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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 14.5A（Tc） 95W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：BUZ31
  仓库库存编号：BUZ31IN-ND
  别名：BUZ31-ND
  BUZ31IN
  BUZ31X
  BUZ31XK
  SP000011341
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 14.5A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 14.5A（Tc） 95W（Tc） TO-263
  
  型号：BUZ31 E3045A
  仓库库存编号：BUZ31 E3045A-ND
  别名：BUZ31E3045AT
  SP000011343
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 14.5A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 14.5A（Tc） 95W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：BUZ31 E3046
  仓库库存编号：BUZ31 E3046-ND
  别名：BUZ31E3046X
  BUZ31E3046XK
  SP000011344
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 9.5A（Tc） 75W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：BUZ32
  仓库库存编号：BUZ32IN-ND
  别名：BUZ32-ND
  BUZ32IN
  BUZ32X
  BUZ32XK
  SP000011345
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 9.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 9.5A（Tc） 75W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUZ32 E3045A
  仓库库存编号：BUZ32 E3045A-ND
  别名：BUZ32E3045AT
  SP000011346
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 9.5A（Tc） 75W（Tc） PG-TO263-3
  
  型号：BUZ32H3045AATMA1
  仓库库存编号：BUZ32H3045AATMA1-ND
  别名：BUZ32 H3045A
  BUZ32 L3045A
  BUZ32 L3045A-ND
  BUZ32H3045AIN
  BUZ32H3045AIN-ND
  BUZ32L3045AIN
  BUZ32L3045AIN-ND
  BUZ32L3045AXT
  SP000102174
  SP000736086
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 7A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 7A（Tc） 40W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：BUZ73E3046XK
  仓库库存编号：BUZ73E3046XK-ND
  别名：BUZ73 E3046
  BUZ73 E3046-ND
  BUZ73E3046X
  SP000011963
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 5.5A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 5.5A（Tc） 40W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：BUZ73A
  仓库库存编号：BUZ73AIN-ND
  别名：BUZ73A-ND
  BUZ73AIN
  BUZ73AX
  BUZ73AXK
  SP000011373
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 5.5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 5.5A（Tc） 40W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：BUZ73AE3046XK
  仓库库存编号：BUZ73AE3046XK-ND
  别名：BUZ73A E3046
  BUZ73A E3046-ND
  BUZ73AE3046X
  SP000011962
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 18.7A（Ta） 81.1W（Ta） PG-TO263-3
  
  型号：SPB18P06P
  仓库库存编号：SPB18P06P-ND
  别名：SP000012329
  SPB18P06PT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 18.6A TO-251
  详细描述：通孔 P 沟道 60V 18.6A（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：SPU18P06P
  仓库库存编号：SPU18P06PIN-ND
  别名：SP000012303
  SPU18P06P-ND
  SPU18P06PIN
  SPU18P06PX
  SPU18P06PXK
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 1.7A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP373L6327HTSA1
  仓库库存编号：BSP373L6327HTSA1CT-ND
  别名：BSP373L6327INCT
  BSP373L6327INCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 2.9A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP613PL6327HUSA1
  仓库库存编号：BSP613PL6327HUSA1CT-ND
  别名：BSP613PL6327
  BSP613PL6327INCT
  BSP613PL6327INCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 7A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 7A（Tc） 40W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD07N20
  仓库库存编号：SPD07N20INCT-ND
  别名：SPD07N20INCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 18.6A TO-252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 18.6A（Tc） 80W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD18P06P
  仓库库存编号：SPD18P06PINCT-ND
  别名：SPD18P06PINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 75A（Tc） 200W（Tc） D2PAK
  
  型号：PHB119NQ06T,118
  仓库库存编号：PHB119NQ06T,118-ND
  别名：934058551118
  PHB119NQ06T /T3
  PHB119NQ06T /T3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 75V 45A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 45A（Tc） 158W（Tc） DPAK
  
  型号：BUK7226-75A/C1,118
  仓库库存编号：BUK7226-75A/C1,118-ND
  别名：934061629118
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 75A（Tc） 255W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK753R4-30B,127
  仓库库存编号：568-6624-5-ND
  别名：568-6624
  568-6624-5
  568-6624-ND
  934060026127
  BUK753R4-30B,127-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 75V 100A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 100A（Tc） 333W（Tc） I2PAK
  
  型号：BUK7E4R3-75C,127
  仓库库存编号：568-6630-5-ND
  别名：568-6630
  568-6630-5
  568-6630-ND
  934060123127
  BUK7E4R3-75C,127-ND
  BUK7E4R375C127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 75A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PHP165NQ08T,127
  仓库库存编号：PHP165NQ08T,127-ND
  别名：934062188127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 55A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 55A（Tc） 150W（Tc） DPAK
  
  型号：BUK7213-40A,118
  仓库库存编号：BUK7213-40A,118-ND
  别名：934058199118
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 45A（Tc） 103W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK7524-55,127
  仓库库存编号：BUK7524-55,127-ND
  别名：934045180127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 18A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 18A（Tc） 79W（Tc） DPAK
  
  型号：PHD18NQ10T,118
  仓库库存编号：PHD18NQ10T,118-ND
  别名：934055700118
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 47A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 47A（Tc） TO-220AB
  
  型号：PHP45NQ10TA,127
  仓库库存编号：PHP45NQ10TA,127-ND
  别名：934059957127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 47A（Tc） 166W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK7628-100A/C,118
  仓库库存编号：BUK7628-100A/C,118-ND
  别名：934060683118
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA,
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