产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 250μA,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 15A TO252
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 15A(Ta),70A(Tc) 2.5W(Ta),90W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD403L
仓库库存编号:
AOD403L-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 250μA,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH TO252
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 15A(Ta),70A(Tc) 2.5W(Ta),90W(Tc) TO-252
型号:
AOD403_030
仓库库存编号:
AOD403_030-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 250μA,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH TO252
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 15A(Ta),70A(Tc) 2.5W(Ta),90W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD403_DELTA
仓库库存编号:
AOD403_DELTA-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 250μA,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH TO252
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 9A(Ta),50A(Tc) 2.5W(Ta),71W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD425_001
仓库库存编号:
AOD425_001-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6.8A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 6.8A(Tc) 30W(Tc) PG-TO-220-FP
型号:
IPA60R520CPXKSA1
仓库库存编号:
IPA60R520CPXKSA1-ND
别名:IPA60R520CP
IPA60R520CP-ND
SP000405856
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 7.1A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 550V 7.1A(Tc) 66W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50R520CP
仓库库存编号:
IPD50R520CP-ND
别名:SP000236063
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 7.1A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 550V 7.1A(Tc) 66W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS50R520CP
仓库库存编号:
IPS50R520CP-ND
别名:SP000236067
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 6.8A(Tc) 66W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB60R520CPATMA1
仓库库存编号:
IPB60R520CPATMA1CT-ND
别名:IPB60R520CPCT
IPB60R520CPCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 6.8A(Tc) 66W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R520CPBTMA1
仓库库存编号:
IPD60R520CPBTMA1CT-ND
别名:IPD60R520CPCT
IPD60R520CPCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 6.8A(Tc) 66W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R520CPATMA1
仓库库存编号:
IPD60R520CPATMA1-ND
别名:SP000680640
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 250μA,
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