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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 75A（Tc） 157W（Tc） I2PAK
  
  型号：BUK7E11-55B,127
  仓库库存编号：568-5723-5-ND
  别名：568-5723
  568-5723-5
  568-5723-ND
  934058023127
  BUK7E11-55B
  BUK7E11-55B,127-ND
  BUK7E11-55B-ND
  BUK7E1155B127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 75A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 75A（Tc） 300W（Tc） I2PAK
  
  型号：BUK7E2R7-30B,127
  仓库库存编号：568-6629-5-ND
  别名：568-6629
  568-6629-5
  568-6629-ND
  934058024127
  BUK7E2R7-30B
  BUK7E2R7-30B,127-ND
  BUK7E2R7-30B-ND
  BUK7E2R730B127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 75A（Tc） 200W（Tc） D2PAK
  
  型号：PHB112N06T,118
  仓库库存编号：PHB112N06T,118-ND
  别名：934056648118
  PHB112N06T /T3
  PHB112N06T /T3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 75A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
  
  型号：PHB160NQ08T,118
  仓库库存编号：PHB160NQ08T,118-ND
  别名：934058283118
  PHB160NQ08T /T3
  PHB160NQ08T /T3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 13.1A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13.1A（Tc） 32.6W（Tc） DPAK
  
  型号：PHD16N03T,118
  仓库库存编号：PHD16N03T,118-ND
  别名：934057666118
  PHD16N03T /T3
  PHD16N03T /T3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 35A（Tc） 136W（Tc） DPAK
  
  型号：PHD34NQ10T,118
  仓库库存编号：PHD34NQ10T,118-ND
  别名：934055807118
  PHD34NQ10T /T3
  PHD34NQ10T /T3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 75A（Tc） 230W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PHP110NQ08T,127
  仓库库存编号：PHP110NQ08T,127-ND
  别名：934058275127
  PHP110NQ08T
  PHP110NQ08T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 75A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PHP160NQ08T,127
  仓库库存编号：PHP160NQ08T,127-ND
  别名：934058278127
  PHP160NQ08T
  PHP160NQ08T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 21A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 21A（Tc） 69W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PHP21N06T,127
  仓库库存编号：PHP21N06T,127-ND
  别名：934054540127
  PHP21N06T
  PHP21N06T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 47A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 47A（Tc） TO-220AB
  
  型号：PHP47NQ10T,127
  仓库库存编号：PHP47NQ10T,127-ND
  别名：934056744127
  PHP47NQ10T
  PHP47NQ10T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 54A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 54A（Tc） 118W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PHP54N06T,127
  仓库库存编号：PHP54N06T,127-ND
  别名：934056643127
  PHP54N06T
  PHP54N06T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 200V 7.6A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 7.6A（Tc） 30W（Tc） TO-220-3
  
  型号：PHX14NQ20T,127
  仓库库存编号：PHX14NQ20T,127-ND
  别名：934055773127
  PHX14NQ20T
  PHX14NQ20T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 200V 8.2A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 8.2A（Tc） 30W（Tc） TO-220-3
  
  型号：PHX18NQ20T,127
  仓库库存编号：PHX18NQ20T,127-ND
  别名：934056396127
  PHX18NQ20T
  PHX18NQ20T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 13A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 13A（Tc） 27W（Tc） TO-220-3
  
  型号：PHX23NQ10T,127
  仓库库存编号：PHX23NQ10T,127-ND
  别名：934055797127
  PHX23NQ10T
  PHX23NQ10T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 200V 5.2A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 5.2A（Tc） 25W（Tc） TO-220-3
  
  型号：PHX9NQ20T,127
  仓库库存编号：PHX9NQ20T,127-ND
  别名：934055769127
  PHX9NQ20T
  PHX9NQ20T-ND
  
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 75A（Tc） TO-220AB
  
  型号：PSMN004-60P,127
  仓库库存编号：PSMN004-60P,127-ND
  别名：934057040127
  PSMN004-60P
  PSMN004-60P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 3.44A 8DSO
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 3.44A（Ta） 2.5W（Ta） PG-DSO-8
  
  型号：BSO613SPV
  仓库库存编号：BSO613SPV-ND
  别名：BSO613SPVT
  SP000012847
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 400V 500MA SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 500mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP298 E6327
  仓库库存编号：BSP298 E6327-ND
  别名：BSP298E6327T
  SP000011109
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 400V 500MA SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 500mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP298L6327HUSA1
  仓库库存编号：BSP298L6327HUSA1TR-ND
  别名：BSP298 L6327
  BSP298 L6327-ND
  BSP298L6327XT
  SP000088258
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 400MA SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 400mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP299 E6327
  仓库库存编号：BSP299 E6327-ND
  别名：BSP299E6327T
  SP000011110
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 190mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP300 E6327
  仓库库存编号：BSP300 E6327-ND
  别名：BSP300E6327T
  SP000011111
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 190mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP300L6327HUSA1
  仓库库存编号：BSP300L6327HUSA1TR-ND
  别名：BSP300 L6327
  BSP300 L6327-ND
  BSP300L6327XT
  SP000089201
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 1.7A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP373 E6327
  仓库库存编号：BSP373 E6327-ND
  别名：BSP373E6327T
  SP000011121
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 2.9A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP613P
  仓库库存编号：BSP613P-ND
  别名：BSP613PT
  SP000012301
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 21A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 21A（Tc） 125W（Tc） PG-TO263-3
  
  型号：BUZ30A E3045A
  仓库库存编号：BUZ30A E3045A-ND
  别名：BUZ30AE3045AT
  SP000011337
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA,
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