产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Tc）,
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IXYS
MOSFET N-CH 1KV 21A PLUS247-3
详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 500W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX21N100F
仓库库存编号：
IXFX21N100F-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1KV 21A TO264
详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 500W（Tc） TO-264（IXFK）
型号：
IXFK21N100F
仓库库存编号：
IXFK21N100F-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Tc）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 21A（Tc） 460W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT10045JLL
仓库库存编号：
APT10045JLL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Tc） 3.13W（Ta），140W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FQB19N20LTM
仓库库存编号：
FQB19N20LTMCT-ND
别名：FQB19N20LTMCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 21A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 26W（Tc） TO-220F-3
型号：
FDPF320N06L
仓库库存编号：
FDPF320N06L-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 21A
详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Tc） 170W（Tc） D2PAK
型号：
STB28N60DM2
仓库库存编号：
497-16349-1-ND
别名：497-16349-1
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Tc）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 21A（Tc） 462W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT21M100J
仓库库存编号：
APT21M100J-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Tc） 227W（Tc） D2PAK
型号：
SIHB22N60E-GE3
仓库库存编号：
SIHB22N60E-GE3-ND
别名：SIHB22N60EGE3
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 21A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 37W（Tc） TO-220AB 整包
型号：
IRFIZ34NPBF
仓库库存编号：
IRFIZ34NPBF-ND
别名：*IRFIZ34NPBF
SP001575796
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Tc） 227W（Tc） TO-263AB（D2PAK）
型号：
SIHB21N60EF-GE3
仓库库存编号：
SIHB21N60EF-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 21A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 40W（Tc） TO-220FP
型号：
STF25NM60ND
仓库库存编号：
STF25NM60ND-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Tc） 160W（Tc） D2PAK
型号：
STB27NM60ND
仓库库存编号：
STB27NM60ND-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 21A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 192W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW60R165CP
仓库库存编号：
IPW60R165CP-ND
别名：IPW60R165CPFKSA1
IPW60R165CPX
IPW60R165CPXK
SP000095483
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 21A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 160W（Tc） TO-247-3
型号：
STW27NM60ND
仓库库存编号：
497-10086-5-ND
别名：497-10086-5
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Tc）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI333
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel 21A (Tc) Surface Mount PowerDI3333-8
型号：
DMN3016LDV-13
仓库库存编号：
DMN3016LDV-13-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Tc）,
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI333
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel 21A (Tc) Surface Mount PowerDI3333-8
型号：
DMN3016LDV-7
仓库库存编号：
DMN3016LDV-7-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Tc）,
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Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 30V 21A 8HWSON
详细描述：表面贴装 P 沟道 21A（Tc） 1.5W（Ta） 8-HWSON（3.3x3.3）
型号：
UPA2815T1S-E2-AT
仓库库存编号：
UPA2815T1S-E2-AT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 600V
详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 227W（Tc） TO-220AB
型号：
SIHP22N60EL-GE3
仓库库存编号：
SIHP22N60EL-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Tc）,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 600V
详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 35W（Tc） TO-220 整包
型号：
SIHA22N60EL-E3
仓库库存编号：
SIHA22N60EL-E3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Tc）,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 600V
详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Tc） 227W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SIHB22N60ET1-GE3
仓库库存编号：
SIHB22N60ET1-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Tc）,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 600V
详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Tc） 227W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SIHB22N60EL-GE3
仓库库存编号：
SIHB22N60EL-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Tc）,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 600V
详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Tc） 227W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SIHB22N60ET5-GE3
仓库库存编号：
SIHB22N60ET5-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Tc）,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 600V
详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 227W（Tc） TO-247AC
型号：
SIHG22N60EL-GE3
仓库库存编号：
SIHG22N60EL-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Tc）,
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS
详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Tc） 100W（Tc） LPTS
型号：
R5021ANJTL
仓库库存编号：
R5021ANJTL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Tc）,
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 21A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 500V 21A（Tc） TO-3P
型号：
IXFQ21N50Q
仓库库存编号：
IXFQ21N50Q-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Tc）,
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