产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP80N06S2LH5AKSA1
仓库库存编号：
IPP80N06S2LH5AKSA1-ND
别名：IPP80N06S2L-H5
IPP80N06S2L-H5-ND
SP000219067
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 9A 8DSO
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 9A（Ta） 1.56W（Ta） PG-DSO-8
型号：
BSO130N03MSGXUMA1
仓库库存编号：
BSO130N03MSGXUMA1CT-ND
别名：BSO130N03MS GCT
BSO130N03MS GCT-ND
BSO130N03MSG
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 12A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7459TRPBF
仓库库存编号：
IRF7459TRPBFCT-ND
别名：IRF7459TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7467TRPBF
仓库库存编号：
IRF7467TRPBFCT-ND
别名：IRF7467TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 12V 11A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 12V 11A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7475TRPBF
仓库库存编号：
IRF7475TRPBFCT-ND
别名：IRF7475TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 14A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 14A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7484TRPBF
仓库库存编号：
IRF7484TRPBFCT-ND
别名：IRF7484TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 8TSSOP
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4.6A 1W Surface Mount 8-TSSOP
型号：
IRF7752TRPBF
仓库库存编号：
IRF7752TRPBFCT-ND
别名：IRF7752TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 17A（Tc） 45W（Tc） D-Pak
型号：
AUIRLR024N
仓库库存编号：
AUIRLR024N-ND
别名：SP001523060
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 42A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
型号：
AUIRLR2905
仓库库存编号：
AUIRLR2905-ND
别名：SP001516026
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 34V 22A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 34V 22A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC882N03MSGATMA1
仓库库存编号：
BSC882N03MSGATMA1CT-ND
别名：BSC882N03MS GCT
BSC882N03MS GCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 34V 19A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 34V 19A（Ta），98A（Tc） 2.5W（Ta），57W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC883N03MSGATMA1
仓库库存编号：
BSC883N03MSGATMA1CT-ND
别名：BSC883N03MS GCT
BSC883N03MS GCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 34V 17A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 34V 17A（Ta），85A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC884N03MS G
仓库库存编号：
BSC884N03MS GCT-ND
别名：BSC884N03MS GCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 44A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12A（Ta） 44A（Tc） 2.5W（Ta），28W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC889N03MSGATMA1
仓库库存编号：
BSC889N03MSGATMA1CT-ND
别名：BSC889N03MS GCT
BSC889N03MS GCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 170A WDSON-2
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 37A（Ta），170A（Tc） 2.8W（Ta），57W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
型号：
BSB012NE2LX
仓库库存编号：
BSB012NE2LXCT-ND
别名：BSB012NE2LXCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 3.1A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
型号：
AUIRLL024N
仓库库存编号：
AUIRLL024N-ND
别名：SP001521354
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 10A（Tc） 48W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
AUIRLR120N
仓库库存编号：
AUIRLR120N-ND
别名：SP001521880
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 22A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 22A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSZ023N04LSATMA1
仓库库存编号：
BSZ023N04LSATMA1CT-ND
别名：BSZ023N04LS-ND
BSZ023N04LSCT
BSZ023N04LSCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 40V 14A 8-SO
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 14A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
AUIRF7484Q
仓库库存编号：
AUIRF7484Q-ND
别名：SP001517960
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 40V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP100N04S2L03AKSA2
仓库库存编号：
IPP100N04S2L03AKSA2-ND
别名：SP001063638
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO262-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 160A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-7-3
型号：
IPB160N04S2L03ATMA2
仓库库存编号：
IPB160N04S2L03ATMA2-ND
别名：SP001058964
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