产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 61A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 61A(Tc) 87W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU3708PBF
仓库库存编号:
IRFU3708PBF-ND
别名:*IRFU3708PBF
SP001573620
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 75A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 20V 75A(Tc) 88W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU3706PBF
仓库库存编号:
IRFU3706PBF-ND
别名:*IRFU3706PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 28A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 55V 28A(Tc) 68W(Tc) I-Pak
型号:
64-4092PBF
仓库库存编号:
64-4092PBF-ND
别名:*IRLU2705PBF
IRLU2705PBF
IRLU2705PBF-ND
SP001550660
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 89A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 55V 89A(Tc) 3.8W(Ta),170W(Tc) TO-262
型号:
IRL3705NLPBF
仓库库存编号:
IRL3705NLPBF-ND
别名:*IRL3705NLPBF
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 75A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 75A(Tc) 88W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3706TRPBF
仓库库存编号:
IRFR3706PBFCT-ND
别名:*IRFR3706TRPBF
IRFR3706PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 14A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7463PBF
仓库库存编号:
IRF7463PBF-ND
别名:SP001565454
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB100N03S2L03T
仓库库存编号:
SPB100N03S2L03T-ND
别名:SP000013460
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 30V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI100N03S2L03
仓库库存编号:
SPI100N03S2L03-ND
别名:SP000013491
SPI100N03S2L03X
SPI100N03S2L03X-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP100N03S2L03
仓库库存编号:
SPP100N03S2L03-ND
别名:SP000013462
SPP100N03S2L03X
SPP100N03S2L03X-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB100N03S2L-03 G
仓库库存编号:
SPB100N03S2L-03 G-ND
别名:SP000200141
SPB100N03S2L03GXT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB100N04S2L-03
仓库库存编号:
SPB100N04S2L-03-ND
别名:SP000013712
SPB100N04S2L03T
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB100N06S2L-05
仓库库存编号:
SPB100N06S2L-05-ND
别名:SP000013714
SPB100N06S2L05T
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB100N08S2L-07
仓库库存编号:
SPB100N08S2L-07-ND
别名:SP000013716
SPB100N08S2L07T
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 160A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
SPB160N04S2L03DTMA1
仓库库存编号:
SPB160N04S2L03DTMA1TR-ND
别名:SP000014639
SPB160N04S2L-03
SPB160N04S2L-03-ND
SPB160N04S2L03T
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N03S2L-03
仓库库存编号:
SPB80N03S2L-03-ND
别名:SP000016252
SPB80N03S2L03T
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N03S2L-03 G
仓库库存编号:
SPB80N03S2L-03 G-ND
别名:SP000200142
SPB80N03S2L03GXT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N04S2L-03
仓库库存编号:
SPB80N04S2L-03-ND
别名:SP000016354
SPB80N04S2L03T
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N06S2L-05
仓库库存编号:
SPB80N06S2L-05-ND
别名:SP000016352
SPB80N06S2L05T
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N08S2L-07
仓库库存编号:
SPB80N08S2L-07-ND
别名:SP000016359
SPB80N08S2L07T
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI80N03S2L-03
仓库库存编号:
SPI80N03S2L-03-ND
别名:SP000016261
SPI80N03S2L03X
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MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI80N06S2L-05
仓库库存编号:
SPI80N06S2L-05-ND
别名:SP000016360
SPI80N06S2L05
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 40V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP100N04S2L-03
仓库库存编号:
SPP100N04S2L-03-ND
别名:SP000013719
SPP100N04S2L03
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP100N06S2L-05
仓库库存编号:
SPP100N06S2L-05-ND
别名:SP000013721
SPP100N06S2L05
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 100A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 75V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP100N08S2L-07
仓库库存编号:
SPP100N08S2L-07-ND
别名:SP000013723
SPP100N08S2L07
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型号:
SPP80N03S2L-03
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别名:SP000012469
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