产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 500V 8A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） I2PAK
型号：
IRF840LCL
仓库库存编号：
IRF840LCL-ND
别名：*IRF840LCL
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 10A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 400V 10A（Tc） I2PAK
型号：
IRF740LCL
仓库库存编号：
IRF740LCL-ND
别名：*IRF740LCL
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 400V 10A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF740LC
仓库库存编号：
IRF740LC-ND
别名：*IRF740LC
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 10A（Tc） D2PAK
型号：
IRF740LCS
仓库库存编号：
IRF740LCS-ND
别名：*IRF740LCS
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 10A（Tc） D2PAK
型号：
IRF740LCSTRL
仓库库存编号：
IRF740LCSTRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 10A（Tc） D2PAK
型号：
IRF740LCSTRR
仓库库存编号：
IRF740LCSTRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 400V 10A（Tc） TO-220AB
型号：
IRF740L
仓库库存编号：
IRF740L-ND
别名：*IRF740L
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 8A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） D2PAK
型号：
IRF840LCSTRL
仓库库存编号：
IRF840LCSTRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 8A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） D2PAK
型号：
IRF840LCSTRR
仓库库存编号：
IRF840LCSTRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 18A（Tc） 3.7W（Ta），88W（Tc） D2PAK
型号：
IRF9Z34STRR
仓库库存编号：
IRF9Z34STRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 600V 6.2A（Tc） 125W（Tc） I2PAK
型号：
IRFBC40LCL
仓库库存编号：
IRFBC40LCL-ND
别名：*IRFBC40LCL
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 600V 6.2A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFBC40LC
仓库库存编号：
IRFBC40LC-ND
别名：*IRFBC40LC
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 6.2A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
型号：
IRFBC40LCS
仓库库存编号：
IRFBC40LCS-ND
别名：*IRFBC40LCS
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 6.2A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
型号：
IRFBC40LCSTRL
仓库库存编号：
IRFBC40LCSTRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 6.2A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
型号：
IRFBC40LCSTRR
仓库库存编号：
IRFBC40LCSTRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 9A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
型号：
IRL630STRR
仓库库存编号：
IRL630STRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 16.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 16.5A（Tc） 3.75W（Ta），100W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FQB17P10TM
仓库库存编号：
FQB17P10TM-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 120V 15A I2PAK
详细描述：通孔 P 沟道 120V 15A（Tc） 3.75W（Ta），100W（Tc） I2PAK
型号：
FQI15P12TU
仓库库存编号：
FQI15P12TU-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 10.5A TO-220F
详细描述：通孔 P 沟道 100V 10.5A（Tc） 41W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF17P10
仓库库存编号：
FQPF17P10-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 120V 15A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 120V 15A（Tc） 3.75W（Ta），100W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FQB15P12TM
仓库库存编号：
FQB15P12TM-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 12.4A TO-3PF
详细描述：通孔 P 沟道 100V 12.4A（Tc） 56W（Tc） TO-3PF
型号：
FQAF17P10
仓库库存编号：
FQAF17P10-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 18A TO-3P
详细描述：通孔 P 沟道 100V 18A（Tc） 120W（Tc） TO-3P
型号：
FQA17P10
仓库库存编号：
FQA17P10-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 4.2A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 900V 4.2A（Tc） 140W（Tc） TO-220-3
型号：
FQP4N90
仓库库存编号：
FQP4N90-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 2.5A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 900V 2.5A（Tc） 47W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF4N90
仓库库存编号：
FQPF4N90-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 4.2A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 900V 4.2A（Tc） 3.13W（Ta），140W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FQB4N90TM
仓库库存编号：
FQB4N90TM-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
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