产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 42A（Tc）,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 74A TO-262
详细描述：通孔 P 沟道 55V 42A（Tc） 200W（Tc） TO-262
型号：
AUIRF4905L
仓库库存编号：
AUIRF4905L-ND
别名：SP001521094
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 42A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 42A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 100V 42A（Tc） 140W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU3710ZPBF
仓库库存编号：
IRFU3710ZPBF-ND
别名：*IRFU3710ZPBF
64-4138PBF
64-4138PBF-ND
SP001550264
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 42A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 42A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 55V 42A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
型号：
STF60N55F3
仓库库存编号：
STF60N55F3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 42A（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 42A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 55V 42A（Tc） 99W（Tc） TO-220AB
型号：
BUK7528-55A,127
仓库库存编号：
568-9799-5-ND
别名：568-9799-5
934056257127
BUK7528-55A
BUK7528-55A,127-ND
BUK7528-55A-ND
BUK752855A127
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 42A（Tc）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 42A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 800V 42A（Tc） 595W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT8014JLL
仓库库存编号：
APT8014JLL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 42A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 42A ISPLUS220
详细描述：通孔 N 沟道 150V 42A（Tc） 120W（Tc） ISOPLUS220?
型号：
IXFC96N15P
仓库库存编号：
IXFC96N15P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 42A（Tc）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 42A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 100V 42A（Tc） 136W（Tc） TO-220AB
型号：
NTP6413ANG
仓库库存编号：
NTP6413ANGOS-ND
别名：NTP6413ANG-ND
NTP6413ANGOS
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 42A（Tc）,
无铅
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Cree/Wolfspeed
MOSFET N-CH 1200V 42A TO-247-3
详细描述：通孔 N 沟道 1200V 42A（Tc） 215W（Tc） TO-247-3
型号：
CMF20120D
仓库库存编号：
CMF20120D-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 42A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 42A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 42A（Tc） 2.5W（Ta），73.5W（Tc） TO-252
型号：
SUD42N03-3M9P-GE3
仓库库存编号：
SUD42N03-3M9P-GE3CT-ND
别名：SUD42N03-3M9P-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 42A（Tc）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 42A（Tc） 136W（Tc） D2PAK-3
型号：
NVB6413ANT4G
仓库库存编号：
NVB6413ANT4G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 42A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 42A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 100V 42A（Tc） 160W（Tc） TO-247AC
型号：
IRFP150N
仓库库存编号：
IRFP150N-ND
别名：*IRFP150N
SP001572746
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 42A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 55V 42A（Tc） 110W（Tc） I-Pak
型号：
IRLU2905
仓库库存编号：
IRLU2905-ND
别名：*IRLU2905
Q853121
SP001553032
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 42A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 42A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 100V 42A（Tc） 3.8W（Ta），160W（Tc） TO-262
型号：
IRF1310NL
仓库库存编号：
IRF1310NL-ND
别名：*IRF1310NL
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 42A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 42A（Tc） 3.8W（Ta），160W（Tc） D2PAK
型号：
IRF1310NSTRR
仓库库存编号：
IRF1310NSTRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 42A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 42A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR2905TRL
仓库库存编号：
IRLR2905TRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 42A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 42A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR2905TRR
仓库库存编号：
IRLR2905TRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 42A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 42A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 75V 42A（Tc） 110W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU2407
仓库库存编号：
IRFU2407-ND
别名：*IRFU2407
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 42A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 42A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR2407TR
仓库库存编号：
IRFR2407TR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 42A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 42A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR2407TRL
仓库库存编号：
IRFR2407TRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 42A（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 42A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR2407TRR
仓库库存编号：
IRFR2407TRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 42A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 42A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 30V 42A（Tc） 83W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP42N03S2L-13
仓库库存编号：
SPP42N03S2L-13IN-ND
别名：SPP42N03S2L-13IN
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 42A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 42A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 100V 42A（Tc） 140W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU3710Z
仓库库存编号：
IRFU3710Z-ND
别名：*IRFU3710Z
SP001565168
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 42A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 42A（Tc） 140W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3710ZTR
仓库库存编号：
IRFR3710ZTR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 42A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 42A（Tc） 140W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3710ZTRL
仓库库存编号：
IRFR3710ZTRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 42A（Tc）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 42A（Tc） 140W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3710ZTRR
仓库库存编号：
IRFR3710ZTRR-ND
别名：SP001575918
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 42A（Tc）,
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