产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 14A（Tc）,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH TO-267AB
详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 14A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-267AB
型号：
JAN2N7227U
仓库库存编号：
JAN2N7227U-ND
别名：JAN2N7227U-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 14A（Tc）,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH TO-204AA TO-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 14A（Tc） 4W（Ta），75W（Tc） TO-204AA
型号：
JANTX2N6756
仓库库存编号：
JANTX2N6756-ND
别名：JANTX2N6756-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 14A（Tc）,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH TO-204AE TO-3
详细描述：通孔 N 沟道 400V 14A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-3
型号：
JANTX2N6768
仓库库存编号：
JANTX2N6768-ND
别名：JANTX2N6768-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 14A（Tc）,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH TO-254AA
详细描述：通孔 N 沟道 400V 14A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-3
型号：
JANTX2N6768T1
仓库库存编号：
JANTX2N6768T1-ND
别名：JANTX2N6768T1-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 14A（Tc）,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH
详细描述：通孔 N 沟道 400V 14A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-254AA
型号：
JANTX2N7227
仓库库存编号：
JANTX2N7227-ND
别名：JANTX2N7227-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 14A（Tc）,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH
详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 14A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-267AB
型号：
JANTX2N7227U
仓库库存编号：
JANTX2N7227U-ND
别名：JANTX2N7227U-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 14A（Tc）,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 14A
详细描述：通孔 N 沟道 100V 14A（Tc） 4W（Ta），75W（Tc） TO-204AA（TO-3）
型号：
JANTXV2N6756
仓库库存编号：
JANTXV2N6756-ND
别名：JANTXV2N6756-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 14A（Tc）,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH
详细描述：通孔 N 沟道 400V 14A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-204AE（TO-3）
型号：
JANTXV2N6768
仓库库存编号：
JANTXV2N6768-ND
别名：JANTXV2N6768-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 14A（Tc）,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH
详细描述：通孔 N 沟道 400V 14A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-254AA
型号：
JANTXV2N6768T1
仓库库存编号：
JANTXV2N6768T1-ND
别名：JANTXV2N6768T1-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 14A（Tc）,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH
详细描述：通孔 N 沟道 400V 14A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-254AA
型号：
JANTXV2N7227
仓库库存编号：
JANTXV2N7227-ND
别名：JANTXV2N7227-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 14A（Tc）,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH
详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 14A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-267AB
型号：
JANTXV2N7227U
仓库库存编号：
JANTXV2N7227U-ND
别名：JANTXV2N7227U-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 14A（Tc）,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 400V TO-254AA
详细描述：通孔 N 沟道 400V 14A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-254AA
型号：
2N7227
仓库库存编号：
2N7227-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 14A（Tc）,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 400V SMD1
详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 14A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-267AB
型号：
2N7227U
仓库库存编号：
2N7227U-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 14A（Tc）,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V TO-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 14A（Tc） 4W（Ta），75W（Tc） TO-204AA
型号：
2N6756
仓库库存编号：
2N6756-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 14A（Tc）,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 400V TO-204AE TO-3
详细描述：通孔 N 沟道 400V 14A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-3
型号：
2N6768
仓库库存编号：
2N6768-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 14A（Tc）,
含铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 14A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 500V 14A（Tc） 231W（Tc） TO-220
型号：
GP1M015A050H
仓库库存编号：
GP1M015A050H-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 14A（Tc）,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 14A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 500V 14A（Tc） 53W（Tc） TO-220F
型号：
GP1M015A050FH
仓库库存编号：
1560-1182-5-ND
别名：1560-1182-1
1560-1182-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 14A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 14A（Tc） 360W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH14N100Q
仓库库存编号：
IXFH14N100Q-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 14A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 14A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 60V 14A（Tc） 29W（Tc） TO-220AB 整包
型号：
IRFIZ24E
仓库库存编号：
IRFIZ24E-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 14A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 14A（Tc） 3.8W（Ta），79W（Tc） D2PAK
型号：
IRF9530NS
仓库库存编号：
IRF9530NS-ND
别名：*IRF9530NS
SP001555896
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 14A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 14A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 150V 14A（Tc） 86W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU13N15D
仓库库存编号：
IRFU13N15D-ND
别名：*IRFU13N15D
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 14A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 14A TO-262
详细描述：通孔 P 沟道 100V 14A（Tc） 3.8W（Ta），79W（Tc） TO-262
型号：
IRF9530NL
仓库库存编号：
IRF9530NL-ND
别名：*IRF9530NL
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 14A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 14A（Tc） 3.8W（Ta），79W（Tc） D2PAK
型号：
IRF9530NSTRR
仓库库存编号：
IRF9530NSTRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 14A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 14A TO-220FP
详细描述：通孔 P 沟道 55V 14A（Tc） 37W（Tc） TO-220AB 整包
型号：
IRFI9Z34N
仓库库存编号：
IRFI9Z34N-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 14A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 14A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 14A（Tc） 144W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR12N25D
仓库库存编号：
IRFR12N25D-ND
别名：*IRFR12N25D
SP001572818
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 14A（Tc）,
含铅
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