产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 34A(Tc),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 34A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 34A(Tc) 540W(Tc) TO-263AA
型号:
IXFA34N65X2
仓库库存编号:
IXFA34N65X2-ND
别名:IXFA34N65X2X
IXFA34N65X2X-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 34A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 34A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 34A(Tc) 540W(Tc) TO-247
型号:
IXTH34N65X2
仓库库存编号:
IXTH34N65X2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 34A(Tc),
无铅
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Sanken
MOSFET N-CH 100V 34A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 34A(Tc) 90W(Tc) TO-220
型号:
EKI10300
仓库库存编号:
EKI10300-ND
别名:EKI10300 DK
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 34A(Tc),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 40V 34A TO220FL
详细描述:通孔 P 沟道 34A(Tc) 33W(Tc) TO-220FL
型号:
AOTF4185
仓库库存编号:
AOTF4185-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 34A(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 34A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 34A(Tc) 96W(Tc) D2PAK
型号:
BUK7631-100E,118
仓库库存编号:
1727-1061-1-ND
别名:1727-1061-1
568-10170-1
568-10170-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 34A(Tc),
不受无铅要求限制
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Sanken
MOSFET N-CH 100V 34A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 34A(Tc) 90W(Tc) TO-263
型号:
SKI10297
仓库库存编号:
SKI10297CT-ND
别名:SKI10297CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 34A(Tc),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 34A 8HVSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 34A(Tc) 1.5W(Ta) 8-HWSON(3.3x3.3)
型号:
UPA2822T1L-E1-AT
仓库库存编号:
UPA2822T1L-E1-AT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 34A(Tc),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 80V 34A SOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 34A(Tc) 1.6W(Ta),61W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)
型号:
TPH8R008NH,L1Q
仓库库存编号:
TPH8R008NHL1QCT-ND
别名:TPH8R008NHL1QCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 34A(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 34A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 800V 34A(Tc) 417W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APT34N80LC3G
仓库库存编号:
APT34N80LC3G-ND
别名:APT34N80LC3GMI
APT34N80LC3GMI-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 34A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 34A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 34A(Tc) 310W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR44N50Q
仓库库存编号:
IXFR44N50Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 34A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 34A ISOPLUS264
详细描述:通孔 N 沟道 900V 34A(Tc) 580W(Tc) ISOPLUS264?
型号:
IXFL39N90
仓库库存编号:
IXFL39N90-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 34A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 34A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 800V 34A(Tc) 600W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN34N80
仓库库存编号:
IXFN34N80-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 34A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 34A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 34A(Tc) 700W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN34N100
仓库库存编号:
IXFN34N100-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 34A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1100V 34A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 1100V 34A(Tc) 890W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN40N110P
仓库库存编号:
IXFN40N110P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 34A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 34A ISOPLUS227
详细描述:底座安装 N 沟道 900V 34A(Tc) 580W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFE39N90
仓库库存编号:
IXFE39N90-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 34A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 34A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 200V 34A(Tc) 136W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI320N20N3GAKSA1
仓库库存编号:
IPI320N20N3GAKSA1-ND
别名:IPI320N20N3 G
IPI320N20N3 G-ND
IPI320N20N3G
SP000714312
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 34A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 34A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 34A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD320N20N3GBTMA1
仓库库存编号:
IPD320N20N3GBTMA1CT-ND
别名:IPD320N20N3 GCT
IPD320N20N3 GCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 34A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 34A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 200V 34A(Tc) 180W(Tc) TO-247-3
型号:
STW34NB20
仓库库存编号:
497-2659-5-ND
别名:497-2659-5
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 34A(Tc),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 34A QFN3333
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 34A(Tc) 65W(Tc) 8-DFN3333(3.3x3.3)
型号:
PSMN023-80LS,115
仓库库存编号:
568-5583-1-ND
别名:568-5583-1
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 34A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 34A MAX247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 34A(Tc) 450W(Tc) MAX247?
型号:
STY34NB50
仓库库存编号:
497-2680-5-ND
别名:497-2680-5
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 34A(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 34A SUPER247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 34A(Tc) 450W(Tc) SUPER-247(TO-274AA)
型号:
IRFPS35N50LPBF
仓库库存编号:
IRFPS35N50LPBF-ND
别名:*IRFPS35N50LPBF
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 34A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 34A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 150V 34A(Tc) 204W(Tc) TO-3P
型号:
SFH154
仓库库存编号:
SFH154-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 34A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 34A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 200V 34A(Tc) 210W(Tc) TO-3P
型号:
FQA34N20L
仓库库存编号:
FQA34N20L-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 34A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 34A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 200V 34A(Tc) 210W(Tc) TO-3P
型号:
FQA34N20
仓库库存编号:
FQA34N20-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 34A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 34A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 250V 34A(Tc) 245W(Tc) TO-3P
型号:
FQA34N25
仓库库存编号:
FQA34N25-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 34A(Tc),
无铅
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