产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT323
详细描述：表面贴装 N 沟道 115mA（Ta） 200mW（Ta） SOT-323
型号：
2N7002W-7-F
仓库库存编号：
2N7002W-FDICT-ND
别名：2N7002W-FDICT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC70-6
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 115mA 200mW Surface Mount SC-70-6
型号：
2N7002DW
仓库库存编号：
2N7002DWCT-ND
别名：2N7002DWCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 55V 2.1A SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.1A（Ta） 1.25W（Ta） SOT-23-3L
型号：
AO3422
仓库库存编号：
785-1015-1-ND
别名：785-1015-1
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 54A 8DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 54A（Ta），150A（Tc） 7.4W（Ta），83W（Tc） 8-DFN（5x6）
型号：
AON6512
仓库库存编号：
785-1366-1-ND
别名：785-1366-1
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 40V 10A 8SOIC
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 40V 10A, 9.2A 3.1W, 3.2W Surface Mount 8-SO
型号：
SI4564DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4564DY-T1-GE3CT-ND
别名：SI4564DY-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 25V 17.5A/38A 8PQFN
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 17.5A, 38A 1W Surface Mount Power56
型号：
FDMS3620S
仓库库存编号：
FDMS3620SFSCT-ND
别名：FDMS3620SFSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
详细描述：通孔 N 沟道 1.3A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRLD120PBF
仓库库存编号：
IRLD120PBF-ND
别名：*IRLD120PBF
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 60A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 100W（Tc） DPAK
型号：
STD60NF55LT4
仓库库存编号：
497-15669-1-ND
别名：497-15669-1
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 0.18A SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 180mA（Ta） 370mW（Ta） SOT-23
型号：
2N7002A-7
仓库库存编号：
2N7002A-7DICT-ND
别名：2N7002A-7DICT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 50V 0.13A SOT-23
详细描述：表面贴装 P 沟道 130mA（Ta） 225mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
型号：
SBSS84LT1G
仓库库存编号：
SBSS84LT1GOSCT-ND
别名：SBSS84LT1GOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Micro Commercial Co
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 115mA 200mW Surface Mount SOT-363
型号：
2N7002DW-TP
仓库库存编号：
2N7002DW-TPCT-ND
别名：2N7002DW-TPCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 30V 6.2A U-DFN2020
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.2A 1W Surface Mount U-DFN2020-6 (Type B)
型号：
DMN3032LFDBQ-7
仓库库存编号：
DMN3032LFDBQ-7DICT-ND
别名：DMN3032LFDBQ-7DICT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.8A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
型号：
IRLL2705TRPBF
仓库库存编号：
IRLL2705PBFCT-ND
别名：*IRLL2705TRPBF
IRLL2705PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 9A 6DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta） 1.7W（Ta），12.5W（Tc） 6-DFN2020MD（2x2）
型号：
PMPB11EN,115
仓库库存编号：
1727-1244-1-ND
别名：1727-1244-1
568-10450-1
568-10450-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Ta） 1.3W（Ta） SOT-223
型号：
NVF3055L108T1G
仓库库存编号：
NVF3055L108T1GOSCT-ND
别名：NVF3055L108T1GOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 32A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），96W（Tc） SuperSO8
型号：
BSC014N04LS
仓库库存编号：
BSC014N04LSCT-ND
别名：BSC014N04LS-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 17A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 60W（Tc） TO-220AB
型号：
IRLZ24PBF
仓库库存编号：
IRLZ24PBF-ND
别名：*IRLZ24PBF
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 30A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 88W（Tc） TO-220AB
型号：
IRLZ34PBF
仓库库存编号：
IRLZ34PBF-ND
别名：*IRLZ34PBF
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 2.5W（Ta），125W（Tc） D2PAK
型号：
MTB50P03HDLT4G
仓库库存编号：
MTB50P03HDLT4GOSCT-ND
别名：MTB50P03HDLT4GOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
型号：
IRL630SPBF
仓库库存编号：
IRL630SPBF-ND
别名：*IRL630SPBF
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 22A 6SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta） 2.5W（Ta） 6-SON（2x2）
型号：
CSD17571Q2
仓库库存编号：
296-37193-1-ND
别名：296-37193-1
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 28A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Tc） 68W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR2705TRPBF
仓库库存编号：
IRLR2705PBFCT-ND
别名：*IRLR2705TRPBF
IRLR2705PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 13A POWERDI
详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta），30A（Tc） 2.2W（Ta），41W（Tc） PowerDI3333-8
型号：
DMT6010LFG-7
仓库库存编号：
DMT6010LFG-7DICT-ND
别名：DMT6010LFG-7DICT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 13A PWDI3333-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta），60A（Tc） 2.2W（Ta），41W（Tc） PowerDI3333-8
型号：
DMT6008LFG-7
仓库库存编号：
DMT6008LFG-7DICT-ND
别名：DMT6008LFG-7DICT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 17A 8DSO
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Ta） 1.56W（Ta） PG-DSO-8
型号：
BSO033N03MSGXUMA1
仓库库存编号：
BSO033N03MSGXUMA1CT-ND
别名：BSO033N03MS GINCT
BSO033N03MS GINCT-ND
BSO033N03MSGXUMA1CT
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