产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.5A(Tc),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(143)
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
(7)
晶体管 - FET,MOSFET - 单
(136)
筛选品牌
Fairchild/ON Semiconductor(38)
Global Power Technologies Group(8)
Infineon Technologies(26)
Microsemi Corporation(8)
Rohm Semiconductor(1)
STMicroelectronics(18)
Taiwan Semiconductor Corporation(13)
Vishay Siliconix(31)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 500V 4.5A(Tc) 92.5W(Tc) TO-220
型号:
GP1M005A050H
仓库库存编号:
GP1M005A050H-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.5A(Tc),
无铅
搜索
Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 4.5A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 500V 4.5A(Tc) 92.5W(Tc) I-Pak
型号:
GP1M005A050PH
仓库库存编号:
GP1M005A050PH-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.5A(Tc),
无铅
搜索
Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 500V 4.5A(Tc) 32.9W(Tc) TO-220F
型号:
GP2M005A050FG
仓库库存编号:
GP2M005A050FG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.5A(Tc),
无铅
搜索
Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 500V 4.5A(Tc) 98.4W(Tc) TO-220
型号:
GP2M005A050HG
仓库库存编号:
GP2M005A050HG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.5A(Tc),
无铅
搜索
Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 4.5A(Tc) 98.4W(Tc) D-Pak
型号:
GP2M005A050CG
仓库库存编号:
1560-1197-1-ND
别名:1560-1197-1
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.5A(Tc),
无铅
搜索
Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 4.5A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 500V 4.5A(Tc) 98.4W(Tc) I-Pak
型号:
GP2M005A050PG
仓库库存编号:
1560-1198-5-ND
别名:1560-1198-1
1560-1198-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.5A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 4.5A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 560V 4.5A(Tc) 31W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
SPA04N50C3XKSA1
仓库库存编号:
SPA04N50C3XKSA1-ND
别名:SP000216298
SPA04N50C3
SPA04N50C3IN
SPA04N50C3IN-ND
SPA04N50C3X
SPA04N50C3XK
SPA04N50C3XTIN
SPA04N50C3XTIN-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.5A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 4.5A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 560V 4.5A(Tc) 50W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP04N50C3HKSA1
仓库库存编号:
SPP04N50C3HKSA1-ND
别名:SPP04N50C3
SPP04N50C3IN
SPP04N50C3IN-ND
SPP04N50C3X
SPP04N50C3XK
SPP04N50C3XTIN
SPP04N50C3XTIN-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.5A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 4.5A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 650V 4.5A(Tc) 50W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP04N60C3HKSA1
仓库库存编号:
SPP04N60C3HKSA1-ND
别名:SPP04N60C3
SPP04N60C3IN
SPP04N60C3IN-ND
SPP04N60C3X
SPP04N60C3XK
SPP04N60C3XTIN
SPP04N60C3XTIN-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.5A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 4.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 4.5A(Tc) 50W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD04N60C3BTMA1
仓库库存编号:
SPD04N60C3BTMA1CT-ND
别名:SPD04N60C3INCT
SPD04N60C3INCT-ND
SPD04N60C3XTINCT
SPD04N60C3XTINCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.5A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 4.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 560V 4.5A(Tc) 50W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD04N50C3T
仓库库存编号:
SPD04N50C3XTINCT-ND
别名:SPD04N50C3XTINCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.5A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 4.5A(Tc) 50W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP04N60S5BKSA1
仓库库存编号:
SPP04N60S5BKSA1-ND
别名:SP000012363
SP000681026
SPP04N60S5
SPP04N60S5-ND
SPP04N60S5IN
SPP04N60S5IN-ND
SPP04N60S5X
SPP04N60S5XK
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.5A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 600V 4.5A(Tc) 50W(Tc) PG-TO251-3
型号:
SPU04N60S5BKMA1
仓库库存编号:
SPU04N60S5BKMA1-ND
别名:SP000012424
SPU04N60S5
SPU04N60S5-ND
SPU04N60S5IN
SPU04N60S5IN-ND
SPU04N60S5X
SPU04N60S5XK
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.5A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 4.5A(Tc) 50W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB04N60S5ATMA1
仓库库存编号:
SPB04N60S5ATMA1CT-ND
别名:SPB04N60S5INCT
SPB04N60S5INCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.5A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 4.5A(Tc) 50W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD04N60S5
仓库库存编号:
SPD04N60S5INCT-ND
别名:SPD04N60S5INCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.5A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 4.5A TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 650V 4.5A(Tc) 50W(Tc) PG-TO251-3
型号:
SPS04N60C3BKMA1
仓库库存编号:
SPS04N60C3BKMA1-ND
别名:SP000086711
SP000307419
SPS04N60C3
SPS04N60C3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.5A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 800V 4.5A(Tc) 33W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA80R650CEXKSA1
仓库库存编号:
IPA80R650CEXKSA1-ND
别名:SP001286432
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.5A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 4.5A(Tc) 50W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD04N60S5BTMA1
仓库库存编号:
SPD04N60S5BTMA1-ND
别名:SP000313946
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.5A(Tc),
无铅
搜索
1
2
3
4
5
6
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号