产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P CH 20V 6A UF6
详细描述:表面贴装 P 沟道 6A(Ta) 1W(Ta) UF6
型号:
SSM6J414TU,LF
仓库库存编号:
SSM6J414TULFCT-ND
别名:SSM6J414TU,LFCT
SSM6J414TULF(TCT
SSM6J414TULF(TCT-ND
SSM6J414TULFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA,
无铅
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Panasonic Electronic Components
MOSFET P-CH 12V 4A WSMINI6
详细描述:表面贴装 P 沟道 4A(Ta) 700mW(Ta) WS迷你型6-F1-B
型号:
MTM761110LBF
仓库库存编号:
MTM761110LBFCT-ND
别名:MTM761110LBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.8A(Ta) 500mW(Ta) UFM
型号:
SSM3J114TU(T5L,T)
仓库库存编号:
SSM3J114TU(T5LT)CT-ND
别名:SSM3J114TU(T5LT)CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 2A WEMT6
详细描述:表面贴装 P 沟道 2A(Ta) 700mW(Ta) 6-WEMT
型号:
RW1A020ZPT2R
仓库库存编号:
RW1A020ZPT2RCT-ND
别名:RW1A020ZPT2RCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 2A CST3B
详细描述:表面贴装 P 沟道 2A(Ta) CST3B
型号:
SSM3J46CTB(TPL3)
仓库库存编号:
SSM3J46CTB(TPL3)CT-ND
别名:SSM3J46CTB(TPL3)CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 1.5A UFV
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.5A(Ta) 500mW(Ta) UFV
型号:
SSM5G10TU(TE85L,F)
仓库库存编号:
SSM5G10TU(TE85LF)CT-ND
别名:SSM5G10TU(TE85LF)CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 20V, 12V 1.5A, 1.3A 1W Surface Mount UMT6
型号:
US6M11TR
仓库库存编号:
US6M11CT-ND
别名:US6M11CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 7.5A TSMT8
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.5A(Ta) 700mW(Ta) TSMT8
型号:
RQ1C075UNTR
仓库库存编号:
RQ1C075UNCT-ND
别名:RQ1C075UNTRCT
RQ1C075UNTRCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P CH 12V 12A UDFN6B
详细描述:表面贴装 P 沟道 12A(Ta) 1.25W(Ta) 6-UDFNB(2x2)
型号:
SSM6J505NU,LF
仓库库存编号:
SSM6J505NULFCT-ND
别名:SSM6J505NULFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 5.5A VS-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.5A(Ta) 700mW(Ta) VS-6(2.9x2.8)
型号:
TPC6111(TE85L,F,M)
仓库库存编号:
TPC6111(TE85LFM)CT-ND
别名:TPC6111(TE85LFM)CT
TPC6111TE85LFCT
TPC6111TE85LFCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET 2P-CH 12V 5.5A TSMT8
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 5.5A 1.25W Surface Mount TSMT8
型号:
QS8J13TR
仓库库存编号:
QS8J13CT-ND
别名:QS8J13TRCT
QS8J13TRCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA,
无铅
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Panasonic Electronic Components
MOSFET 2P-CH 12V 4.8A WMINI8-F1
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 4.8A 1W Surface Mount WMini8-F1
型号:
MTM684110LBF
仓库库存编号:
MTM684110LBFCT-ND
别名:MTM684110LBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 5A TSMT6
详细描述:表面贴装 P 沟道 5A(Ta) 600mW(Ta) TSMT6(SC-95)
型号:
RZQ050P01TR
仓库库存编号:
RZQ050P01CT-ND
别名:RZQ050P01CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA,
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 10A 8SOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Ta) 2W(Ta) 8-SOP
型号:
RUS100N02TB
仓库库存编号:
RUS100N02TBCT-ND
别名:RUS100N02TBCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA,
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Microchip Technology
MOSFET P-CH 16.5V 0.5A TO92-3
详细描述:通孔 P 沟道 500mA(Tj) 1W(Tc) TO-92
型号:
LP0701N3-G
仓库库存编号:
LP0701N3-G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA,
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 0.2A EMT3
详细描述:表面贴装 N 沟道 200mA(Ta) 150mW(Ta) EMT3F(SOT-416FL)
型号:
RE1C002UNTCL
仓库库存编号:
RE1C002UNTCLCT-ND
别名:RE1C002UNTCLCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA,
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 0.2A UMT3F
详细描述:表面贴装 N 沟道 200mA(Ta) 150mW(Ta) UMT3F
型号:
RU1C002UNTCL
仓库库存编号:
RU1C002UNTCLCT-ND
别名:RU1C002UNTCLCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 20V 0.8A SSM
详细描述:表面贴装 N 沟道 800mA(Ta) 150mW(Ta) SSM
型号:
SSM3K56FS,LF
仓库库存编号:
SSM3K56FSLFCT-ND
别名:SSM3K56FSLF(TCT
SSM3K56FSLF(TCT-ND
SSM3K56FSLFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET 2P-CH 20V 0.72A ES6
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 720mA 150mW Surface Mount ES6 (1.6x1.6)
型号:
SSM6P41FE(TE85L,F)
仓库库存编号:
SSM6P41FE(TE85LF)CT-ND
别名:SSM6P41FE(TE85LF)CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A US6
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 20V 180mA, 100mA 200mW Surface Mount US6
型号:
SSM6L35FU(TE85L,F)
仓库库存编号:
SSM6L35FU(TE85LF)CT-ND
别名:SSM6L35FU(TE85LF)CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 20V 0.18A VESM
详细描述:表面贴装 N 沟道 180mA(Ta) 150mW(Ta) VESM
型号:
SSM3K35MFV(TPL3)
仓库库存编号:
SSM3K35MFV(TPL3)CT-ND
别名:SSM3K35MFV(TPL3)CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 5A TSM
详细描述:表面贴装 P 沟道 5A(Ta) 700mW(Ta) TSM
型号:
SSM3J307T(TE85L,F)
仓库库存编号:
SSM3J307T(TE85LF)CT-ND
别名:SSM3J307T(TE85LF)CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 20V 1.4A CST3
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.4A(Ta) 500mW(Ta) CST3
型号:
SSM3K56ACT,L3F
仓库库存编号:
SSM3K56ACTL3FCT-ND
别名:SSM3K56ACTL3FCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.8A(Ta) 500mW(Ta) UFM
型号:
SSM3J114TU(TE85L)
仓库库存编号:
SSM3J114TU(TE85L)CT-ND
别名:SSM3J114TU(TE85L)CT
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 2.5A TUMT6
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.5A(Ta) 1W(Ta) TUMT6
型号:
RZL025P01TR
仓库库存编号:
RZL025P01CT-ND
别名:RZL025P01CT
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