产品分类：分立半导体产品,规格：FET 功能 耗尽模式,
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.6A（Tc） 100W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
IXTY1R6N50D2
仓库库存编号：
IXTY1R6N50D2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 功能 耗尽模式,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-252AA
详细描述：表面贴装 N 沟道 100mA（Tc） 1.1W（Ta），25W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
IXTY01N100D
仓库库存编号：
IXTY01N100D-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 功能 耗尽模式,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 20A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 400W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH20N50D
仓库库存编号：
IXTH20N50D-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 功能 耗尽模式,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 350V 500MA TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 500mA（Tj） 15W（Tc） TO-220-3
型号：
DN2535N5-G
仓库库存编号：
DN2535N5-G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 功能 耗尽模式,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 800MA D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 800mA（Tc） 60W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA08N50D2
仓库库存编号：
IXTA08N50D2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 功能 耗尽模式,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 800MA D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 800mA（Tc） 60W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA08N100D2
仓库库存编号：
IXTA08N100D2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 功能 耗尽模式,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 1.6A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 1.6A（Tc） 100W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP1R6N50D2
仓库库存编号：
IXTP1R6N50D2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 功能 耗尽模式,
无铅
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Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 10.6V 12mA, 3mA 500mW Surface Mount 8-SOIC
型号：
ALD114935SAL
仓库库存编号：
1014-1068-ND
别名：1014-1068
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 功能 耗尽模式,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 3A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 3A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP3N100D2
仓库库存编号：
IXTP3N100D2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 功能 耗尽模式,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 3A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 3A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP3N50D2
仓库库存编号：
IXTP3N50D2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 功能 耗尽模式,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 3A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Tc） 125W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA3N100D2
仓库库存编号：
IXTA3N100D2-ND
别名：623496
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 功能 耗尽模式,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 6A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 300W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA6N100D2
仓库库存编号：
IXTA6N100D2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 功能 耗尽模式,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 6A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH6N50D2
仓库库存编号：
IXTH6N50D2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 功能 耗尽模式,
无铅
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Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 10.6V 12mA, 3mA 500mW Surface Mount 8-SOIC
型号：
ALD114904SAL
仓库库存编号：
1014-1064-ND
别名：1014-1064
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 功能 耗尽模式,
无铅
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Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 10.6V 12mA, 3mA 500mW Surface Mount 8-SOIC
型号：
ALD114913SAL
仓库库存编号：
1014-1066-ND
别名：1014-1066
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 功能 耗尽模式,
无铅
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Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC
详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel, Matched Pair 10.6V 12mA, 3mA 500mW Surface Mount 16-SOIC
型号：
ALD114813SCL
仓库库存编号：
1014-1058-ND
别名：1014-1058
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 功能 耗尽模式,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 0.2A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Tc） 1.1W（Ta），25W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
IXTY02N50D
仓库库存编号：
IXTY02N50D-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 功能 耗尽模式,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 16A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 695W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH16N20D2
仓库库存编号：
IXTH16N20D2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 功能 耗尽模式,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 500V 350MA 3DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 350mA（Tj） 2.5W（Ta） TO-252，（D-Pak）
型号：
DN2450K4-G
仓库库存编号：
DN2450K4-GCT-ND
别名：DN2450K4-GCT
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 功能 耗尽模式,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 90V 360MA SOT89-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 360mA（Tj） 1.6W（Ta） TO-243AA（SOT-89）
型号：
DN1509N8-G
仓库库存编号：
DN1509N8-GCT-ND
别名：DN1509N8-GCT
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 功能 耗尽模式,
无铅
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IXYS Integrated Circuits Division
MOSFET N-CH 250V SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.8W（Tc） SOT-223
型号：
CPC3902ZTR
仓库库存编号：
CLA4156-1-ND
别名：CLA4156-1
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 功能 耗尽模式,
无铅
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IXYS Integrated Circuits Division
MOSFET N-CH 400V SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 300mA（Ta） 2.5W（Ta） SOT-223
型号：
CPC3909ZTR
仓库库存编号：
CLA4157-1-ND
别名：CLA4157-1
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 功能 耗尽模式,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 700V 0.17A 3DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 170mA（Tj） 2.5W（Ta） TO-252，（D-Pak）
型号：
DN2470K4-G
仓库库存编号：
DN2470K4-GCT-ND
别名：DN2470K4-GCT
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 功能 耗尽模式,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.6A（Tc） 100W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
IXTY1R6N100D2
仓库库存编号：
IXTY1R6N100D2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 功能 耗尽模式,
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 6A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP6N100D2
仓库库存编号：
IXTP6N100D2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 功能 耗尽模式,
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