产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA,
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分立半导体产品
分立半导体产品
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 5.3A(Tc) 104W(Tc) TO-252AA
型号:
SIHD5N50D-GE3
仓库库存编号:
SIHD5N50D-GE3TR-ND
别名:SIHD5N50D-GE3TR
SIHD5N50DGE3
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 10A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 10A(Tc) 208W(Tc) TO-220
型号:
AOT10T60L
仓库库存编号:
785-1635-5-ND
别名:785-1635-5
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 10A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 10A(Tc) 43W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF10T60
仓库库存编号:
785-1637-5-ND
别名:785-1637-5
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 21A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 600V 21A(Tc) 330W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP21N60L
仓库库存编号:
IRFP21N60L-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 22A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 600V 22A(Tc) 370W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP22N60K
仓库库存编号:
IRFP22N60K-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 26A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 600V 26A(Tc) 470W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP26N60L
仓库库存编号:
IRFP26N60L-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 38A SUPER247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 38A(Tc) 540W(Tc) SUPER-247(TO-274AA)
型号:
IRFPS38N60L
仓库库存编号:
IRFPS38N60L-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 40A SUPER247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 40A(Tc) 570W(Tc) SUPER-247(TO-274AA)
型号:
IRFPS40N60K
仓库库存编号:
IRFPS40N60K-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 6A(Tc) 89W(Tc) D-Pak
型号:
FDD6N50TM
仓库库存编号:
FDD6N50TM-5-ND
别名:FDD6N50TM-5
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 4A TO-252
详细描述:通孔 N 沟道 600V 4A(Tc) 125W(Tc) TO-251A
型号:
AOI4C60
仓库库存编号:
785-1648-5-ND
别名:785-1648-5
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 11A TO-262F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 11A(Tc) 28W(Tc) TO-262F
型号:
AOWF11C60
仓库库存编号:
785-1656-5-ND
别名:785-1656-5
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 2A
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 2A(Tc) 52W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD2C60
仓库库存编号:
785-1662-1-ND
别名:785-1662-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 4A TO251A
详细描述:通孔 N 沟道 600V 4A(Tc) 83W(Tc) TO-251A
型号:
AOI4T60
仓库库存编号:
AOI4T60-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 20A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 600V 20A(Tc) 463W(Tc) TO-262
型号:
AOW20C60
仓库库存编号:
AOW20C60-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 12A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 12A(Tc) 250W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
AOB12T60PL
仓库库存编号:
785-1700-1-ND
别名:785-1700-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 250V 8A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 8A(Tc) 52W(Tc) D-Pak
型号:
GP1M008A025CG
仓库库存编号:
GP1M008A025CG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 250V 8A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 250V 8A(Tc) 17.3W(Tc) TO-220F
型号:
GP1M008A025FG
仓库库存编号:
GP1M008A025FG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 250V 8A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 250V 8A(Tc) 52W(Tc) TO-220
型号:
GP1M008A025HG
仓库库存编号:
GP1M008A025HG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA,
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 8A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 500V 8A(Tc) 120W(Tc) I-Pak
型号:
GP1M008A050PG
仓库库存编号:
GP1M008A050PG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA,
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 9A(Tc) 52W(Tc) D-Pak
型号:
GP1M009A020CG
仓库库存编号:
GP1M009A020CG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA,
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 200V 9A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 200V 9A(Tc) 52W(Tc) TO-220
型号:
GP1M009A020HG
仓库库存编号:
GP1M009A020HG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA,
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 200V 9A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 200V 9A(Tc) 52W(Tc) I-Pak
型号:
GP1M009A020PG
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GP1M009A020PG-ND
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 250V 16A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 250V 16A(Tc) 93.9W(Tc) I-Pak
型号:
GP1M016A025PG
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GP1M016A025PG-ND
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 200V 18A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 18A(Tc) 94W(Tc) D-Pak
型号:
GP1M018A020CG
仓库库存编号:
GP1M018A020CG-ND
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 200V 18A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 200V 18A(Tc) 30.4W(Tc) TO-220F
型号:
GP1M018A020FG
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