产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT323
详细描述：表面贴装 N 沟道 300mA（Ta） 300mW（Ta） SOT-323
型号：
DMN65D8LW-7
仓库库存编号：
DMN65D8LW-7DICT-ND
别名：DMN65D8LW-7DICT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 1.1A SSOT3
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.1A（Ta） 500mW（Ta） SuperSOT-3
型号：
NDS351N
仓库库存编号：
NDS351NCT-ND
别名：NDS351NCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8VDFN
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.5A 770mW Surface Mount V-DFN3020-8
型号：
DMN3035LWN-7
仓库库存编号：
DMN3035LWN-7DICT-ND
别名：DMN3035LWN-7DICT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Micro Commercial Co
N-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE
详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Ta） 350mW（Ta） SOT-23
型号：
SI2310-TP
仓库库存编号：
SI2310-TPMSCT-ND
别名：SI2310-TPMSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 7.62A DFN3030-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.62A（Ta） 990mW（Ta） U-DFN3030-8
型号：
DMG4468LFG-7
仓库库存编号：
DMG4468LFG-7DICT-ND
别名：DMG4468LFG-7DICT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P CH 30V 4.8A 8-SO
详细描述：表面贴装 P 沟道 4.8A（Ta） 1.7W（Ta） 8-SO
型号：
DMP3050LSS-13
仓库库存编号：
DMP3050LSS-13DICT-ND
别名：DMP3050LSS-13DICT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 30V 7.3A 8VDFN
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 7.3A 1.1W Surface Mount V-DFN3030-8 (Type J)
型号：
DMN3016LDN-7
仓库库存编号：
DMN3016LDN-7DICT-ND
别名：DMN3016LDN-7DICT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 3A SC70
详细描述：表面贴装 P 沟道 3A（Tc） 3W（Tc） SC-70-6（SOT-363）
型号：
SQ1431EH-T1_GE3
仓库库存编号：
SQ1431EH-T1_GE3CT-ND
别名：SQ1431EH-T1-GE3CT
SQ1431EH-T1-GE3CT-ND
SQ1431EH-T1_GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 1.6A SSOT3
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.6A（Ta） 500mW（Ta） SuperSOT-3
型号：
NDS355N
仓库库存编号：
NDS355NCT-ND
别名：NDS355NCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 11A 8-HUML
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta） 2W（Ta） HUML2020L8
型号：
RF4E110BNTR
仓库库存编号：
RF4E110BNTRCT-ND
别名：RF4E110BNTRCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 30V/8V 8SOIC
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 30V, 8V 12A, 8A 4.5W, 3.1W Surface Mount 8-SOIC
型号：
SI4501BDY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4501BDY-T1-GE3CT-ND
别名：SI4501BDY-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta） 1.5W（Ta） DPAK
型号：
NVD3055L170T4G-VF01
仓库库存编号：
NVD3055L170T4G-VF01CT-ND
别名：NVD3055L170T4G-VF01CT
NVD3055L170T4GOSCT
NVD3055L170T4GOSCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N/P-CH 20V 7.3A/5A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 20V 2W Surface Mount 8-SOIC
型号：
AO4622
仓库库存编号：
785-1046-1-ND
别名：785-1046-1
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 17A/31A TISON8
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 17A, 31A 1W Surface Mount PG-TISON-8
型号：
BSC0921NDIATMA1
仓库库存编号：
BSC0921NDIATMA1CT-ND
别名：BSC0921NDIATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 12A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOP
型号：
DMP3020LSS-13
仓库库存编号：
DMP3020LSSDICT-ND
别名：DMP3020LSSDICT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.5W（Ta），28W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS5C468NLT1G
仓库库存编号：
NTMFS5C468NLT1GOSCT-ND
别名：NTMFS5C468NLT1GOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS 41V 60V POWERDI5060
详细描述：表面贴装 N 沟道 11.76A (Ta)，89.5A (Tc) 2.8W（Ta）, 136W（Tc） PowerDI5060-8
型号：
DMTH6009LPS-13
仓库库存编号：
DMTH6009LPS-13DICT-ND
别名：DMTH6009LPS-13DICT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 41V 60V,SO-8,T&R,2
详细描述：表面贴装 N 沟道 9.8A（Ta） 1.25W（Ta） 8-SO
型号：
DMT69M8LSS-13
仓库库存编号：
DMT69M8LSS-13DICT-ND
别名：DMT69M8LSS-13DICT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 91A SO-8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 12.7A（Ta），91A（Tc） 930mW（Ta），48W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS4923NET1G
仓库库存编号：
NTMFS4923NET1GOSCT-ND
别名：NTMFS4923NET1GOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR014TRPBF
仓库库存编号：
IRLR014PBFCT-ND
别名：*IRLR014TRPBF
IRLR014PBFCT
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 7A 8-HUML
详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Ta） 2W（Ta） HUML2020L8
型号：
RF4E070BNTR
仓库库存编号：
RF4E070BNTRCT-ND
别名：RF4E070BNTRCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 23A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Tc） 83W（Tc） DPAK
型号：
NTD6415ANLT4G
仓库库存编号：
NTD6415ANLT4GOSCT-ND
别名：NTD6415ANLT4GOSCT
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 5.5A SSOT-6
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.5A（Ta） 1.6W（Ta） SuperSOT?-6
型号：
FDC645N
仓库库存编号：
FDC645NCT-ND
别名：FDC645NCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 3.8A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.8A（Tc） 2.5W（Ta），37W（Tc） D-Pak
型号：
FQD5N20LTM
仓库库存编号：
FQD5N20LTMCT-ND
别名：FQD5N20LTMCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 2.5W（Ta），55W（Tc） D-Pak
型号：
FQD12N20LTM
仓库库存编号：
FQD12N20LTMCT-ND
别名：FQD12N20LTMCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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