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• IXYS
  MOSFET P-CH 600V 18A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 P 沟道 600V 18A（Tc） 310W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXTR32P60P
  仓库库存编号：IXTR32P60P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA,
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• IXYS
  MOSFET 6N-CH 75V 110A 24-SMD
  详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 75V 110A Surface Mount 24-SMD
  
  型号：GMM3X120-0075X2-SMDSAM
  仓库库存编号：GMM3X120-0075X2-SMDSAM-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA,
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• IXYS
  MOSFET 6N-CH 55V 150A 24-SMD
  详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 55V 150A Surface Mount 24-SMD
  
  型号：GMM3X160-0055X2-SMD
  仓库库存编号：GMM3X160-0055X2-SMD-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA,
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• IXYS
  MOSFET 6N-CH 55V 150A 24-SMD
  详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 55V 150A Surface Mount 24-SMD
  
  型号：GMM3X160-0055X2-SMDSAM
  仓库库存编号：GMM3X160-0055X2-SMDSAM-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 600V 32A SOT227
  详细描述：底座安装 P 沟道 600V 32A（Tc） 890W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXTN32P60P
  仓库库存编号：IXTN32P60P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA,
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  MOSFET P-CH 200V 90A SOT227
  详细描述：底座安装 P 沟道 200V 90A（Tc） 890W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXTN90P20P
  仓库库存编号：IXTN90P20P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA,
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  MOSFET 6N-CH 75V 118A ISOPLUS
  详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 75V 118A Surface Mount ISOPLUS-DIL?
  
  型号：GWM120-0075P3-SL
  仓库库存编号：GWM120-0075P3-SL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA,
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• IXYS
  MOSFET 2N-CH 150V 65A I4-PAC-5
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 150V 65A Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：FMM65-015P
  仓库库存编号：FMM65-015P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA,
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• IXYS
  MOSFET 6N-CH 75V 118A ISOPLUS
  详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 75V 118A Surface Mount ISOPLUS-DIL?
  
  型号：GWM120-0075P3-SMD SAM
  仓库库存编号：GWM120-0075P3-SMD SAM-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 100V 70A SP3
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 70A 208W Chassis Mount SP3
  
  型号：APTM10DDAM19T3G
  仓库库存编号：APTM10DDAM19T3G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 100V 70A SP3
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 70A 208W Chassis Mount SP3
  
  型号：APTM10DSKM19T3G
  仓库库存编号：APTM10DSKM19T3G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 4N-CH 100V 70A SP3
  详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 100V 70A 208W Chassis Mount SP3
  
  型号：APTM10HM19FT3G
  仓库库存编号：APTM10HM19FT3G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 6N-CH 75V 120A SP6-P
  详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 75V 120A 138W Chassis Mount SP6-P
  
  型号：APTM08TAM04PG
  仓库库存编号：APTM08TAM04PG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 6N-CH 100V 70A SP6-P
  详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 100V 70A 208W Chassis Mount SP6-P
  
  型号：APTM10TAM19FPG
  仓库库存编号：APTM10TAM19FPG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 21A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 21A（Tc） 125W（Tc） PG-TO263-3
  
  型号：BUZ30AH3045AATMA1
  仓库库存编号：BUZ30AH3045AATMA1CT-ND
  别名：BUZ30AH3045AINCT
  BUZ30AH3045AINCT-ND
  BUZ30AL3045AINCT
  BUZ30AL3045AINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 75A（Tc） 272W（Tc） SOT-426
  
  型号：BUK7107-55ATE,118
  仓库库存编号：568-9628-1-ND
  别名：568-9628-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 120A（Tc） 306W（Tc） D2PAK
  
  型号：PSMN3R8-100BS,118
  仓库库存编号：1727-7109-1-ND
  别名：1727-7109-1
  568-9479-1
  568-9479-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 50V 23A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 50V 23A（Tc） 75W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUZ10
  仓库库存编号：497-2728-5-ND
  别名：497-2728-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 33V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 33V 80A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB130NS04ZBT4
  仓库库存编号：STB130NS04ZBT4-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 33V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 33V 80A（Tc） 215W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB85NS04Z
  仓库库存编号：497-7954-1-ND
  别名：497-7954-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 75A（Tc） 272W（Tc） TO-220-5
  
  型号：BUK794R1-40BT,127
  仓库库存编号：568-9739-5-ND
  别名：568-9739-5
  934058848127
  BUK794R1-40BT
  BUK794R1-40BT,127-ND
  BUK794R1-40BT-ND
  BUK794R140BT127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 75A（Tc） 203W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK755R2-40B,127
  仓库库存编号：568-5721-5-ND
  别名：568-5721
  568-5721-5
  568-5721-ND
  934057704127
  BUK755R2-40B
  BUK755R2-40B,127-ND
  BUK755R2-40B-ND
  BUK755R240B127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 41A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 41A（Tc） 149W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK7535-100A,127
  仓库库存编号：568-9803-5-ND
  别名：568-9803-5
  934055654127
  BUK7535-100A
  BUK7535-100A,127-ND
  BUK7535-100A-ND
  BUK7535100A127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 75A（Tc） 254W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK7506-55B,127
  仓库库存编号：568-6618-5-ND
  别名：568-6618
  568-6618-5
  568-6618-ND
  934057687127
  BUK7506-55B
  BUK7506-55B,127-ND
  BUK7506-55B-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 75A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK7504-40A,127
  仓库库存编号：568-9805-5-ND
  别名：568-9805-5
  934056693127
  BUK7504-40A
  BUK7504-40A,127-ND
  BUK7504-40A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA,
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