以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 75A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 75A（Tc） 55W（Tc） TO-220F
  
  型号：PSMN3R9-60XSQ
  仓库库存编号：568-11430-5-ND
  别名：568-11430-5
  934068135127
  PSMN3R9-60XSQ-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 108V 100A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 108V 100A（Tj） 263W（Tc） I2PAK
  
  型号：PSMN8R5-108ESQ
  仓库库存编号：568-11432-5-ND
  别名：568-11432-5
  934068134127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 120A（Tc） 349W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK761R5-40EJ
  仓库库存编号：BUK761R5-40EJ-ND
  别名：934067767118
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 14.5A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 14.5A（Tc） 95W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：BUZ31H3046XKSA1
  仓库库存编号：BUZ31H3046XKSA1-ND
  别名：SP000682994
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA,
• 无铅
• 搜索