产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100mA（Ta）,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 0.1A VMT3
详细描述：表面贴装 P 沟道 100mA（Ta） 150mW（Ta） VMT3
型号：
RZM001P02T2L
仓库库存编号：
RZM001P02T2LCT-ND
别名：RZM001P02T2LCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100mA（Ta）,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 0.1A VMT3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100mA（Ta） 150mW（Ta） VMT3
型号：
RUM001L02T2CL
仓库库存编号：
RUM001L02T2CLCT-ND
别名：RUM001L02T2CLCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100mA（Ta）,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V .1A SOT416
详细描述：表面贴装 N 沟道 100mA（Ta） 150mW（Ta） EMT3
型号：
2SK3019TL
仓库库存编号：
2SK3019TLCT-ND
别名：2SK3019TLCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100mA（Ta）,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V .1A SOT-323
详细描述：表面贴装 N 沟道 100mA（Ta） 200mW（Ta） UMT3
型号：
2SK3018T106
仓库库存编号：
2SK3018T106CT-ND
别名：2SK3018T106CT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100mA（Ta）,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V .1A VMT3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100mA（Ta） 150mW（Ta） VMT3
型号：
2SK3541T2L
仓库库存编号：
2SK3541T2LCT-ND
别名：2SK3541T2LCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100mA（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V .1A SOT23-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100mA（Ta） 330mW（Ta） SOT-23-3
型号：
ZVN3310FTA
仓库库存编号：
ZVN3310FCT-ND
别名：BST82
ZVN3310F
ZVN3310FCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100mA（Ta）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 30V 0.1A VESM
详细描述：表面贴装 P 沟道 100mA（Ta） 150mW（Ta） VESM
型号：
SSM3J15FV,L3F
仓库库存编号：
SSM3J15FVL3FCT-ND
别名：SSM3J15FVL3FCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100mA（Ta）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 0.1A SSM
详细描述：表面贴装 N 沟道 100mA（Ta） 150mW（Ta） USM
型号：
SSM3K15AFU,LF
仓库库存编号：
SSM3K15AFULFCT-ND
别名：SSM3K15AFULFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100mA（Ta）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 0.1A U-MOS III
详细描述：表面贴装 N 沟道 100mA（Ta） 150mW（Ta） VESM
型号：
SSM3K15AMFV,L3F
仓库库存编号：
SSM3K15AMFVL3FCT-ND
别名：SSM3K15AMFVL3FCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100mA（Ta）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 0.1A SSM
详细描述：表面贴装 N 沟道 100mA（Ta） 100mW（Ta） SSM
型号：
SSM3K15AFS,LF
仓库库存编号：
SSM3K15AFSLFCT-ND
别名：SSM3K15AFSLFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100mA（Ta）,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 0.1A VML0806
详细描述：表面贴装 P 沟道 100mA（Ta） 100mW（Ta） VML0806
型号：
RV1C001ZPT2L
仓库库存编号：
RV1C001ZPT2LCT-ND
别名：RV1C001ZPT2LCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100mA（Ta）,
无铅
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Panasonic Electronic Components
MOSFET N-CH 60V 100MA SSSMINI3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100mA（Ta） 100mW（Ta） SSSMini3-F2-B
型号：
FK3306010L
仓库库存编号：
FK3306010LCT-ND
别名：FK3306010LCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100mA（Ta）,
无铅
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Panasonic Electronic Components
MOSFET N-CH 30V 100MA SSSMINI3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100mA（Ta） 100mW（Ta） SSSMini3-F2-B
型号：
FK3303010L
仓库库存编号：
FK3303010LCT-ND
别名：FK3303010LCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100mA（Ta）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 20V 0.1A USM
详细描述：表面贴装 N 沟道 100mA（Ta） 150mW（Ta） USM
型号：
SSM3K16FU,LF
仓库库存编号：
SSM3K16FULFCT-ND
别名：SSM3K16FULFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100mA（Ta）,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 0.1A EMT3FM
详细描述：表面贴装 N 沟道 100mA（Ta） 150mW（Ta） EMT3F（SOT-416FL）
型号：
RE1C001UNTCL
仓库库存编号：
RE1C001UNTCLCT-ND
别名：RE1C001UNTCLCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100mA（Ta）,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 0.1A UMT3F
详细描述：表面贴装 N 沟道 100mA（Ta） 150mW（Ta） UMT3F
型号：
RU1C001UNTCL
仓库库存编号：
RU1C001UNTCLCT-ND
别名：RU1C001UNTCLCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100mA（Ta）,
无铅
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Panasonic Electronic Components
MOSFET N-CH 30V 100MA SMINI3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100mA（Ta） 150mW（Ta） SMini3-F2-B
型号：
FK3503010L
仓库库存编号：
FK3503010LCT-ND
别名：FK3503010LCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100mA（Ta）,
无铅
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Panasonic Electronic Components
MOSFET N-CH 60V 100MA SMINI3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100mA（Ta） 150mW（Ta） SMini3-F2-B
型号：
FK3506010L
仓库库存编号：
FK3506010LCT-ND
别名：FK3506010LCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100mA（Ta）,
无铅
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Central Semiconductor Corp
MOSFET N-CH 20V 0.1A SOT883
详细描述：表面贴装 N 沟道 100mA（Ta） 100mW（Ta） SOT-883VL
型号：
CEDM7001VL TR
仓库库存编号：
CEDM7001VL CT-ND
别名：CEDM7001VL CT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100mA（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 100mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS139H6327XTSA1
仓库库存编号：
BSS139H6327XTSA1CT-ND
别名：BSS139 H6327CT
BSS139 H6327CT-ND
BSS139H6327XTSA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100mA（Ta）,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 0.1A UMT3F
详细描述：表面贴装 P 沟道 100mA（Ta） 150mW（Ta） UMT3F
型号：
RU1C001ZPTL
仓库库存编号：
RU1C001ZPTLCT-ND
别名：RU1C001ZPTLCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100mA（Ta）,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 50V 100MA 3CP
详细描述：表面贴装 N 沟道 100mA（Ta） 250mW（Ta） 3-CP
型号：
5LN01C-TB-E
仓库库存编号：
5LN01C-TB-EOSCT-ND
别名：5LN01C-TB-EOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100mA（Ta）,
无铅
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Central Semiconductor Corp
MOSFET P-CH 20V 0.1A SOT883
详细描述：表面贴装 P 沟道 100mA（Ta） 100mW（Ta） SOT-883VL
型号：
CEDM8001VL TR
仓库库存编号：
CEDM8001VL CT-ND
别名：CEDM8001VL CT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100mA（Ta）,
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Central Semiconductor Corp
MOSFET P-CH 20V 0.1A SOT523
详细描述：表面贴装 P 沟道 100mA（Ta） 250mW（Ta） SOT-523
型号：
CMUDM8001 TR
仓库库存编号：
CMUDM8001 CT-ND
别名：CMUDM8001 CT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100mA（Ta）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 0.1A VESM
详细描述：表面贴装 P 沟道 100mA（Ta） 150mW（Ta） VESM
型号：
SSM3J35MFV,L3F
仓库库存编号：
SSM3J35MFVL3FCT-ND
别名：SSM3J35MFV(TL3T)CT
SSM3J35MFV(TL3T)CT-ND
SSM3J35MFVL3FCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100mA（Ta）,
无铅
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