产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 71A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 15A（Ta），71A（Tc） 2.5W（Ta），45W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC057N03MSGATMA1
仓库库存编号：
BSC057N03MSGATMA1CT-ND
别名：BSC057N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC057N03MSGINCT
BSC057N03MSGINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 240V 200MA TO236
详细描述：表面贴装 N 沟道 240V 200mA（Ta） 360mW（Ta）
型号：
TN2404K-T1-GE3
仓库库存编号：
TN2404K-T1-GE3CT-ND
别名：TN2404K-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 20A, 60A 27W, 48W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual Asymmetric
型号：
SQJ200EP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJ200EP-T1_GE3CT-ND
别名：SQJ200EP-T1_GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 15A（Ta），80A（Tc） 2.2W（Ta）, 62.5W（Tc） PowerDI3333-8
型号：
DMT6007LFG-7
仓库库存编号：
DMT6007LFG-7DICT-ND
别名：DMT6007LFG-7DICT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 3.6W（Ta）, 50W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS5C460NLT1G
仓库库存编号：
NTMFS5C460NLT1GOSCT-ND
别名：NTMFS5C460NLT1GOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 13A 8-SO
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 13A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
DMP3015LSSQ-13
仓库库存编号：
DMP3015LSSQ-13DICT-ND
别名：DMP3015LSSQ-13DICT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 3.6W（Ta）, 55W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS5C456NLT1G
仓库库存编号：
NTMFS5C456NLT1GOSCT-ND
别名：NTMFS5C456NLT1GOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 16A WDFN8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 16A（Ta），70A（Tc） 3.2W（Ta），63W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
型号：
NTTFS5C670NLTAG
仓库库存编号：
NTTFS5C670NLTAGOSCT-ND
别名：NTTFS5C670NLTAGOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 12V 20A/60A PPAK SO
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 12V 20A, 60A 27W, 48W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual Asymmetric
型号：
SQJ202EP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJ202EP-T1_GE3CT-ND
别名：SQJ202EP-T1_GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR640ADP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR640ADP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR640ADP-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 4.3A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 4.3A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） TO-251AA
型号：
IRLU110PBF
仓库库存编号：
IRLU110PBF-ND
别名：*IRLU110PBF
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 14A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） TO-251AA
型号：
IRLU024PBF
仓库库存编号：
IRLU024PBF-ND
别名：*IRLU024PBF
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 3.7W（Ta），150W（Tc） D2PAK
型号：
IRLZ44SPBF
仓库库存编号：
IRLZ44SPBF-ND
别名：*IRLZ44SPBF
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 34V 9A 8TSDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta），36A（Tc） 2.1W（Ta），25W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
BSZ0909NSATMA1
仓库库存编号：
BSZ0909NSATMA1CT-ND
别名：BSZ0909NSCT
BSZ0909NSCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 11A TO252-3L
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta） 1.68W（Ta） TO-252-3
型号：
DMG8880LK3-13
仓库库存编号：
DMG8880LK3-13DICT-ND
别名：DMG8880LK3-13DICT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-SOT26
详细描述：表面贴装 N 沟道 6.6A（Ta） 1.2W（Ta） TSOT-26
型号：
DMN3026LVT-7
仓库库存编号：
DMN3026LVT-7DICT-ND
别名：DMN3026LVT-7DICT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 130mA（Ta） 225mW（Ta） SOT-23-3
型号：
BVSS84LT1G
仓库库存编号：
BVSS84LT1GOSCT-ND
别名：BVSS84LT1GOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT323
详细描述：表面贴装 N 沟道 115mA（Ta） 200mW（Ta） SOT-323
型号：
DMN66D0LW-7
仓库库存编号：
DMN66D0LW-7DICT-ND
别名：DMN66D0LW-7DICT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.6A（Ta） 770mW（Ta） SOT-23
型号：
DMG3406L-7
仓库库存编号：
DMG3406L-7DICT-ND
别名：DMG3406L-7DICT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 4.2A SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.2A（Ta） 780mW（Ta） SOT-23
型号：
DMG3404L-7
仓库库存编号：
DMG3404L-7DICT-ND
别名：DMG3404L-7DICT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 20A 8WISON
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 20A (Tc) 17W Surface Mount PG-WISON-8
型号：
BSZ0909NDXTMA1
仓库库存编号：
BSZ0909NDXTMA1CT-ND
别名：BSZ0909NDXTMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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Diodes Incorporated
MOSFET N CH 30V 7.2A 8-SO
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.2A（Ta） 1.4W（Ta） 8-SO
型号：
DMN3025LSS-13
仓库库存编号：
DMN3025LSS-13DICT-ND
别名：DMN3025LSS-13DICT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26
详细描述：表面贴装 N 沟道 6.6A（Ta） 1.2W（Ta） TSOT-26
型号：
DMN3026LVTQ-7
仓库库存编号：
DMN3026LVTQ-7DICT-ND
别名：DMN3026LVTQ-7DICT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 10.8A PWRDI8
详细描述：表面贴装 N 沟道 10.8A（Ta） 1.18W（Ta） PowerDI5060-8
型号：
DMN3016LPS-13
仓库库存编号：
DMN3016LPS-13DICT-ND
别名：DMN3016LPS-13DICT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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Diodes Incorporated
MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A 8SO
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 6.5A, 4.2A 1.2W Surface Mount 8-SO
型号：
DMC3025LSD-13
仓库库存编号：
DMC3025LSD-13DICT-ND
别名：DMC3025LSD-13DICT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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