产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 33A（Tc） 278W（Tc） TO-247AD
型号：
SIHW33N60E-GE3
仓库库存编号：
SIHW33N60E-GE3-ND
别名：SIHW33N60E-GE3CT
SIHW33N60E-GE3CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 33A TO-264AA
详细描述：通孔 N 沟道 500V 33A（Tc） 416W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK33N50
仓库库存编号：
IXFK33N50-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 33A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 500V 33A（Tc） 416W（Tc） TO-264（IXTK）
型号：
IXTK33N50
仓库库存编号：
IXTK33N50-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 33A SOT227
详细描述：底座安装 N 沟道 900V 33A（Tc） 695W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN40N90P
仓库库存编号：
IXFN40N90P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 900V 33A SOT227
详细描述：底座安装 N 沟道 900V 33A（Tc） 290W（Tc） SOT-227
型号：
APT33N90JCU2
仓库库存编号：
APT33N90JCU2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 900V 33A SOT227
详细描述：底座安装 N 沟道 900V 33A（Tc） 290W（Tc） SOT-227
型号：
APT33N90JCU3
仓库库存编号：
APT33N90JCU3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 33A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 800V 33A（Tc） 543W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT32M80J
仓库库存编号：
APT32M80J-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 900V 33A SOT227
详细描述：底座安装 N 沟道 900V 33A（Tc） 290W（Tc） SOT-227
型号：
APT33N90JCCU2
仓库库存编号：
APT33N90JCCU2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 33A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 33A（Tc） 960W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT32F120J
仓库库存编号：
APT32F120J-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 33A ISOPLUS227
详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 33A（Tc） 580W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFE36N100
仓库库存编号：
IXFE36N100-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 33A（Tc） 144W（Tc） D2PAK
型号：
IRFS5615TRLPBF
仓库库存编号：
IRFS5615TRLPBFCT-ND
别名：IRFS5615TRLPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 33A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 33A（Tc） 144W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
AUIRFR4615TRL
仓库库存编号：
AUIRFR4615TRL-ND
别名：SP001518604
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 33A（Tc） 3.8W（Ta），170W（Tc） D2PAK
型号：
IRFS33N15DTRLP
仓库库存编号：
IRFS33N15DTRLP-ND
别名：SP001573500
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 33A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 150V 33A（Tc） 144W（Tc） TO-262
型号：
IRFSL5615PBF
仓库库存编号：
IRFSL5615PBF-ND
别名：SP001567730
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 33A（Tc） 120W（Tc） PG-TO263-5
型号：
BTS247ZE3062AATMA2
仓库库存编号：
BTS247ZE3062AATMA2-ND
别名：SP000910846
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO-220-3
详细描述：通孔 N 沟道 650V 33A（Tc） 171W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP65R065C7XKSA1
仓库库存编号：
IPP65R065C7XKSA1-ND
别名：SP001080100
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO-247-3
详细描述：通孔 N 沟道 650V 33A（Tc） 171W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW65R065C7XKSA1
仓库库存编号：
IPW65R065C7XKSA1-ND
别名：SP001080116
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO247-4
详细描述：通孔 N 沟道 650V 33A（Tc） 171W（Tc） PG-TO247-4
型号：
IPZ65R065C7XKSA1
仓库库存编号：
IPZ65R065C7XKSA1-ND
别名：SP001080120
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 33A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 200V 33A（Tc） 180W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFP250
仓库库存编号：
497-2639-5-ND
别名：497-2639-5
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 33A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 100V 33A（Tc） 120W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF540N_R4942
仓库库存编号：
IRF540NFS-ND
别名：IRF540N_R4942-ND
IRF540NFS
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 33A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 100V 33A（Tc） 127W（Tc） TO-220-3
型号：
FQP33N10L
仓库库存编号：
FQP33N10L-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 33A（Tc） 120W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
HUF75631S3S
仓库库存编号：
HUF75631S3S-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 33A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 100V 33A（Tc） 120W（Tc） TO-220AB
型号：
HUF75631P3
仓库库存编号：
HUF75631P3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 33A TO-3PF
详细描述：通孔 N 沟道 100V 33A（Tc） 85W（Tc） TO-3PF
型号：
FQAF44N10
仓库库存编号：
FQAF44N10-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 33A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 250V 33A（Tc） 235W（Tc） I2PAK（TO-262）
型号：
FDI33N25TU
仓库库存编号：
FDI33N25TU-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
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