产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 160A（Tc）,
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 160A TO-263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 160A（Tc） 1.8W（Ta），220W（Tc） TO-263-7
型号：
NP160N04TUG-E1-AY
仓库库存编号：
NP160N04TUG-E1-AY-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 160A（Tc）,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 160A TO-263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 160A（Tc） 1.8W（Ta），250W（Tc） TO-263-7
型号：
NP160N04TUJ-E1-AY
仓库库存编号：
NP160N04TUJ-E1-AY-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 160A（Tc）,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 55V 160A TO-263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 160A（Tc） 1.8W（Ta），250W（Tc） TO-263-7
型号：
NP160N055TUJ-E1-AY
仓库库存编号：
NP160N055TUJ-E1-AYCT-ND
别名：NP160N055TUJ-E1-AYCT
NP160N055TUJE1AY
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 160A（Tc）,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 55V 160A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 160A（Tc） 1.8W（Ta），250W（Tc） TO-263-7
型号：
NP160N055TUK-E1-AY
仓库库存编号：
NP160N055TUK-E1-AY-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 160A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 160A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） D2PAK
型号：
IRL1404S
仓库库存编号：
IRL1404S-ND
别名：*IRL1404S
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 160A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 160A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 40V 160A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） TO-262
型号：
IRL1404L
仓库库存编号：
IRL1404L-ND
别名：*IRL1404L
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 160A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK7
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 160A（Tc） 330W（Tc） D2PAK（7-Lead）
型号：
IRF2804STRL-7P
仓库库存编号：
IRF2804STRL-7P-ND
别名：*IRF2804S-7P
IRF2804S-7P
IRF2804S-7P-ND
SP001564686
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 160A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 160A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 40V 160A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） TO-262
型号：
IRL1404LPBF
仓库库存编号：
IRL1404LPBF-ND
别名：*IRL1404LPBF
SP001557926
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 160A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 160A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-7-3
型号：
SPB160N04S203CTMA1
仓库库存编号：
SPB160N04S203CTMA1TR-ND
别名：SP000014263
SPB160N04S2-03
SPB160N04S2-03-ND
SPB160N04S203T
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 160A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 160A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-7-3
型号：
SPB160N04S2L03DTMA1
仓库库存编号：
SPB160N04S2L03DTMA1TR-ND
别名：SP000014639
SPB160N04S2L-03
SPB160N04S2L-03-ND
SPB160N04S2L03T
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 160A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 160A D2PAK-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 160A（Tc） 300W（Tc） D2PAK（7-Lead）
型号：
64-2096PBF
仓库库存编号：
64-2096PBFCT-ND
别名：IRF2907ZSTRL7PPCT
IRF2907ZSTRL7PPCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 160A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 75A TO262
详细描述：通孔 N 沟道 75V 160A（Tc） 300W（Tc） TO-262
型号：
IRF2907ZLPBF
仓库库存编号：
IRF2907ZLPBF-ND
别名：SP001576784
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 160A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 160A TO-263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 160A（Tc） 300W（Tc） D2PAK（7-Lead）
型号：
IRF3805L-7PPBF
仓库库存编号：
IRF3805L-7PPBF-ND
别名：SP001576702
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 160A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 160A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-7-3
型号：
IPB160N04S203ATMA1
仓库库存编号：
IPB160N04S203ATMA1TR-ND
别名：IPB160N04S2-03
IPB160N04S2-03-ND
SP000218151
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 160A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 160A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-7-3
型号：
IPB160N04S2L03ATMA1
仓库库存编号：
IPB160N04S2L03ATMA1TR-ND
别名：IPB160N04S2L-03
IPB160N04S2L-03-ND
SP000218153
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 160A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 160A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
型号：
AUIRF3805S
仓库库存编号：
AUIRF3805S-ND
别名：SP001518016
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 160A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 160A（Tc） 300W（Tc） D2PAK（7-Lead）
型号：
AUIRF3805S-7P
仓库库存编号：
AUIRF3805S-7P-ND
别名：SP001522074
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 160A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 160A（Tc） 200W（Tc） D2PAK
型号：
AUIRL1404ZS
仓库库存编号：
AUIRL1404ZS-ND
别名：SP001520668
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 160A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 235A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 160A（Tc） 231W（Tc） D2PAK
型号：
AUIRF2903ZS
仓库库存编号：
AUIRF2903ZS-ND
别名：SP001518498
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 160A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 160A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
AUIRL1404S
仓库库存编号：
AUIRL1404S-ND
别名：SP001516830
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 160A（Tc）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO262-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 160A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-7-3
型号：
IPB160N04S2L03ATMA2
仓库库存编号：
IPB160N04S2L03ATMA2-ND
别名：SP001058964
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 160A（Tc）,
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MOSFET N-CH TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 60V 160A（Tc） 230W（Tc）
型号：
64-0055PBF
仓库库存编号：
64-0055PBF-ND
别名：SP001553580
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 160A（Tc）,
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