产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 250W（Tc） TO-220-3
型号：
CSD18532KCS
仓库库存编号：
296-34941-5-ND
别名：296-34941-5
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 8.8A SGL DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 8.8A（Ta），41A（Tc） 1.37W（Ta），29.4W（Tc） DPAK
型号：
NTD4909NT4G
仓库库存编号：
NTD4909NT4GOSCT-ND
别名：NTD4909NT4GOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 42W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD090N03LGATMA1
仓库库存编号：
IPD090N03LGATMA1CT-ND
别名：IPD090N03LGATMA1CT
IPD090N03LGINCT
IPD090N03LGINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 53A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta），53A（Tc） 2.5W（Ta），35W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC080N03LSGATMA1
仓库库存编号：
BSC080N03LSGATMA1CT-ND
别名：BSC080N03LSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC080N03LSGINCT
BSC080N03LSGINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 6A PWRPK CHPFET
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A 10.4W Surface Mount PowerPAK? ChipFet Dual
型号：
SI5936DU-T1-GE3
仓库库存编号：
SI5936DU-T1-GE3CT-ND
别名：SI5936DU-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 11.9A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 11.9A（Ta） 770mW（Ta），33W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS4C05NT1G
仓库库存编号：
NTMFS4C05NT1GOSCT-ND
别名：NTMFS4C05NT1GOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 58A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 58A（Tc） 3.6W（Ta），31.2W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIRA14DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIRA14DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIRA14DP-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 9.3A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 9.3A（Ta），53A（Tc） 920mW（Ta），30W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS4939NT1G
仓库库存编号：
NTMFS4939NT1GOSCT-ND
别名：NTMFS4939NT1GOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 11.6A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 11.6A（Ta），79A（Tc） 920mW（Ta），43W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS4936NT1G
仓库库存编号：
NTMFS4936NT1GOSCT-ND
别名：NTMFS4936NT1GOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），50W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
BSZ050N03LSGATMA1
仓库库存编号：
BSZ050N03LSGATMA1CT-ND
别名：BSZ050N03LSGINCT
BSZ050N03LSGINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 17A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 30W（Tc） D-Pak
型号：
STD18NF03L
仓库库存编号：
497-7961-1-ND
别名：497-7961-1
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 93A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta），93A（Tc） 2.5W（Ta），57W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC042N03LSGATMA1
仓库库存编号：
BSC042N03LSGATMA1CT-ND
别名：BSC042N03LSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC042N03LSGINCT
BSC042N03LSGINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC030N03LSGATMA1
仓库库存编号：
BSC030N03LSGATMA1CT-ND
别名：BSC030N03LS GCT
BSC030N03LS GCT-ND
BSC030N03LSGATMA1CT-NDTR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 79W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD040N03LGATMA1
仓库库存编号：
IPD040N03LGATMA1CT-ND
别名：IPD040N03LGINCT
IPD040N03LGINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
BSZ035N03LSGATMA1
仓库库存编号：
BSZ035N03LSGATMA1CT-ND
别名：BSZ035N03LSGATMA1CT
BSZ035N03LSGINCT
BSZ035N03LSGINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SIS456DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SIS456DN-T1-GE3CT-ND
别名：SIS456DN-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 17.2A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF8113TRPBF
仓库库存编号：
IRF8113PBFCT-ND
别名：*IRF8113TRPBF
IRF8113PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 30A 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 3.6W（Ta），39W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SISA10DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SISA10DN-T1-GE3CT-ND
别名：SISA10DN-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 40A 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SISA04DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SISA04DN-T1-GE3CT-ND
别名：SISA04DN-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual), Schottky 30V 10.3A, 17.9A 1.1W, 1.2W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
型号：
NTMFD4901NFT1G
仓库库存编号：
NTMFD4901NFT1GOSCT-ND
别名：NTMFD4901NFT1GOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 46A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 46A（Tc） 3.5W（Ta），7.8W（Tc） 8-SO
型号：
SI4136DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4136DY-T1-GE3CT-ND
别名：SI4136DY-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 60A POLARPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.2W（Ta），125W（Tc） 10-PolarPAK?（L）
型号：
SIE868DF-T1-GE3
仓库库存编号：
SIE868DF-T1-GE3CT-ND
别名：SIE868DF-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 39A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta），39A（Tc） 2.5W（Ta），28W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC120N03LSGATMA1
仓库库存编号：
BSC120N03LSGATMA1CT-ND
别名：BSC120N03LSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC120N03LSGINCT
BSC120N03LSGINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 7.3A 8WDFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.3A（Ta），37A（Tc） 810mW（Ta），20.8W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
型号：
NTTFS4928NTAG
仓库库存编号：
NTTFS4928NTAGOSCT-ND
别名：NTTFS4928NTAGOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 48A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta），48A（Tc） 2.5W（Ta），32W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC090N03LSGATMA1
仓库库存编号：
BSC090N03LSGATMA1CT-ND
别名：BSC090N03LSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC090N03LSGINCT
BSC090N03LSGINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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