产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR120TRR
仓库库存编号：
IRLR120TRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 10A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） D2PAK
型号：
IRLZ14STRL
仓库库存编号：
IRLZ14STRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 10A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） D2PAK
型号：
IRLZ14STRR
仓库库存编号：
IRLZ14STRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 17A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 60V 17A（Tc） 3.7W（Ta），60W（Tc） TO-262-3
型号：
IRLZ24L
仓库库存编号：
IRLZ24L-ND
别名：*IRLZ24L
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 17A（Tc） 3.7W（Ta），60W（Tc） D2PAK
型号：
IRLZ24S
仓库库存编号：
IRLZ24S-ND
别名：*IRLZ24S
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 17A（Tc） 3.7W（Ta），60W（Tc） D2PAK
型号：
IRLZ24STRL
仓库库存编号：
IRLZ24STRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 17A（Tc） 3.7W（Ta），60W（Tc） D2PAK
型号：
IRLZ24STRR
仓库库存编号：
IRLZ24STRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 30A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 60V 30A（Tc） 3.7W（Ta），88W（Tc） TO-262-3
型号：
IRLZ34L
仓库库存编号：
IRLZ34L-ND
别名：*IRLZ34L
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 30A（Tc） 3.7W（Ta），88W（Tc） D2PAK
型号：
IRLZ34S
仓库库存编号：
IRLZ34S-ND
别名：*IRLZ34S
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 30A（Tc） 3.7W（Ta），88W（Tc） D2PAK
型号：
IRLZ34STRL
仓库库存编号：
IRLZ34STRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 30A（Tc） 3.7W（Ta），88W（Tc） D2PAK
型号：
IRLZ34STRR
仓库库存编号：
IRLZ34STRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 60V 50A（Tc） TO-262-3
型号：
IRLZ44L
仓库库存编号：
IRLZ44L-ND
别名：*IRLZ44L
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 50A（Tc） 3.7W（Ta），150W（Tc） D2PAK
型号：
IRLZ44STRL
仓库库存编号：
IRLZ44STRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 2A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 100V 2A（Tc） 25W（Tc） TO-220AB
型号：
RFP2N10L
仓库库存编号：
RFP2N10L-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 30A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 60V 30A（Ta） 96W（Tc） TO-220AB
型号：
RFP30N06LE
仓库库存编号：
RFP30N06LE-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 115mA（Ta） 150mW（Ta） SOT-523
型号：
2N7002T-7
仓库库存编号：
2N7002TDICT-ND
别名：2N7002T7
2N7002TDICT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2P-CH 20V 3.3A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 3.3A 2W Surface Mount 8-SOIC
型号：
MMDF2P02HDR2
仓库库存编号：
MMDF2P02HDR2OSCT-ND
别名：MMDF2P02HDR2OSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 50A TO-220AB
详细描述：通孔 P 沟道 30V 50A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
MTP50P03HDL
仓库库存编号：
MTP50P03HDLOS-ND
别名：MTP50P03HDLOS
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23
详细描述：表面贴装 P 沟道 50V 130mA（Ta） 225mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
型号：
BSS84LT1
仓库库存编号：
BSS84LT1OSCT-ND
别名：BSS84LT1OSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 50A（Tc） 2.5W（Ta），125W（Tc） D2PAK
型号：
MTB50P03HDLT4
仓库库存编号：
MTB50P03HDLT4OSCT-ND
别名：MTB50P03HDLT4OSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 10A（Tc） 1.75W（Ta），40W（Tc） DPAK
型号：
MTD10N10ELT4
仓库库存编号：
MTD10N10ELT4OSCT-ND
别名：MTD10N10ELT4OSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 5.6A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 5.6A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOIC
型号：
MMSF3P02HDR2
仓库库存编号：
MMSF3P02HDR2OSCT-ND
别名：MMSF3P02HDR2OSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 7.6A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 25V 7.6A（Ta），58A（Tc） 1.04W（Ta），62.5W（Tc） TO-220AB
型号：
NTP65N02R
仓库库存编号：
NTP65N02ROS-ND
别名：NTP65N02ROS
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 9.7A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 25V 9.7A（Ta） 1.25W（Ta），74.4W（Tc） TO-220AB
型号：
NTP75N03R
仓库库存编号：
NTP75N03ROS-ND
别名：NTP75N03ROS
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 9.7A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 9.7A（Ta），75A（Tc） 1.25W（Ta），74.4W（Tc） D2PAK
型号：
NTB75N03R
仓库库存编号：
NTB75N03ROS-ND
别名：NTB75N03ROS
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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