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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N/P-CH 30V 7A/4.5A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 7A, 4.5A 2W Surface Mount 8-SOP
  
  型号：SP8M10FU6TB
  仓库库存编号：SP8M10FU6TB-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N/P-CH 30V 9A/5A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 9A, 5A 2W Surface Mount 8-SOP
  
  型号：SP8M9FU6TB
  仓库库存编号：SP8M9FU6TB-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 60V 2A MPT6
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 2A 2W Surface Mount MPT6
  
  型号：MP6K31TR
  仓库库存编号：MP6K31CT-ND
  别名：MP6K31CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 10A MPT6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 10A（Ta） 2W（Ta） MPT6
  
  型号：RP1E100RPTR
  仓库库存编号：RP1E100RPCT-ND
  别名：RP1E100RPCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 5A SOP8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 5A（Ta） 650mW（Ta） 8-SOP
  
  型号：RRH050P03TB1
  仓库库存编号：RRH050P03TB1CT-ND
  别名：RRH050P03TB1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V SO-8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13.2A（Ta），117A（Tc） 930mW（Ta），73.5W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4898NFT1G
  仓库库存编号：NTMFS4898NFT1GOSCT-ND
  别名：NTMFS4898NFT1GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 3.3W, 3.1W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4622DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4622DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4622DY-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 3.3W, 3.1W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4622DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4622DY-T1-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12A（Tc） 3W（Ta），6.25W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4646DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4646DY-T1-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12A（Tc） 3W（Ta），6.25W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4646DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4646DY-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 171A SO-8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 17A（Ta），171A（Tc） 950mW（Ta），96.2W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4825NFET1G
  仓库库存编号：NTMFS4825NFET1GOSCT-ND
  别名：NTMFS4825NFET1GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET P-CH 60V 100A TO-263
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 100A（Tc） 1.8W（Ta），200W（Tc） TO-263
  
  型号：NP100P06PDG-E1-AY
  仓库库存编号：NP100P06PDG-E1-AY-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET P-CH 60V 100A TO-263
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 100A（Tc） 1.8W（Ta），200W（Tc） TO-263
  
  型号：NP100P06PLG-E1-AY
  仓库库存编号：NP100P06PLG-E1-AY-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET P-CH 40V 36A TO-263
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 36A（Tc） 1.8W（Ta），56W（Tc） TO-263
  
  型号：NP36P04KDG-E1-AY
  仓库库存编号：NP36P04KDG-E1-AY-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET P-CH 40V 50A TO-263
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 50A（Tc） 1.8W（Ta），90W（Tc） TO-263
  
  型号：NP50P04KDG-E1-AY
  仓库库存编号：NP50P04KDG-E1-AY-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET P-CH 60V 50A TO-263
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 50A（Tc） 1.8W（Ta），90W（Tc） TO-263
  
  型号：NP50P06KDG-E1-AY
  仓库库存编号：NP50P06KDG-E1-AY-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 6A VS6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 6A（Ta） 700mW（Ta） VS-6（2.9x2.8）
  
  型号：TPC6011(TE85L,F,M)
  仓库库存编号：TPC6011(TE85LFM)-ND
  别名：TPC6011(TE85LFM)
  TPC6011TE85LFM
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET P-CH 40V 100A TO-263
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 100A（Tc） 1.8W（Ta），200W（Tc） TO-263
  
  型号：NP100P04PLG-E1-AY
  仓库库存编号：NP100P04PLG-E1-AYTR-ND
  别名：NP100P04PLG-E1-AY-ND
  NP100P04PLG-E1-AYTR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET P-CH 60V 36A TO-263
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 36A（Tc） 1.8W（Ta），56W（Tc） TO-263
  
  型号：NP36P06KDG-E1-AY
  仓库库存编号：NP36P06KDG-E1-AYCT-ND
  别名：NP36P06KDG-E1-AYCT
  NP36P06KDGE1AY
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET P-CH 40V 83A TO-263
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 83A（Tc） 1.8W（Ta），150W（Tc） TO-263
  
  型号：NP83P04PDG-E1-AY
  仓库库存编号：NP83P04PDG-E1-AYCT-ND
  别名：NP83P04PDG-E1-AYCT
  NP83P04PDGE1AY
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET P-CH 60V 83A TO-263
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 83A（Tc） 1.8W（Ta），150W（Tc） TO-263
  
  型号：NP83P06PDG-E1-AY
  仓库库存编号：NP83P06PDG-E1-AYCT-ND
  别名：NP83P06PDG-E1-AYCT
  NP83P06PDGE1AY
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 30V 3.5A MPT6
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.5A 2W Surface Mount MPT6
  
  型号：MP6K11TCR
  仓库库存编号：MP6K11TCRCT-ND
  别名：MP6K11TCRCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 30V 5A MPT6
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5A 2W Surface Mount MPT6
  
  型号：MP6K12TCR
  仓库库存编号：MP6K12TCRCT-ND
  别名：MP6K12TCRCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 30V 6A MPT6
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A 2W Surface Mount MPT6
  
  型号：MP6K13TCR
  仓库库存编号：MP6K13TCRCT-ND
  别名：MP6K13TCRCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 30V 8A MPT6
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 2W Surface Mount MPT6
  
  型号：MP6K14TCR
  仓库库存编号：MP6K14TCRCT-ND
  别名：MP6K14TCRCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA,
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