产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 49A(Tc) 3.8W(Ta),94W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRFZ44NS
仓库库存编号:
AUIRFZ44NS-ND
别名:SP001521658
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 40V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 75A(Tc) 140W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF4104GPBF
仓库库存编号:
IRF4104GPBF-ND
别名:SP001571350
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 150V 13A(Tc) 3.8W(Ta),110W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRF6215S
仓库库存编号:
AUIRF6215S-ND
别名:SP001520176
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 38A(Tc) 3.1W(Ta),170W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRF5210S
仓库库存编号:
AUIRF5210S-ND
别名:SP001519218
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 35A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 35A(Ta),184A(Tc) 3.3W(Ta),94W(Tc) DIRECTFET L6
型号:
IRF7738L2TRPBF
仓库库存编号:
IRF7738L2TRPBFTR-ND
别名:IRF7738L2TRPBFTR
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 40V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP100N04S204AKSA2
仓库库存编号:
IPP100N04S204AKSA2-ND
别名:SP001063632
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 55V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP100N06S205AKSA2
仓库库存编号:
IPP100N06S205AKSA2-ND
别名:SP001067938
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 40V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N04S2H4AKSA2
仓库库存编号:
IPP80N04S2H4AKSA2-ND
别名:SP001061288
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
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