产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 5.2A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.2A（Ta） 1W（Ta） PG-SOT223
型号：
AUIRLL2705TR
仓库库存编号：
AUIRLL2705TRCT-ND
别名：AUIRLL2705TRCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC022N04LSATMA1
仓库库存编号：
BSC022N04LSATMA1CT-ND
别名：BSC022N04LSATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 47A（Tc） 3.8W（Ta），110W（Tc） D2PAK
型号：
IRLZ44NSTRLPBF
仓库库存编号：
IRLZ44NSTRLPBFCT-ND
别名：IRLZ44NSTRLPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 22A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta）. 40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
型号：
BSZ019N03LS
仓库库存编号：
BSZ019N03LSCT-ND
别名：BSZ019N03LSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 79W（Tc） D-Pak
型号：
AUIRLR3410TRL
仓库库存编号：
AUIRLR3410TRLCT-ND
别名：AUIRLR3410TRLCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 36A（Tc） 3.8W（Ta），140W（Tc） D2PAK
型号：
IRL540NSTRLPBF
仓库库存编号：
IRL540NSTRLPBFCT-ND
别名：IRL540NSTRLPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 37A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 37A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），96W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC011N03LSI
仓库库存编号：
BSC011N03LSICT-ND
别名：BSC011N03LSICT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 163A WDSON-2
详细描述：表面贴装 N 沟道 36A（Ta），163A（Tc） 2.8W（Ta），57W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
型号：
BSB013NE2LXI
仓库库存编号：
BSB013NE2LXICT-ND
别名：BSB013NE2LXICT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 25V 18A/30A TISON-8
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 18A, 30A 1W Surface Mount PG-TISON-8
型号：
BSC0911NDATMA1
仓库库存编号：
BSC0911NDATMA1CT-ND
别名：BSC0911NDATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 41A 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 41A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），74W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC009NE2LS5ATMA1
仓库库存编号：
BSC009NE2LS5ATMA1CT-ND
别名：BSC009NE2LS5ATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 40A 8TDSON IND
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），74W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC009NE2LS5IATMA1
仓库库存编号：
BSC009NE2LS5IATMA1CT-ND
别名：BSC009NE2LS5IATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A 8TISON
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 19A, 41A 2.5W Surface Mount PG-TISON-8
型号：
BSG0811NDATMA1
仓库库存编号：
BSG0811NDATMA1CT-ND
别名：BSG0811NDATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 31A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），96W（Tc） PG-TDSON-8 FL
型号：
BSC014N04LSIATMA1
仓库库存编号：
BSC014N04LSIATMA1CT-ND
别名：BSC014N04LSIATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） D2PAK
型号：
IRL2910STRLPBF
仓库库存编号：
IRL2910STRLPBFCT-ND
别名：IRL2910STRLPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CHA 60V 37.2A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 37.2A（Tc） 2.2W（Ta）, 25W（Tc） TO-220AB
型号：
DMT6009LCT
仓库库存编号：
DMT6009LCTDI-5-ND
别名：DMT6009LCTDI-5
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 12.8A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 12.8A（Tc） 65W（Tc） TO-220-3
型号：
FQP13N10L
仓库库存编号：
FQP13N10L-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 12A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 48W（Tc） TO-220-3
型号：
MTP3055VL
仓库库存编号：
MTP3055VLFS-ND
别名：MTP3055VLFS
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 9.8A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 9.8A（Tc） 40W（Tc） TO-220F
型号：
IRLS640A
仓库库存编号：
IRLS640AFS-ND
别名：IRLS640A-ND
IRLS640AFS
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
型号：
IRLZ44PBF
仓库库存编号：
IRLZ44PBF-ND
别名：*IRLZ44PBF
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 17A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
IRL640PBF
仓库库存编号：
IRL640PBF-ND
别名：*IRL640PBF
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 120V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
型号：
STP80NF12
仓库库存编号：
497-6743-5-ND
别名：497-6743-5
STP80NF12-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 25A 8VSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Ta） 3.1W（Ta），36W（Tc） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD17579Q5AT
仓库库存编号：
296-41100-1-ND
别名：296-41100-1
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 18A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 45W（Tc） TO-220AB
型号：
IRLZ24NPBF
仓库库存编号：
IRLZ24NPBF-ND
别名：*IRLZ24NPBF
SP001553022
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） D2PAK
型号：
IRLZ14SPBF
仓库库存编号：
IRLZ14SPBF-ND
别名：IRLZ14SPBFCT
IRLZ14SPBFCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） D2PAK
型号：
IRL640SPBF
仓库库存编号：
IRL640SPBF-ND
别名：*IRL640SPBF
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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