产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Tc）,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 21A（Tc） 160W（Tc） D2PAK
型号：
STB25NM60N
仓库库存编号：
497-5003-1-ND
别名：497-5003-1
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 21A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 600V 21A（Tc） 160W（Tc） I2PAK
型号：
STB25NM60N-1
仓库库存编号：
497-5730-ND
别名：497-5730
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 21A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 600V 21A（Tc） 160W（Tc） I2PAK
型号：
STI25NM60ND
仓库库存编号：
STI25NM60ND-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Tc）,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V QFN3333
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 21A（Tc） 50W（Tc） 8-DFN3333（3.3x3.3）
型号：
PSMN9R0-30LL,115
仓库库存编号：
568-5597-1-ND
别名：568-5597-1
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 21A TO-247AC
详细描述：通孔 P 沟道 100V 21A（Tc） 180W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFP9140
仓库库存编号：
IRFP9140-ND
别名：*IRFP9140
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Tc）,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 21A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 21A（Tc） 3.75W（Ta），53W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FQB20N06LTM
仓库库存编号：
FQB20N06LTM-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 21A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 60V 21A（Tc） 39W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF30N06
仓库库存编号：
FQPF30N06-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 21A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 200V 21A（Tc） 140W（Tc） TO-220-3
型号：
FQP19N20L
仓库库存编号：
FQP19N20L-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 21A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 250V 21A（Tc） 50W（Tc） TO-220F
型号：
IRFS654B_FP001
仓库库存编号：
IRFS654B_FP001-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 21A ISOPLUS220
详细描述：通孔 N 沟道 500V 21A（Tc） 230W（Tc） ISOPLUS220?
型号：
IXFC24N50
仓库库存编号：
IXFC24N50-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Tc）,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V QFN3333
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 21A（Tc） 41W（Tc） 8-DFN3333（3.3x3.3）
型号：
PSMN013-30LL,115
仓库库存编号：
568-5307-1-ND
别名：568-5307-1
PSMN01330LL115
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 21A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 600V 21A（Tc） 330W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFP21N60L
仓库库存编号：
IRFP21N60L-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Tc）,
含铅
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IXYS
MOSFET N-CH ISOPLUS220
详细描述：通孔 N 沟道 500V 21A（Tc） 230W（Tc） ISOPLUS220?
型号：
IXFC24N50Q
仓库库存编号：
IXFC24N50Q-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 500V 21A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXTH）
型号：
IXTH21N50Q
仓库库存编号：
IXTH21N50Q-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 21A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 60V 21A（Tc） 37W（Tc） TO-220AB 整包
型号：
IRFIZ34E
仓库库存编号：
IRFIZ34E-ND
别名：*IRFIZ34E
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 21A（Tc） 3.8W（Ta），94W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3315S
仓库库存编号：
IRF3315S-ND
别名：*IRF3315S
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 21A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 150V 21A（Tc） 3.8W（Ta），94W（Tc） TO-262
型号：
IRF3315L
仓库库存编号：
IRF3315L-ND
别名：*IRF3315L
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 21A（Tc） 3.8W（Ta），94W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3315STRL
仓库库存编号：
IRF3315STRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 21A（Tc） 3.8W（Ta），94W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3315STRR
仓库库存编号：
IRF3315STRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 21A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 200V 21A（Tc） 125W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
BUZ30A
仓库库存编号：
BUZ30AIN-ND
别名：BUZ30AIN
BUZ30AX
BUZ30AXK
BUZ30AXTIN
BUZ30AXTIN-ND
SP000011336
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 21A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 100V 21A（Tc） 90W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP21N10
仓库库存编号：
SPP21N10IN-ND
别名：SP000013842
SPP21N10IN
SPP21N10X
SPP21N10XTIN
SPP21N10XTIN-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 21A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 560V 21A（Tc） 208W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP21N50C3HKSA1
仓库库存编号：
SPP21N50C3HKSA1-ND
别名：SPP21N50C3
SPP21N50C3IN
SPP21N50C3IN-ND
SPP21N50C3X
SPP21N50C3XK
SPP21N50C3XTIN
SPP21N50C3XTIN-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 21A（Tc） 90W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB21N10
仓库库存编号：
SPB21N10INCT-ND
别名：SPB21N10INCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 21A（Tc） 3.8W（Ta），94W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3315SPBF
仓库库存编号：
IRF3315SPBF-ND
别名：*IRF3315SPBF
SP001563178
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 21A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 150V 21A（Tc） 3.8W（Ta），94W（Tc） TO-262
型号：
IRF3315LPBF
仓库库存编号：
IRF3315LPBF-ND
别名：*IRF3315LPBF
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Tc）,
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