产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 20V 500MA VESM
详细描述:表面贴装 N 沟道 500mA(Ta) 150mW(Ta) VESM
型号:
SSM3K36MFV,L3F
仓库库存编号:
SSM3K36MFVL3FCT-ND
别名:SSM3K36MFV(TL3T)CT
SSM3K36MFV(TL3T)CT-ND
SSM3K36MFV(TPL3)CT
SSM3K36MFV(TPL3)CT-ND
SSM3K36MFVL3FCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F
详细描述:表面贴装 P 沟道 6A(Ta) 1W(Ta) SOT-23F
型号:
SSM3J328R,LF
仓库库存编号:
SSM3J328RLFCT-ND
别名:SSM3J328RLF(ACT
SSM3J328RLF(ACT-ND
SSM3J328RLF(TCT
SSM3J328RLF(TCT-ND
SSM3J328RLFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 300MA VMT3
详细描述:表面贴装 N 沟道 300mA(Ta) 150mW(Ta) VMT3
型号:
RUM003N02T2L
仓库库存编号:
RUM003N02T2LCT-ND
别名:RUM003N02T2LCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 30V 3.5A 2-3Z1A
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.5A(Ta) 1W(Ta) SOT-23F
型号:
SSM3K329R,LF
仓库库存编号:
SSM3K329RLFCT-ND
别名:SSM3K329RLFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 12V 6A SOT23F
详细描述:表面贴装 P 沟道 6A(Ta) 1W(Ta) SOT-23F
型号:
SSM3J338R,LF
仓库库存编号:
SSM3J338RLFTR-ND
别名:SSM3J338R,LF(B
SSM3J338R,LF(T
SSM3J338RLFTR
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 12V 6A SOT23F
详细描述:表面贴装 P 沟道 6A(Ta) 1W(Ta) SOT-23F
型号:
SSM3J338R,LF
仓库库存编号:
SSM3J338RLFCT-ND
别名:SSM3J338RLFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 12V 6A SOT23F
详细描述:表面贴装 P 沟道 6A(Ta) 1W(Ta) SOT-23F
型号:
SSM3J338R,LF
仓库库存编号:
SSM3J338RLFDKR-ND
别名:SSM3J338RLFDKR
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 20V 6A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Ta) 1.4W(Ta) SOT-23-3L
型号:
AO3420
仓库库存编号:
785-1014-1-ND
别名:785-1014-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 20V 4.2A UFM
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.2A(Ta) 500mW(Ta) UFM
型号:
SSM3K123TU,LF
仓库库存编号:
SSM3K123TULFCT-ND
别名:SSM3K123TU(T5LT)CT
SSM3K123TU(T5LT)CT-ND
SSM3K123TU(TE85L)CT
SSM3K123TU(TE85L)CT-ND
SSM3K123TULFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N/P-CH 20V 0.2A EMT6
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 20V 200mA 150mW Surface Mount EMT6
型号:
EM6M2T2R
仓库库存编号:
EM6M2T2RCT-ND
别名:EM6M2T2RCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET NCH 20V 200MA SSM
详细描述:表面贴装 N 沟道 200mA(Ta) 100mW(Ta) SSM
型号:
SSM3K37FS,LF
仓库库存编号:
SSM3K37FSLFCT-ND
别名:SSM3K37FSLFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 20V 0.25A VESM
详细描述:表面贴装 N 沟道 250mA(Ta) 150mW(Ta) VESM
型号:
SSM3K37MFV,L3F
仓库库存编号:
SSM3K37MFVL3FCT-ND
别名:SSM3K37MFVL3F(TCT
SSM3K37MFVL3F(TCT-ND
SSM3K37MFVL3FCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 50V 0.2A SST3
详细描述:表面贴装 N 沟道 200mA(Ta) 200mW(Ta) SST3
型号:
RUC002N05T116
仓库库存编号:
RUC002N05T116CT-ND
别名:RUC002N05T116CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA,
无铅
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Micro Commercial Co
MOSFET N-CH 60V 340MA SOT-23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 340mA(Ta) 350mW(Ta) SOT-23
型号:
2N7002K-TP
仓库库存编号:
2N7002K-TPMSCT-ND
别名:2N7002K-TPMSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 0.33A SSM
详细描述:表面贴装 P 沟道 330mA(Ta) 150mW(Ta) SSM
型号:
SSM3J36FS,LF
仓库库存编号:
SSM3J36FSLFCT-ND
别名:SSM3J36FS(T5LFT)CT
SSM3J36FS(T5LFT)CT-ND
SSM3J36FSLFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 0.2A VMT3
详细描述:表面贴装 N 沟道 200mA(Ta) 150mW(Ta) VMT3
型号:
RUM002N02T2L
仓库库存编号:
RUM002N02T2LCT-ND
别名:RUM002N02T2LCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA,
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 1A VML1006
详细描述:表面贴装 N 沟道 1A(Ta) 400mW(Ta) VML1006
型号:
RV2C010UNT2L
仓库库存编号:
RV2C010UNT2LCT-ND
别名:RV2C010UNT2LCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 20V .2A EMT3
详细描述:表面贴装 N 沟道 200mA(Ta) 150mW(Ta) EMT3
型号:
RUE002N02TL
仓库库存编号:
RUE002N02TLCT-ND
别名:RUE002N02TLCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.9A(Ta) 1W(Ta) SOT-23F
型号:
SSM3J327R,LF
仓库库存编号:
SSM3J327RLFCT-ND
别名:SSM3J327RLFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 20V 0.8A VESM
详细描述:表面贴装 N 沟道 800mA(Ta) 150mW(Ta) VESM
型号:
SSM3K56MFV,L3F
仓库库存编号:
SSM3K56MFVL3FCT-ND
别名:SSM3K56MFVL3FCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA,
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 300MA EMT3
详细描述:表面贴装 N 沟道 300mA(Ta) 150mW(Ta) EMT3
型号:
RUE003N02TL
仓库库存编号:
RUE003N02TLCT-ND
别名:RUE003N02TLCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET 2N-CH 20V 0.8A
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 800mA 150mW Surface Mount ES6
型号:
SSM6N56FE,LM
仓库库存编号:
SSM6N56FELMCT-ND
别名:SSM6N56FELMCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA,
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 2A TUMT3
详细描述:表面贴装 N 沟道 2A(Ta) 320mW(Ta) TUMT3
型号:
RUF020N02TL
仓库库存编号:
RUF020N02TLCT-ND
别名:RUF020N02TLCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 5.5A
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.5A(Ta) 500mW(Ta) UFM
型号:
SSM3J133TU,LF
仓库库存编号:
SSM3J133TULFCT-ND
别名:SSM3J133TULFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4A 1W Surface Mount 6-UDFN (2x2)
型号:
SSM6N58NU,LF
仓库库存编号:
SSM6N58NULFCT-ND
别名:SSM6N58NULFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA,
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