产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 49A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 49A（Ta），352A（Tc） 3.9W（Ta），200W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C404NLWFT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C404NLWFT1GOSCT-ND
别名：NVMFS5C404NLWFT1GOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
T8 60V MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Ta）, 250A（Tc） 3.3W（Ta）, 160W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS5H600NLT1G
仓库库存编号：
NTMFS5H600NLT1GOSCT-ND
别名：NTMFS5H600NLT1GOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Ta） 187W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB8030L
仓库库存编号：
FDB8030LCT-ND
别名：FDB8030LCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Nexperia USA Inc.
PMN40ENE/SC-74/REEL 7" Q1/T1 *
详细描述：表面贴装 P 沟道 5.7A（Ta） 530mW（Ta）, 4.46W（Tc） 6-TSOP
型号：
PMN40ENEX
仓库库存编号：
1727-2734-1-ND
别名：1727-2734-1
568-13298-1
568-13298-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 3.2A DFN1010D-3G
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.2A（Ta） 400mW（Ta），8.33W（Tc） DFN1010D-3
型号：
PMXB56ENZ
仓库库存编号：
1727-2313-1-ND
别名：1727-2313-1
568-12599-1
568-12599-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 34V 44A 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta），44A（Tc） 2.5W（Ta），27W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC0909NSATMA1
仓库库存编号：
BSC0909NSATMA1CT-ND
别名：BSC0909NSATMA1CT-NDTR-ND
BSC0909NSCT
BSC0909NSCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta），35A（Tc） 2.1W（Ta），25W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
BSZ130N03MS G
仓库库存编号：
BSZ130N03MSGINCT-ND
别名：BSZ130N03MSGINCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），30W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
BSZ100N03MSGATMA1
仓库库存编号：
BSZ100N03MSGATMA1CT-ND
别名：BSZ100N03MSGINCT
BSZ100N03MSGINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 12A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），26W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
型号：
BSZ060NE2LS
仓库库存编号：
BSZ060NE2LSCT-ND
别名：BSZ060NE2LSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），35W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
BSZ088N03MSGATMA1
仓库库存编号：
BSZ088N03MSGATMA1CT-ND
别名：BSZ088N03MSGINCT
BSZ088N03MSGINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），45W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
BSZ058N03MSGATMA1
仓库库存编号：
BSZ058N03MSGATMA1CT-ND
别名：BSZ058N03MSGINCT
BSZ058N03MSGINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 93A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Ta），93A（Tc） 2.5W（Ta），57W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC042N03MSGATMA1
仓库库存编号：
BSC042N03MSGATMA1CT-ND
别名：BSC042N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC042N03MSGINCT
BSC042N03MSGINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A 8DSO
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta） 1.56W（Ta） PG-DSO-8
型号：
BSO051N03MS G
仓库库存编号：
BSO051N03MS GINCT-ND
别名：BSO051N03MS GINCT
BSO051N03MSG
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），48W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
BSZ050N03MSGATMA1
仓库库存编号：
BSZ050N03MSGATMA1CT-ND
别名：BSZ050N03MSGINCT
BSZ050N03MSGINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 11A 8DSO
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta） 1.56W（Ta） PG-DSO-8
型号：
BSO083N03MSGXUMA1
仓库库存编号：
BSO083N03MSGXUMA1CT-ND
别名：BSO083N03MS GINCT
BSO083N03MS GINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 15A 8TSDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），27W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
型号：
BSZ0506NSATMA1
仓库库存编号：
BSZ0506NSATMA1CT-ND
别名：BSZ0506NSATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 16A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），37W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
型号：
BSZ036NE2LS
仓库库存编号：
BSZ036NE2LSCT-ND
别名：BSZ036NE2LSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 21A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Ta），40A（Tc） 2.5W（Ta），48W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
型号：
BSZ0902NSI
仓库库存编号：
BSZ0902NSICT-ND
别名：BSZ0902NSICT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 9.4A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 9.4A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7468TRPBF
仓库库存编号：
IRF7468PBFCT-ND
别名：*IRF7468TRPBF
IRF7468PBFCT
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 2A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
型号：
AUIRLL014NTR
仓库库存编号：
AUIRLL014NTRCT-ND
别名：AUIRLL014NTRCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 21A 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Ta），98A（Tc） 2.5W（Ta），52W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC032N04LSATMA1
仓库库存编号：
BSC032N04LSATMA1CT-ND
别名：BSC032N04LSATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Ta）. 100A（Tc） 2.5W（Ta），83W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC025N03MSGATMA1
仓库库存编号：
BSC025N03MSGATMA1CT-ND
别名：BSC025N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC025N03MSGINCT
BSC025N03MSGINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 12V 10A 8SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 12V 10A 2W Surface Mount 8-SO
型号：
IRF7910TRPBF
仓库库存编号：
IRF7910TRPBFCT-ND
别名：IRF7910TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 23A 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），63W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC026N04LSATMA1
仓库库存编号：
BSC026N04LSATMA1CT-ND
别名：BSC026N04LSATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 29A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 29A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC018NE2LSI
仓库库存编号：
BSC018NE2LSICT-ND
别名：BSC018NE2LSICT
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