产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 10A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7470TR
仓库库存编号：
IRF7470TR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 8-TSSOP
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4.6A 1W Surface Mount 8-TSSOP
型号：
IRF7752TR
仓库库存编号：
IRF7752TR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 75A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 75A（Tc） 88W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3706TR
仓库库存编号：
IRFR3706TR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 75A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 75A（Tc） 88W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3706TRL
仓库库存编号：
IRFR3706TRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 75A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 75A（Tc） 88W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3706TRR
仓库库存编号：
IRFR3706TRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 61A（Tc） 87W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3708TR
仓库库存编号：
IRFR3708TR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 61A（Tc） 87W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3708TRL
仓库库存编号：
IRFR3708TRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 61A（Tc） 87W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3708TRR
仓库库存编号：
IRFR3708TRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 27A（Ta），94A（Tc） 3.6W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET? MT
型号：
IRF6607
仓库库存编号：
IRF6607CT-ND
别名：*IRF6607
IRF6607CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 30V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI100N03S2L-03
仓库库存编号：
SPI100N03S2L-03-ND
别名：Q1620887
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 9.7A TO-251
详细描述：通孔 P 沟道 60V 9.7A（Tc） 42W（Tc） PG-TO251-3
型号：
SPU09P06PL
仓库库存编号：
SPU09P06PLIN-ND
别名：SP000012876
SPU09P06PLIN
SPU09P06PLX
SPU09P06PLXTIN
SPU09P06PLXTIN-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 30V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP100N03S2L-03
仓库库存编号：
SPP100N03S2L-03IN-ND
别名：SPP100N03S2L-03IN
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 12.6A（Ta） 2.5W（Ta） PG-DSO-8
型号：
BSO301SPNTMA1
仓库库存编号：
BSO301SPNTMA1CT-ND
别名：BSO301SPINCT
BSO301SPINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB100N03S2L-03
仓库库存编号：
SPB100N03S2L-INTR-ND
别名：SPB100N03S2L-INTR
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 9.7A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 9.7A（Tc） 42W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD09P06PL
仓库库存编号：
SPD09P06PLINCT-ND
别名：SPD09P06PLINCT
SPD09P06PLXTINCT
SPD09P06PLXTINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 14A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 14A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7484Q
仓库库存编号：
IRF7484Q-ND
别名：*IRF7484Q
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 14A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 55V 14A（Tc） 26W（Tc） TO-220AB 整包
型号：
IRLIZ24NPBF
仓库库存编号：
IRLIZ24NPBF-ND
别名：*IRLIZ24NPBF
SP001558800
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 77A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 20V 77A（Tc） 88W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF3706PBF
仓库库存编号：
IRF3706PBF-ND
别名：*IRF3706PBF
SP001563152
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 77A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 20V 77A（Tc） 88W（Tc） TO-262
型号：
IRF3706LPBF
仓库库存编号：
IRF3706LPBF-ND
别名：*IRF3706LPBF
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 77A（Tc） 88W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3706SPBF
仓库库存编号：
IRF3706SPBF-ND
别名：*IRF3706SPBF
SP001561640
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 62A（Tc） 87W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3708SPBF
仓库库存编号：
IRF3708SPBF-ND
别名：*IRF3708SPBF
SP001553954
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 18A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 55V 18A（Tc） 3.8W（Ta），45W（Tc） TO-262
型号：
IRLZ24NLPBF
仓库库存编号：
IRLZ24NLPBF-ND
别名：*IRLZ24NLPBF
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 55V 30A（Tc） 3.8W（Ta），68W（Tc） TO-262
型号：
IRLZ34NLPBF
仓库库存编号：
IRLZ34NLPBF-ND
别名：*IRLZ34NLPBF
SP001552974
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 47A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 55V 47A（Tc） 3.8W（Ta），110W（Tc） TO-262
型号：
IRLZ44NLPBF
仓库库存编号：
IRLZ44NLPBF-ND
别名：*IRLZ44NLPBF
SP001577060
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 36A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 100V 36A（Tc） 3.8W（Ta），140W（Tc） TO-262
型号：
IRL540NLPBF
仓库库存编号：
IRL540NLPBF-ND
别名：*IRL540NLPBF
SP001558070
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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