产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(1220)
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
(89)
晶体管 - FET，MOSFET - 单
(1131)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(33)
Central Semiconductor Corp(1)
Diodes Incorporated(84)
Fairchild/ON Semiconductor(156)
Infineon Technologies(334)
Micro Commercial Co(4)
Nexperia USA Inc.(15)
NXP USA Inc.(2)
ON Semiconductor(348)
Rohm Semiconductor(3)
Sanken(11)
STMicroelectronics(11)
Taiwan Semiconductor Corporation(3)
Texas Instruments(8)
Vishay Siliconix(207)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 44A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta），44A（Tc） 2.5W（Ta），30W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC100N03MSGATMA1
仓库库存编号：
BSC100N03MSGATMA1CT-ND
别名：BSC100N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC100N03MSGINCT
BSC100N03MSGINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 5.9A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.9A（Ta） 1.31W（Ta） 8-SO
型号：
SI4346DY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4346DY-T1-E3CT-ND
别名：SI4346DY-T1-E3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 12A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），26W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
型号：
BSZ065N03LS
仓库库存编号：
BSZ065N03LSCT-ND
别名：BSZ065N03LSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 20A 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta），78A（Tc） 2.5W（Ta），37W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC0904NSI
仓库库存编号：
BSC0904NSICT-ND
别名：BSC0904NSICT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 9.7A TO252-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 9.7A（Tc） 42W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD09P06PL G
仓库库存编号：
SPD09P06PL GCT-ND
别名：SPD09P06PL GCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），48W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
型号：
BSZ0902NS
仓库库存编号：
BSZ0902NSCT-ND
别名：BSZ0902NSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta） 2.1W（Ta），55W（Tj） DPAK
型号：
NTD18N06LT4G
仓库库存编号：
NTD18N06LT4GOSCT-ND
别名：NTD18N06LT4GOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 25A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），48W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC024NE2LS
仓库库存编号：
BSC024NE2LSCT-ND
别名：BSC024NE2LSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 16A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 40W（Tc） DPAK
型号：
STD16NF06T4
仓库库存编号：
497-15667-1-ND
别名：497-15667-1
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 49A DFN5X6
详细描述：表面贴装 N 沟道 49A（Ta），85A（Tc） 7.4W（Ta），83W（Tc） 8-DFN（5x6）
型号：
AON6502
仓库库存编号：
785-1576-1-ND
别名：785-1576-1
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC030N03MSGATMA1
仓库库存编号：
BSC030N03MSGATMA1CT-ND
别名：BSC030N03MSG+F30INCT
BSC030N03MSG+F30INCT-ND
BSC030N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC030N03MSGINCT
BSC030N03MSGINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 40A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.1A（Ta），40A（Tc） 75W（Tc） TO-252AA
型号：
FDD24AN06LA0_F085
仓库库存编号：
FDD24AN06LA0_F085CT-ND
别名：FDD24AN06LA0_F085CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 24V 12.5A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 12.5A（Ta），110A（Tc） 1.5W（Ta），110W（Tc） DPAK
型号：
NTD110N02RT4G
仓库库存编号：
NTD110N02RT4GOSCT-ND
别名：NTD110N02RT4GOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 33A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），74W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC014NE2LSI
仓库库存编号：
BSC014NE2LSICT-ND
别名：BSC014NE2LSICT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 61A（Tc） 87W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3708TRPBF
仓库库存编号：
IRFR3708TRPBFCT-ND
别名：IRFR3708TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），96W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC020N03MSGATMA1
仓库库存编号：
BSC020N03MSGATMA1CT-ND
别名：BSC020N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC020N03MSGINCT
BSC020N03MSGINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 25V 17.5A/25A 8PQFN
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 17.5A, 25A 1W Surface Mount Power56
型号：
FDMS3626S
仓库库存编号：
FDMS3626SCT-ND
别名：FDMS3626SCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 22A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
型号：
BSZ025N04LSATMA1
仓库库存编号：
BSZ025N04LSATMA1CT-ND
别名：BSZ025N04LSATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 3.8W（Ta），79W（Tc） D2PAK
型号：
IRL530NSTRLPBF
仓库库存编号：
IRL530NSTRLPBFCT-ND
别名：IRL530NSTRLPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 25V 17.5A/34A PWR56
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 17.5A, 34A 1W Surface Mount Power56
型号：
FDMS3622S
仓库库存编号：
FDMS3622SCT-ND
别名：FDMS3622SCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 14A 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7108DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7108DN-T1-GE3CT-ND
别名：SI7108DN-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 3.8W（Ta），68W（Tc） D2PAK
型号：
IRLZ34NSTRLPBF
仓库库存编号：
IRLZ34NSTRLPBFCT-ND
别名：IRLZ34NSTRLPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 126A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.7W（Ta）, 83W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C423NLT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C423NLT1GOSCT-ND
别名：NVMFS5C423NLT1GOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 3.8W（Ta），45W（Tc） D2PAK
型号：
IRLZ24NSTRLPBF
仓库库存编号：
IRLZ24NSTRLPBFCT-ND
别名：IRLZ24NSTRLPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 48W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRLU120NPBF
仓库库存编号：
IRLU120NPBF-ND
别名：*IRLU120NPBF
SP001567330
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
搜索
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
