产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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分立半导体产品
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V SMD1
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 27.4A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-267AB
型号：
2N7225U
仓库库存编号：
2N7225U-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 400V TO-254AA
详细描述：通孔 N 沟道 400V 14A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-254AA
型号：
2N7227
仓库库存编号：
2N7227-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 400V SMD1
详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 14A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-267AB
型号：
2N7227U
仓库库存编号：
2N7227U-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V TO-254AA
详细描述：通孔 N 沟道 500V 12A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-254AA
型号：
2N7228
仓库库存编号：
2N7228-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V SMD1
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 12A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-267AB
型号：
2N7228U
仓库库存编号：
2N7228U-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET P-CH 100V TO-254AA
详细描述：通孔 P 沟道 100V 18A（Tc） 4W（Ta），125W（Tc） TO-254AA
型号：
2N7236
仓库库存编号：
2N7236-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET P-CH 100V SMD1
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 18A（Tc） 4W（Ta），125W（Tc） TO-267AB
型号：
2N7236U
仓库库存编号：
2N7236U-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB
详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel 100V 1A 1.4W Through Hole MO-036AB
型号：
2N7334
仓库库存编号：
2N7334-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 4P-CH 100V 0.75A MO-036AB
详细描述：Mosfet Array 4 P-Channel 100V 750mA 1.4W Through Hole MO-036AB
型号：
2N7335
仓库库存编号：
2N7335-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V TO-3
详细描述：通孔 N 沟道 500V 4.5A（Tc） 4W（Ta），75W（Tc） TO-204AA
型号：
2N6762
仓库库存编号：
2N6762-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET P-CH 100V TO-204AA TO-3
详细描述：通孔 P 沟道 100V 11A（Tc） 4W（Ta），75W（Tc） TO-204AA（TO-3）
型号：
2N6804
仓库库存编号：
2N6804-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 12A TO-204AE
详细描述：通孔 N 沟道 500V 12A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-3
型号：
2N6770
仓库库存编号：
2N6770-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V TO-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 14A（Tc） 4W（Ta），75W（Tc） TO-204AA
型号：
2N6756
仓库库存编号：
2N6756-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V TO-3
详细描述：通孔 N 沟道 200V 9A（Tc） 4W（Ta），75W（Tc） TO-204AA
型号：
2N6758
仓库库存编号：
2N6758-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 400V TO-3
详细描述：通孔 N 沟道 400V 5.5A（Tc） 4W（Ta），75W（Tc） TO-204AA
型号：
2N6760
仓库库存编号：
2N6760-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V TO-204AE TO-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 38A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-3
型号：
2N6764
仓库库存编号：
2N6764-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V TO-204AE TO-3
详细描述：通孔 N 沟道 200V 30A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-3
型号：
2N6766
仓库库存编号：
2N6766-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V TO-254AA
详细描述：通孔 N 沟道 200V 30A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-254AA
型号：
2N6766T1
仓库库存编号：
2N6766T1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 400V TO-204AE TO-3
详细描述：通孔 N 沟道 400V 14A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-3
型号：
2N6768
仓库库存编号：
2N6768-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V TO-205AF
详细描述：通孔 N 沟道 100V 3.5A（Tc） 800mW（Ta），15W（Tc） TO-39
型号：
2N6782
仓库库存编号：
2N6782-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 18LCC
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 3.5A（Tc） 800mW（Ta），15W（Tc） 18-ULCC（9.14x7.49）
型号：
2N6782U
仓库库存编号：
2N6782U-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V TO-205AF
详细描述：通孔 N 沟道 200V 2.25A（Tc） 800mW（Ta），15W（Tc） TO-39
型号：
2N6784
仓库库存编号：
2N6784-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 18LCC
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 2.25A（Tc） 800mW（Ta），15W（Tc） 18-ULCC（9.14x7.49）
型号：
2N6784U
仓库库存编号：
2N6784U-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V TO-205AF
详细描述：通孔 N 沟道 100V 6A（Tc） 800mW（Tc） TO-39
型号：
2N6788
仓库库存编号：
2N6788-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 18LCC
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 4.5A（Tc） 800mW（Tc） 18-ULCC（9.14x7.49）
型号：
2N6788U
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