6N25-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 50W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 35A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 50W（Tc） TO-252AA
型号：
FDD8782
仓库库存编号：
FDD8782CT-ND
别名：FDD8782CT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 50W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 250V 4A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 50W（Tc） D-Pak
型号：
STD4NS25T4
仓库库存编号：
497-8479-1-ND
别名：497-8479-1
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 50W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.4A（Tc） 50W（Tc） D-Pak
型号：
FQD3N60CTM_WS
仓库库存编号：
FQD3N60CTM_WSCT-ND
别名：FQD3N60CTM_WSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 50W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Tc） 50W（Tc） DPAK
型号：
STD30N10F7
仓库库存编号：
497-14531-1-ND
别名：497-14531-1
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 50W（Tc）,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 11A LPT
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 50W（Tc） LPTS
型号：
R5011FNJTL
仓库库存编号：
R5011FNJTLCT-ND
别名：R5011FNJTLCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 50W（Tc）,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 45A LPTS
详细描述：表面贴装 N 沟道 45A（Ta） 50W（Tc） LPTS
型号：
RSJ450N04TL
仓库库存编号：
RSJ450N04TLCT-ND
别名：RSJ450N04TLCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 50W（Tc）,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 40A LTPS
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Ta） 50W（Tc） LPTS
型号：
RSJ400N06TL
仓库库存编号：
RSJ400N06TLCT-ND
别名：RSJ400N06TLCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 50W（Tc）,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 250V 6A
详细描述：通孔 P 沟道 6A（Tc） 50W（Tc） TO-220F-3（Y 型）
型号：
FQPF9P25YDTU
仓库库存编号：
FQPF9P25YDTU-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 50W（Tc）,
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 8A LPTS
详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 50W（Tc） LPTS
型号：
R6008FNJTL
仓库库存编号：
R6008FNJTLCT-ND
别名：R6008FNJTLCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 50W（Tc）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 50W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
型号：
BSZ110N08NS5ATMA1
仓库库存编号：
BSZ110N08NS5ATMA1CT-ND
别名：BSZ110N08NS5ATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 50W（Tc）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 11.3A（Tc） 50W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
BSZ12DN20NS3GATMA1
仓库库存编号：
BSZ12DN20NS3GATMA1CT-ND
别名：BSZ12DN20NS3GCT
BSZ12DN20NS3GCT-ND
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