产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 21A(Tc),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 21A(Tc) 90W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB21N10T
仓库库存编号:
SPB21N10T-ND
别名:SP000013626
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 21A(Tc),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 21A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 21A(Tc) 69W(Tc) TO-220AB
型号:
PHP21N06T,127
仓库库存编号:
PHP21N06T,127-ND
别名:934054540127
PHP21N06T
PHP21N06T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 21A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 21A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 21A(Tc) 125W(Tc) PG-TO263-3
型号:
BUZ30A E3045A
仓库库存编号:
BUZ30A E3045A-ND
别名:BUZ30AE3045AT
SP000011337
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 21A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 21A(Tc) 90W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB21N10 G
仓库库存编号:
SPB21N10 G-ND
别名:SP000102171
SPB21N10GXT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 21A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 21A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 100V 21A(Tc) 90W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI21N10
仓库库存编号:
SPI21N10IN-ND
别名:SP000013843
SPI21N10-ND
SPI21N10IN
SPI21N10X
SPI21N10XK
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 21A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 21A(Tc) 3.8W(Ta),94W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3315STRRPBF
仓库库存编号:
IRF3315STRRPBF-ND
别名:SP001559556
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 21A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 21A(Tc) 68W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD530N15N3GBTMA1
仓库库存编号:
IPD530N15N3GBTMA1CT-ND
别名:IPD530N15N3 GCT
IPD530N15N3 GCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 21A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 21A(Tc) 3.8W(Ta),94W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRF3315S
仓库库存编号:
AUIRF3315S-ND
别名:SP001520202
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 21A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 21A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 500V 21A(Tc) 208W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI21N50C3HKSA1
仓库库存编号:
SPI21N50C3HKSA1-ND
别名:SP000014463
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 21A(Tc),
无铅
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