产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7466TRPBF
仓库库存编号:
IRF7466PBFCT-ND
别名:*IRF7466TRPBF
IRF7466PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 12V 9.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 9.5A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7233TRPBF
仓库库存编号:
IRF7233PBFCT-ND
别名:*IRF7233TRPBF
IRF7233PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 21A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7832ZTR
仓库库存编号:
IRF7832ZTR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 14A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7463PBF
仓库库存编号:
IRF7463PBF-ND
别名:SP001565454
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 19A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7834PBF
仓库库存编号:
IRF7834PBF-ND
别名:SP001565546
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 7A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF9410PBF
仓库库存编号:
IRF9410PBF-ND
别名:SP001575396
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 14.9A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 14.9A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
BSO201SPNTMA1
仓库库存编号:
BSO201SPNTMA1CT-ND
别名:BSO201SPXTINCT
BSO201SPXTINCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 11.1A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11.1A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
BSO4410T
仓库库存编号:
BSO4410XTINCT-ND
别名:BSO4410XTINCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
BSO4420T
仓库库存编号:
BSO4420XTINCT-ND
别名:BSO4420XTINCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 12.7A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 12.7A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
BSO4822T
仓库库存编号:
BSO4822XTINCT-ND
别名:BSO4822XTINCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V SOT96-1
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
PHK4NQ10T,518
仓库库存编号:
PHK4NQ10T,518-ND
别名:934055907518
PHK4NQ10T /T3
PHK4NQ10T /T3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V SOT96-1
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI4420DY,518
仓库库存编号:
SI4420DY,518-ND
别名:934056381518
SI4420DY /T3
SI4420DY /T3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 9A SOT96-1
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 9A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI4800,518
仓库库存编号:
SI4800,518-ND
别名:934056750518
SI4800 /T3
SI4800 /T3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V SOT96-1
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI9410DY,518
仓库库存编号:
SI9410DY,518-ND
别名:934056383518
SI9410DY /T3
SI9410DY /T3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 3.44A 8DSO
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 3.44A(Ta) 2.5W(Ta) PG-DSO-8
型号:
BSO613SPV
仓库库存编号:
BSO613SPV-ND
别名:BSO613SPVT
SP000012847
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 6.7A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7404QTRPBF
仓库库存编号:
IRF7404QTRPBFCT-ND
别名:IRF7404QTRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7413QTRPBF
仓库库存编号:
IRF7413QTRPBFCT-ND
别名:IRF7413QTRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 10A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7416QTRPBF
仓库库存编号:
IRF7416QTRPBFCT-ND
别名:IRF7416QTRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 4.5A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7452QTRPBF
仓库库存编号:
IRF7452QTRPBFCT-ND
别名:IRF7452QTRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 7A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 7A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7478QTRPBF
仓库库存编号:
IRF7478QTRPBFCT-ND
别名:IRF7478QTRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7805QTRPBF
仓库库存编号:
IRF7805QTRPBFCT-ND
别名:IRF7805QTRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 16A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7805ZGTRPBF
仓库库存编号:
IRF7805ZGTRPBFCT-ND
别名:IRF7805ZGTRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 14A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF8714GPBF
仓库库存编号:
IRF8714GPBF-ND
别名:SP001551628
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 14A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF8721GPBF
仓库库存编号:
IRF8721GPBF-ND
别名:SP001555790
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 14V 11A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 14V 11A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7220GTRPBF
仓库库存编号:
IRF7220GTRPBFCT-ND
别名:IRF7220GTRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),
无铅
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