产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 40V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP80N04S2L-03
仓库库存编号:
SPP80N04S2L-03-ND
别名:SP000012472
SPP80N04S2L03
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP80N06S2L-05
仓库库存编号:
SPP80N06S2L-05-ND
别名:SP000012474
SPP80N06S2L05
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 75V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP80N08S2L-07
仓库库存编号:
SPP80N08S2L-07-ND
别名:SP000012476
SPP80N08S2L07
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 36A(Tc) 3.8W(Ta),140W(Tc) D2PAK
型号:
IRL540NSTRL
仓库库存编号:
IRL540NSTRLCT-ND
别名:IRL540NSTRLCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 75A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 75A(Tc) 88W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3706CPBF
仓库库存编号:
IRFR3706CPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 17A(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3410CPBF
仓库库存编号:
IRLR3410CPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 75A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 20V 75A(Tc) 88W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU3706-701PBF
仓库库存编号:
IRFU3706-701PBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 77A(Tc) 88W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3706STRRPBF
仓库库存编号:
IRF3706STRRPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 62A(Tc) 87W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3708STRRPBF
仓库库存编号:
IRF3708STRRPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 75A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 75A(Tc) 88W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3706CTRRPBF
仓库库存编号:
IRFR3706CTRRPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 75A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 75A(Tc) 88W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3706CTRLPBF
仓库库存编号:
IRFR3706CTRLPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 8TSSOP
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4.6A 1W Surface Mount 8-TSSOP
型号:
IRF7752GTRPBF
仓库库存编号:
IRF7752GTRPBFCT-ND
别名:IRF7752GTRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 62A(Tc) 87W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3708STRLPBF
仓库库存编号:
IRF3708STRLPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 77A(Tc) 88W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3706STRLPBF
仓库库存编号:
IRF3706STRLPBF-ND
别名:SP001561768
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 59A D2PAK-5
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 59A(Tc) 130W(Tc) TO-263-5
型号:
IRLBD59N04ETRLP
仓库库存编号:
IRLBD59N04ETRLP-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB100N04S2L03ATMA1
仓库库存编号:
IPB100N04S2L03ATMA1TR-ND
别名:IPB100N04S2L-03
IPB100N04S2L-03-ND
SP000219065
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB100N06S2L05ATMA1
仓库库存编号:
IPB100N06S2L05ATMA1TR-ND
别名:IPB100N06S2L-05
IPB100N06S2L-05-ND
SP000219003
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 160A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB160N04S2L03ATMA1
仓库库存编号:
IPB160N04S2L03ATMA1TR-ND
别名:IPB160N04S2L-03
IPB160N04S2L-03-ND
SP000218153
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N04S2L03ATMA1
仓库库存编号:
IPB80N04S2L03ATMA1TR-ND
别名:IPB80N04S2L-03
IPB80N04S2L-03-ND
SP000220158
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N06S2L05ATMA1
仓库库存编号:
IPB80N06S2L05ATMA1TR-ND
别名:IPB80N06S2L-05
IPB80N06S2L-05-ND
SP000219004
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N06S2L-H5
仓库库存编号:
IPB80N06S2L-H5-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI80N06S2L05AKSA1
仓库库存编号:
IPI80N06S2L05AKSA1-ND
别名:IPI80N06S2L-05
IPI80N06S2L-05-ND
SP000219002
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 40V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP100N04S2L03AKSA1
仓库库存编号:
IPP100N04S2L03AKSA1-ND
别名:IPP100N04S2L-03
IPP100N04S2L-03-ND
SP000219062
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 55V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP100N06S2L05AKSA1
仓库库存编号:
IPP100N06S2L05AKSA1-ND
别名:IPP100N06S2L-05
IPP100N06S2L-05-ND
SP000218879
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 40V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N04S2L03AKSA1
仓库库存编号:
IPP80N04S2L03AKSA1-ND
别名:IPP80N04S2L-03
IPP80N04S2L-03-ND
SP000219063
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
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