产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 75A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 75A(Tc) 136W(Tc) DPAK
型号:
PHD82NQ03LT,118
仓库库存编号:
PHD82NQ03LT,118-ND
别名:934057026118
PHD82NQ03LT /T3
PHD82NQ03LT /T3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 68.9A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 68.9A(Tc) 111W(Tc) TO-220AB
型号:
PHP63NQ03LT,127
仓库库存编号:
PHP63NQ03LT,127-ND
别名:934057022127
PHP63NQ03LT
PHP63NQ03LT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 75A(Tc) 120W(Tc) TO-220AB
型号:
PHP71NQ03LT,127
仓库库存编号:
PHP71NQ03LT,127-ND
别名:934057025127
PHP71NQ03LT
PHP71NQ03LT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 11.5A(Tc) 40W(Tc) P-TO220AB
型号:
BTS113ANKSA1
仓库库存编号:
BTS113ANKSA1-ND
别名:BTS113A
BTS113A-ND
SP000011187
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 11.5A(Tc) 40W(Tc) TO-220AB
型号:
BTS113AE3045ANTMA1
仓库库存编号:
BTS113AE3045ANTMA1TR-ND
别名:BTS113A E3045A
BTS113A E3045A-ND
BTS113AE3045AT
SP000011188
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 11.5A(Tc) 40W(Tc) P-TO220AB
型号:
BTS113AE3064NKSA1
仓库库存编号:
BTS113AE3064NKSA1-ND
别名:BTS113A E3064
BTS113A E3064-ND
BTS113AE3064
SP000011189
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA,
含铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 300mA(Ta) 830mW(Ta) TO-236AB(SOT23)
型号:
2N7002T,215
仓库库存编号:
2N7002T,215-ND
别名:2N7002T T/R
2N7002T T/R-ND
934055796215
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 100V 22A TO-220AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 22A(Tc) 95W(Tc) TO-220AB
型号:
BTS121AE3045ANTMA1
仓库库存编号:
BTS121AE3045ANTMA1CT-ND
别名:BTS121A E3045ACT
BTS121A E3045ACT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA,
无铅
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