产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 75A 8DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 36A（Ta），75A（Tc） 4.2W（Ta），34W（Tc） 8-DFN-EP（3.3x3.3）
型号：
AON7758_001
仓库库存编号：
AON7758_001-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 25A（Tc） 2.5W（Ta），33W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
AOD4120L
仓库库存编号：
AOD4120L-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 3.8A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
型号：
IRLL2705TR
仓库库存编号：
IRLL2705CT-ND
别名：*IRLL2705TR
IRLL2705CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 17A（Tc） 3.8W（Ta），79W（Tc） D2PAK
型号：
94-2310
仓库库存编号：
94-2310-ND
别名：*IRL530NS
IRL530NS
IRL530NS-ND
SP001519078
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 8.1A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 100V 8.1A（Tc） 30W（Tc） TO-220AB 整包
型号：
IRLI520N
仓库库存编号：
IRLI520N-ND
别名：*IRLI520N
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 12A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 100V 12A（Tc） 41W（Tc） TO-220AB 整包
型号：
IRLI530N
仓库库存编号：
IRLI530N-ND
别名：*IRLI530N
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 23A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 100V 23A（Tc） 54W（Tc） TO-220AB 整包
型号：
IRLI540N
仓库库存编号：
IRLI540N-ND
别名：*IRLI540N
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 22A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 55V 22A（Tc） 37W（Tc） TO-220AB 整包
型号：
IRLIZ34N
仓库库存编号：
IRLIZ34N-ND
别名：*IRLIZ34N
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 55V 42A（Tc） 110W（Tc） I-Pak
型号：
IRLU2905
仓库库存编号：
IRLU2905-ND
别名：*IRLU2905
Q853121
SP001553032
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 14A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7463
仓库库存编号：
IRF7463-ND
别名：*IRF7463
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 104A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） D2PAK
型号：
IRL2505S
仓库库存编号：
IRL2505S-ND
别名：*IRL2505S
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 89A（Tc） 3.8W（Ta），170W（Tc） D2PAK
型号：
IRL3705NS
仓库库存编号：
IRL3705NS-ND
别名：*IRL3705NS
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 89A（Tc） 3.8W（Ta），170W（Tc） D2PAK
型号：
IRL3705NSTRL
仓库库存编号：
IRL3705NSTRL-ND
别名：SP001571922
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 10A（Tc） 3.8W（Ta），48W（Tc） D2PAK
型号：
IRL520NS
仓库库存编号：
IRL520NS-ND
别名：*IRL520NS
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 10A（Tc） 3.8W（Ta），48W（Tc） D2PAK
型号：
IRL520NSTRL
仓库库存编号：
IRL520NSTRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 17A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 100V 17A（Tc） 3.8W（Ta），79W（Tc） TO-262
型号：
IRL530NL
仓库库存编号：
IRL530NL-ND
别名：*IRL530NL
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 17A（Tc） 3.8W（Ta），79W（Tc） D2PAK
型号：
IRL530NSTRL
仓库库存编号：
IRL530NSTRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 17A（Tc） 3.8W（Ta），79W（Tc） D2PAK
型号：
IRL530NSTRR
仓库库存编号：
IRL530NSTRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 2A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
型号：
IRLL014NTR
仓库库存编号：
IRLL014NTR-ND
别名：SP001558818
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 55V 17A（Tc） 45W（Tc） I-Pak
型号：
IRLU024N
仓库库存编号：
IRLU024N-ND
别名：*IRLU024N
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 18A（Tc） 3.8W（Ta），45W（Tc） D2PAK
型号：
IRLZ24NS
仓库库存编号：
IRLZ24NS-ND
别名：*IRLZ24NS
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） 3.8W（Ta），68W（Tc） D2PAK
型号：
IRLZ34NS
仓库库存编号：
IRLZ34NS-ND
别名：*IRLZ34NS
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 47A（Tc） 3.8W（Ta），110W（Tc） D2PAK
型号：
IRLZ44NSTRR
仓库库存编号：
IRLZ44NSTRR-ND
别名：SP001574180
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） 3.8W（Ta），68W（Tc） D2PAK
型号：
IRLZ34NSTRR
仓库库存编号：
IRLZ34NSTRR-ND
别名：Q971401
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 77A（Tc） 88W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3706S
仓库库存编号：
IRF3706S-ND
别名：*IRF3706S
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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