产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 33A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 33A（Tc） 3.12W（Ta），156W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SUM33N20-60P-E3
仓库库存编号：
SUM33N20-60P-E3CT-ND
别名：SUM33N20-60P-E3CT
SUM33N2060PE3
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 33A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 150V 33A（Tc） 227W（Tc） TO-3PN
型号：
FQA28N15_F109
仓库库存编号：
FQA28N15_F109-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 33A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 33A（Tc） 40W（Tc） DPAK
型号：
NTD5806NT4G
仓库库存编号：
NTD5806NT4GOSCT-ND
别名：NTD5806NT4GOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 60V 33A 8HSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 33A（Tc） 1W（Ta），97W（Tc） 8-HSON
型号：
NP33N06YDG-E1-AY
仓库库存编号：
NP33N06YDG-E1-AYTR-ND
别名：NP33N06YDG-E1-AY-ND
NP33N06YDG-E1-AYTR
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 33A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 33A（Tc） 26W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PSMN012-25YLC,115
仓库库存编号：
568-8527-1-ND
别名：568-8527-1
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 33A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 55V 33A（Tc） 45W（Tc） TO-220AB 整包
型号：
IRFIZ46N
仓库库存编号：
IRFIZ46N-ND
别名：*IRFIZ46N
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 33A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 100V 33A（Tc） 140W（Tc） TO-247AC
型号：
IRFP140N
仓库库存编号：
IRFP140N-ND
别名：*IRFP140N
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 33A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 33A（Tc） 57W（Tc） D-Pak
型号：
94-4737
仓库库存编号：
94-4737-ND
别名：*IRFR3303
IRFR3303
IRFR3303-ND
SP001517800
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 33A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 33A（Tc） 57W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3303TR
仓库库存编号：
IRFR3303TR-ND
别名：SP001572808
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 33A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 30V 33A（Tc） 57W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU3303
仓库库存编号：
IRFU3303-ND
别名：*IRFU3303
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 33A（Tc） 3.8W（Ta），170W（Tc） D2PAK
型号：
IRFS33N15D
仓库库存编号：
IRFS33N15D-ND
别名：*IRFS33N15D
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 33A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 150V 33A（Tc） 3.8W（Ta），170W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB33N15D
仓库库存编号：
IRFB33N15D-ND
别名：*IRFB33N15D
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 33A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 100V 33A（Tc） 130W（Tc） TO-262
型号：
IRF540NL
仓库库存编号：
IRF540NL-ND
别名：*IRF540NL
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 33A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 150V 33A（Tc） 3.8W（Ta），170W（Tc） TO-262
型号：
IRFSL33N15D
仓库库存编号：
IRFSL33N15D-ND
别名：*IRFSL33N15D
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 33A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 33A（Tc） 57W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3303TRL
仓库库存编号：
IRFR3303TRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 33A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 33A（Tc） 57W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3303TRR
仓库库存编号：
IRFR3303TRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 33A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 55V 33A（Tc） 45W（Tc） TO-220AB 整包
型号：
IRFIZ46NPBF
仓库库存编号：
IRFIZ46NPBF-ND
别名：*IRFIZ46NPBF
SP001578084
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 33A（Tc） 3.8W（Ta），170W（Tc） D2PAK
型号：
IRFS33N15DPBF
仓库库存编号：
IRFS33N15DPBF-ND
别名：*IRFS33N15DPBF
SP001571762
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 33A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 30V 33A（Tc） 57W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU3303PBF
仓库库存编号：
IRFU3303PBF-ND
别名：*IRFU3303PBF
SP001567700
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 33A（Tc） 120W（Tc） TO-220-5
型号：
BTS247Z E3062A
仓库库存编号：
BTS247Z E3062A-ND
别名：BTS247ZE3062AATMA1
BTS247ZE3062ANT
BTS247ZE3062AT
BTS247ZE3062AT-ND
SP000012187
SP000399010
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5
详细描述：通孔 N 沟道 55V 33A（Tc） 120W（Tc） PG-TO220-5-3
型号：
BTS247ZAKSA1
仓库库存编号：
BTS247ZAKSA1-ND
别名：BTS247Z
BTS247Z-ND
BTS247ZNK
SP000012184
SP000468058
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5
详细描述：通孔 N 沟道 55V 33A（Tc） 120W（Tc） P-TO220-5
型号：
BTS247ZE3043AKSA1
仓库库存编号：
BTS247ZE3043AKSA1-ND
别名：BTS247Z E3043
BTS247Z E3043-ND
BTS247ZE3043
BTS247ZE3043NK
SP000012185
SP000399008
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 33A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 33A（Tc） 57W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3303CPBF
仓库库存编号：
IRFR3303CPBF-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 33A TO-262-3
详细描述：通孔 N 沟道 150V 33A（Tc） 3.8W（Ta），170W（Tc） TO-262
型号：
IRFSL33N15DTRRP
仓库库存编号：
IRFSL33N15DTRRP-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 33A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 150V 33A（Tc） 144W（Tc） TO-262
型号：
IRFSL4615PBF
仓库库存编号：
IRFSL4615PBF-ND
别名：SP001557598
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
无铅
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