产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Tc),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(260)
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
(4)
晶体管 - FET,MOSFET - 单
(256)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(13)
Central Semiconductor Corp(1)
Diodes Incorporated(1)
Fairchild/ON Semiconductor(23)
Global Power Technologies Group(10)
Infineon Technologies(18)
IXYS(24)
Microsemi Corporation(12)
NXP USA Inc.(1)
Panasonic Electronic Components(1)
Rohm Semiconductor(7)
STMicroelectronics(46)
Taiwan Semiconductor Corporation(19)
Vishay Siliconix(84)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 8A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Tc) 18W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SQS420EN-T1_GE3
仓库库存编号:
SQS420EN-T1_GE3-ND
别名:SQS420EN-T1-GE3
SQS420EN-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Tc),
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 38W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF8T50P
仓库库存编号:
AOTF8T50P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Tc),
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 500V 8A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 38.5W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF8N50
仓库库存编号:
AOTF8N50-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Tc),
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 500V 8A TO262F
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 27.8W(Tc) TO-262F
型号:
AOWF8N50
仓库库存编号:
AOWF8N50-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Tc),
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 400V 8A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 132W(Tc) TO-220
型号:
AOT9N40L
仓库库存编号:
785-1417-5-ND
别名:785-1417-5
AOT9N40
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Tc),
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 650V 8A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 208W(Tc) TO-220
型号:
AOT8N65
仓库库存编号:
AOT8N65-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Tc),
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 650V 8A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 50W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF8N65
仓库库存编号:
AOTF8N65-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C M
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A (Tc) 3.9W Surface Mount 8-SOIC
型号:
SQ4282EY-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ4282EY-T1_GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Tc),
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N CH 400V 8A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 8A(Tc) 125W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD9N40
仓库库存编号:
785-1386-1-ND
别名:785-1386-1
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 8A(Tc) 60W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD80R600P7ATMA1
仓库库存编号:
IPD80R600P7ATMA1CT-ND
别名:IPD80R600P7ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Tc),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 501V 650V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
DMG8N65SCT
仓库库存编号:
DMG8N65SCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Tc),
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 3.1W(Ta),125W(Tc) I2PAK
型号:
IRF840LCLPBF
仓库库存编号:
IRF840LCLPBF-ND
别名:*IRF840LCLPBF
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Tc) 3.1W(Ta),125W(Tc) D2PAK
型号:
IRF840LCSPBF
仓库库存编号:
IRF840LCSPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A TO-262
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Tc) 125W(Tc) TO-263AB
型号:
IRF840LPBF
仓库库存编号:
IRF840LPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Tc) 3.1W(Ta),125W(Tc) TO-263AB
型号:
IRF840LCSTRRPBF
仓库库存编号:
IRF840LCSTRRPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 8A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP8N50P
仓库库存编号:
IXTP8N50P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 60W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU80R600P7AKMA1
仓库库存编号:
IPU80R600P7AKMA1-ND
别名:SP001644622
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 60W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS80R600P7AKMA1
仓库库存编号:
IPS80R600P7AKMA1-ND
别名:SP001644630
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 8A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) TO-251
型号:
IXTU08N100P
仓库库存编号:
IXTU08N100P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 8A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 180W(Tc) TO-220AB
型号:
IXFP8N50P3
仓库库存编号:
IXFP8N50P3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 28W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA80R600P7XKSA1
仓库库存编号:
IPA80R600P7XKSA1-ND
别名:SP001644604
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 60W(Tc) PG-TO220-3
型号:
IPP80R600P7XKSA1
仓库库存编号:
IPP80R600P7XKSA1-ND
别名:SP001644610
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 8A TO-263AA
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Tc) 180W(Tc) TO-263(IXFA)
型号:
IXFA8N50P3
仓库库存编号:
IXFA8N50P3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1200V 8A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) TO-220AB
型号:
IXTY08N120P
仓库库存编号:
IXTY08N120P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF840LC
仓库库存编号:
IRF840LC-ND
别名:*IRF840LC
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Tc),
含铅
搜索
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号