产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.5A（Tc）,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 4.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 4.5A（Tc） 3.13W（Ta），52W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FQB5N20TM
仓库库存编号：
FQB5N20TM-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.5A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 4.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 4.5A（Tc） 3.13W（Ta），70W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FQB5N40TM
仓库库存编号：
FQB5N40TM-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.5A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 4.5A（Tc） 2.5W（Ta），61W（Tc） D-Pak
型号：
FQD6N50CTF
仓库库存编号：
FQD6N50CTF-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.5A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 4.5A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 400V 4.5A（Tc） 3.13W（Ta），70W（Tc） I2PAK
型号：
FQI5N40TU
仓库库存编号：
FQI5N40TU-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.5A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 4.5A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 500V 4.5A（Tc） 2.5W（Ta），61W（Tc） I-Pak
型号：
FQU6N50CTU
仓库库存编号：
FQU6N50CTU-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.5A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 600V 4.5A（Tc） 33W（Tc） TO-220F-3（Y 型）
型号：
FQPF5N60CYDTU
仓库库存编号：
FQPF5N60CYDTU-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.5A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 4.5A（Tc） 3.13W（Ta），85W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FQB5N50TM
仓库库存编号：
FQB5N50TM-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.5A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 4.5A（Tc） 3.13W（Ta），100W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FQB5N60CTM
仓库库存编号：
FQB5N60CTM-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.5A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 4.5A TO-3PF
详细描述：通孔 N 沟道 900V 4.5A（Tc） 96W（Tc） TO-3PF
型号：
FQAF6N90
仓库库存编号：
FQAF6N90-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.5A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 4.5A D-PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 4.5A（Tc） 40W（Tc） D-Pak
型号：
FDD6N20TF
仓库库存编号：
FDD6N20TFCT-ND
别名：FDD6N20TFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.5A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 4.5A SC-70-6
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 4.5A（Tc） 1.9W（Ta），6.5W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 双
型号：
SIA810DJ-T1-E3
仓库库存编号：
SIA810DJ-T1-E3CT-ND
别名：SIA810DJ-T1-E3CT
SIA810DJT1E3
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.5A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 4.5A（Tc） 1.9W（Ta），6.5W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 双
型号：
SIA811DJ-T1-E3
仓库库存编号：
SIA811DJ-T1-E3CT-ND
别名：SIA811DJ-T1-E3CT
SIA811DJT1E3
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.5A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 4.5A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 400V 4.5A（Tc） 2.5W（Ta），48W（Tc） I-Pak
型号：
FQU6N40CTU_NBEA001
仓库库存编号：
FQU6N40CTU_NBEA001-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.5A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 4.5A（Tc） 1.9W（Ta），6.5W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 双
型号：
SIA811DJ-T1-GE3
仓库库存编号：
SIA811DJ-T1-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.5A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 4.5A SC70-6
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 4.5A（Tc） 1.9W（Ta），6.5W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 双
型号：
SIA814DJ-T1-GE3
仓库库存编号：
SIA814DJ-T1-GE3CT-ND
别名：SIA814DJ-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.5A（Tc）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH TO-204AE TO-3
详细描述：通孔 N 沟道 500V 4.5A（Tc） 4W（Ta），75W（Tc） TO-204AA（TO-3）
型号：
JAN2N6762
仓库库存编号：
JAN2N6762-ND
别名：JAN2N6762-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.5A（Tc）,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 18-LCC
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 4.5A（Tc） 800mW（Tc） 18-ULCC（9.14x7.49）
型号：
JAN2N6788U
仓库库存编号：
JAN2N6788U-ND
别名：JAN2N6788U-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.5A（Tc）,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH TO-204AA TO-3
详细描述：通孔 N 沟道 500V 4.5A（Tc） 4W（Ta），75W（Tc） TO-204AA（TO-3）
型号：
JANTX2N6762
仓库库存编号：
JANTX2N6762-ND
别名：JANTX2N6762-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.5A（Tc）,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 18-LCC
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 4.5A（Tc） 800mW（Tc） 18-ULCC（9.14x7.49）
型号：
JANTX2N6788U
仓库库存编号：
JANTX2N6788U-ND
别名：JANTX2N6788U-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.5A（Tc）,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH
详细描述：通孔 N 沟道 500V 4.5A（Tc） 4W（Ta），75W（Tc） TO-204AA（TO-3）
型号：
JANTXV2N6762
仓库库存编号：
JANTXV2N6762-ND
别名：JANTXV2N6762-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.5A（Tc）,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 4.5A
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 4.5A（Tc） 800mW（Tc） 18-ULCC（9.14x7.49）
型号：
JANTXV2N6788U
仓库库存编号：
JANTXV2N6788U-ND
别名：JANTXV2N6788U-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.5A（Tc）,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V TO-3
详细描述：通孔 N 沟道 500V 4.5A（Tc） 4W（Ta），75W（Tc） TO-204AA
型号：
2N6762
仓库库存编号：
2N6762-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.5A（Tc）,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 18LCC
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 4.5A（Tc） 800mW（Tc） 18-ULCC（9.14x7.49）
型号：
2N6788U
仓库库存编号：
2N6788U-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.5A（Tc）,
含铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 4.5A（Tc） 92.5W（Tc） D-Pak
型号：
GP1M005A050CH
仓库库存编号：
GP1M005A050CH-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.5A（Tc）,
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 500V 4.5A（Tc） 32W（Tc） TO-220F
型号：
GP1M005A050FH
仓库库存编号：
GP1M005A050FH-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.5A（Tc）,
无铅
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