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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V SAWN BARE DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 1A（Tj） 带箔切割晶片
  
  型号：IPC022N03L3X1SA1
  仓库库存编号：IPC022N03L3X1SA1-ND
  别名：SP000904026
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 40A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 40A（Tc） 42W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD090N03LGBTMA1
  仓库库存编号：IPD090N03LGBTMA1-ND
  别名：SP000236950
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V SAWN BARE DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 2A（Tj） 带箔切割晶片
  
  型号：IPC028N03L3X1SA1
  仓库库存编号：IPC028N03L3X1SA1-ND
  别名：SP000555720
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 47W（Tc） PG-TO252-3-11
  
  型号：IPD075N03LGBTMA1
  仓库库存编号：IPD075N03LGBTMA1-ND
  别名：SP000249747
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 56W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD060N03LGBTMA1
  仓库库存编号：IPD060N03LGBTMA1-ND
  别名：SP000236948
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V SAWN BARE DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 1A（Tj） 带箔切割晶片
  
  型号：IPC042N03L3X1SA1
  仓库库存编号：IPC042N03L3X1SA1-ND
  别名：SP000448976
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD050N03LGATMA1
  仓库库存编号：IPD050N03LGATMA1CT-ND
  别名：IPD050N03LGINCT
  IPD050N03LGINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3-11
  
  型号：IPD050N03LGBTMA1
  仓库库存编号：IPD050N03LGBTMA1-ND
  别名：SP000254716
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 90A（Tc） 79W（Tc） PG-TO252-3-11
  
  型号：IPD040N03LGBTMA1
  仓库库存编号：IPD040N03LGBTMA1-ND
  别名：SP000254715
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V SAWN BARE DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 1A（Tj） 带箔切割晶片
  
  型号：IPC055N03L3X1SA1
  仓库库存编号：IPC055N03L3X1SA1-ND
  别名：SP000448980
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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  MOSFET N-CH 30V 50A TO-263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 68W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB055N03LGATMA1
  仓库库存编号：IPB055N03LGATMA1TR-ND
  别名：IPB055N03L G
  IPB055N03LGINTR
  IPB055N03LGINTR-ND
  IPB055N03LGXT
  SP000304110
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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  MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 90A（Tc） 94W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD031N03LGBTMA1
  仓库库存编号：IPD031N03LGBTMA1-ND
  别名：SP000236957
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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  MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 28A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），96W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC020N03LSGATMA1
  仓库库存编号：BSC020N03LSGATMA1CT-ND
  别名：BSC020N03LS GCT
  BSC020N03LS GCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 70A TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 70A（Tc） 79W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP042N03LGHKSA1
  仓库库存编号：IPP042N03LGHKSA1-ND
  别名：SP000256161
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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  MOSFET P-CH TO263-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 80A（Tc） 125W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB80P04P4L04ATMA1
  仓库库存编号：IPB80P04P4L04ATMA1-ND
  别名：SP000840196
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH TO220-3
  详细描述：通孔 P 沟道 40V 80A（Tc） 125W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP80P04P4L04AKSA1
  仓库库存编号：IPP80P04P4L04AKSA1-ND
  别名：SP000840200
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 90A TO251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 90A（Tc） 79W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPS040N03LGBKMA1
  仓库库存编号：IPS040N03LGBKMA1-ND
  别名：IPS040N03L G
  IPS040N03LG
  IPS040N03LGIN
  IPS040N03LGIN-ND
  SP000256159
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH TO262-3
  详细描述：通孔 P 沟道 40V 80A（Tc） 125W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：IPI80P04P4L04AKSA1
  仓库库存编号：IPI80P04P4L04AKSA1-ND
  别名：SP000840198
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 50A（Tc） 56W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP065N03LGXKSA1
  仓库库存编号：IPP065N03LGXKSA1-ND
  别名：IPP065N03L G
  IPP065N03LG
  IPP065N03LGIN
  IPP065N03LGIN-ND
  IPP065N03LGXK
  SP000254736
  SP000680818
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.2A, 1.8A 2W Surface Mount 8-SOIC
  
  型号：NTMC1300R2
  仓库库存编号：NTMC1300R2OS-ND
  别名：NTMC1300R2OS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N/P-CH 40V 6.6A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 40V 6.6A, 5.6A 3.1W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4565ADY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4565ADY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4565ADY-T1-E3CT
  SI4565ADYT1E3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N/P-CH 40V 5A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 40V 5A, 4.4A 2.75W, 2.95W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4567DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4567DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4567DY-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 40V 6.6A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 6.6A 3.1W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4906DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4906DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4906DY-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 40V 5A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 5A 2.75W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4908DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4908DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4908DY-T1-E3CT
  SI4908DYT1E3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 20A（Ta） 3W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：AO4714
  仓库库存编号：785-1052-1-ND
  别名：785-1052-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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