产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 36A（Ta），180A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
型号：
BSB014N04LX3 G
仓库库存编号：
BSB014N04LX3 GCT-ND
别名：BSB014N04LX3 GCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 7.7A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） TO-251AA
型号：
IRLU014PBF
仓库库存编号：
IRLU014PBF-ND
别名：*IRLU014PBF
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 68W（Tc） TO-220AB
型号：
IRLZ34NPBF
仓库库存编号：
IRLZ34NPBF-ND
别名：*IRLZ34NPBF
SP001553290
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 48W（Tc） TO-220AB
型号：
IRL520NPBF
仓库库存编号：
IRL520NPBF-ND
别名：*IRL520NPBF
SP001558080
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 17A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 79W（Tc） TO-220AB
型号：
IRL530NPBF
仓库库存编号：
IRL530NPBF-ND
别名：*IRL530NPBF
64-0095PBF
64-0095PBF-ND
SP001578734
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 47A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 47A（Tc） 3.8W（Ta），110W（Tc） TO-220AB
型号：
IRLZ44NPBF
仓库库存编号：
IRLZ44NPBF-ND
别名：*IRLZ44NPBF
SP001568772
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 23A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 23A（Tc） 54W（Tc） TO-220AB 整包
型号：
IRLI540NPBF
仓库库存编号：
IRLI540NPBF-ND
别名：*IRLI540NPBF
SP001568964
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 45W（Tc） TO-220AB 整包
型号：
IRLIZ44NPBF
仓库库存编号：
IRLIZ44NPBF-ND
别名：*IRLIZ44NPBF
SP001558208
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 62A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 62A（Tc） 87W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF3708PBF
仓库库存编号：
IRF3708PBF-ND
别名：*IRF3708PBF
SP001553964
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR014
仓库库存编号：
IRLR014-ND
别名：*IRLR014
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
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Sanken
MOSFET 4N-CH 60V 7A 15-SIP
详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel 60V 7A 4.8W Through Hole 15-ZIP
型号：
SLA5065
仓库库存编号：
SLA5065-ND
别名：SLA5065 DK
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
不受无铅要求限制
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Sanken
MOSFET 6N-CH 60V 7A 15-SIP
详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 60V 7A 5W Through Hole 15-SIP
型号：
SLA5068-LF830
仓库库存编号：
SLA5068-LF830-ND
别名：SLA5068
SLA5068 DK
SLA5068-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
不受无铅要求限制
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Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 115mA 250mW Surface Mount SOT-363
型号：
DMN66D0LDW-7
仓库库存编号：
DMN66D0LDWDICT-ND
别名：DMN66D0LDWDICT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 48A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta），48A（Tc） 2.5W（Ta），32W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC090N03MSGATMA1
仓库库存编号：
BSC090N03MSGATMA1CT-ND
别名：BSC090N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC090N03MSGINCT
BSC090N03MSGINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta），80A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC050N03MSGATMA1
仓库库存编号：
BSC050N03MSGATMA1CT-ND
别名：BSC050N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC050N03MSGINCT
BSC050N03MSGINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 24A WDSON-2
详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Ta），75A（Tc） 2.2W（Ta），28W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
型号：
BSF030NE2LQ
仓库库存编号：
BSF030NE2LQCT-ND
别名：BSF030NE2LQCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
BSZ035N03MS G
仓库库存编号：
BSZ035N03MSGINCT-ND
别名：BSZ035N03MSGINCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 22A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
型号：
BSZ018NE2LSI
仓库库存编号：
BSZ018NE2LSICT-ND
别名：BSZ018NE2LSICT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），139W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC014N03MS G
仓库库存编号：
BSC014N03MS GCT-ND
别名：BSC014N03MS GCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 14A 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7108DN-T1-E3
仓库库存编号：
SI7108DN-T1-E3CT-ND
别名：SI7108DN-T1-E3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR024
仓库库存编号：
IRLR024-ND
别名：*IRLR024
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
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Sanken
MOSFET 3N/3P-CH 60V 10A 12-SIP
详细描述：Mosfet Array 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) 60V 10A 4W Through Hole 12-SIP
型号：
SMA5125
仓库库存编号：
SMA5125-ND
别名：SMA5125 DK
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V TO-236AB
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 4.4A（Ta） 500mW（Ta）, 5W（Tc） TO-236AB（SOT23）
型号：
PMV42ENER
仓库库存编号：
1727-2706-1-ND
别名：1727-2706-1
568-13225-1
568-13225-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFETBVDSS:25V 30VU-DFN2020-6
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12A（Ta） 2.02W（Ta） U-DFN2020-6（F 类）
型号：
DMN3016LFDF-7
仓库库存编号：
DMN3016LFDF-7DICT-ND
别名：DMN3016LFDF-7DICT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 53A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta），53A（Tc） 2.5W（Ta），35W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC080N03MSGATMA1
仓库库存编号：
BSC080N03MSGATMA1CT-ND
别名：BSC080N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC080N03MSGINCT
BSC080N03MSGINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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